技术总结
本发明涉及专用集成电路芯片技术领域，为能够在芯片级对专用集成电路芯片的电磁辐射情况进行测量。本发明采用的技术方案是，芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，由电源环为起点的金属线顺时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到电源环上，该线圈的输出Output 1从第三层金属引出，进行电磁辐射测量时，Output 1、Output 2形成差分输出。本发明主要应用于集成电路芯片设计制造场合。
技术研发人员：赵毅强;何家骥;刘燕江;王佳;刘阿强
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610937683
技术研发日：2016.10.25
技术公布日：2017.02.22