1.一种芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，其特征是，由电源环为起点的金属线顺时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到电源环上，该线圈的输出Output 1从第三层金属引出，在未受到电磁辐射时，Output 1保持为高电平；由地线环为起点另一条金属线逆时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到地线环上，该线圈的输出从第三层金属引出，在未受到电磁辐射时，Output 2保持为零电平；进行电磁辐射测量时，Output 1、Output 2形成差分输出。
2.如权利要求1所述的芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，其特征是，所述金属线宽度为相应工艺下的最小线宽，走线之间的间距为设计规范的最小间距。
3.如权利要求1所述的芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，其特征是，一个实例中，采用Chartered 0.35micron 3.3volt工艺，第一层金属线宽度为0.45μm，第一层金属走线之间的间距为0.45μm，第二层金属线宽度为0.50μm，第二层金属走线之间的间距为0.50μm。