用于消除四乙氧基硅烷氧化膜中的局部厚度不均匀性的增强升降杆设计的制作方法

文档序号:11101078阅读:来源:国知局
技术总结
本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中,所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆,所述第一末端包括具有顶表面的杆头,其中所述顶表面是平面且平坦的;以及将杆头耦接至轴的扩口部分,所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

技术研发人员:K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;P·P·贾;K·尼塔拉
受保护的技术使用者:应用材料公司
文档号码:201610972233
技术研发日:2016.11.04
技术公布日:2017.05.10

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