1.一种激光装置，包括：
含有镓和氮材料的基板，所述基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，所述基板具有前侧和背侧；
位于所述基板内的至少一个有源区；
覆盖所述有源区的N个发射器的阵列，N大于3，所述N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于所述前侧和所述背侧之间，所述N个发射器中的每一个被构造成在所述前侧处发射辐射，所述N个发射器的阵列与蓝色或绿色波长相关，所述N个发射器的阵列的特征在于至少25mW的平均操作功率，所述N个发射器中的每一个的特征在于长度和宽度，所述长度为至少400μm，所述宽度为至少1μm；
电耦接于所述N个发射器的阵列的至少一个电极；以及
位于所述基板的所述前侧处的至少一个光学构件，用于光学组合来自所述发射器的辐射。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光装置在包括至少150,000ppmv氧气的环境中是可操作的；据此所述激光装置在一时间段内基本上没有来自所述氧气的效率降低。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光装置基本上没有AlGaN或InAlGaN覆层；其中，每一个所述发射器包括前面和后面，所述前面基本上没有涂层。
4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括热耦接于所述基板的微通道冷却器；并且进一步包括特征在于热膨胀系数(CTE)与所述基板和散热器相关的子支架。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括耦接于所述基板的子支架，所述子支架由包括氮化铝、BeO、金刚石、复合金刚石、或组合中的至少一种的材料制成。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板胶合到子支架上，所述子支架的特征在于热导率为至少200W/(mk)。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板包括一个或多个覆层区。
8.一种激光装置，包括：
含有镓和氮材料的基板，所述基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，所述基板具有前侧和背侧；
位于所述基板内的一个或多个有源区；
覆盖所述一个或多个有源区的N个发射器的阵列，N大于3，所述N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于所述前侧和所述背侧之间，所述N个发射器中的每一个被构造成在所述前侧处发射辐射，所述N个发射器的阵列与蓝色或绿色波长相关，所述N个发射器的阵列的特征在于至少25mW的平均操作功率，所述N个发射器中的每一个的特征在于长度和宽度，所述长度为至少400μm，所述宽度为至少1μm；
电耦接于所述N个发射器的阵列的一个或多个电极；
位于所述基板的所述前侧处的一个或多个光学构件，用于光学校准来自所述发射器的辐射；
热耦接于第一基板的散热器。
9.一种激光装置，包括：
含有镓和氮材料的基板，所述基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，所述基板具有顶侧和底侧；
位于第一基板的所述顶侧附近的数量为N的有源区，N大于3，所述有源区中的每一个包括与p型相关的掺杂区；
覆盖所述掺杂区的N个发射器的阵列，所述N个发射器的阵列彼此基本上平行，所述N个发射器中的每一个被构造成在前侧处发射辐射，所述N个发射器的阵列的特征在于至少25mW的平均操作功率，所述N个发射器中的每一个的特征在于长度和宽度，所述长度为至少400μm，所述宽度为至少1μm；
电耦接于所述N个发射器的阵列的一个或多个电极；
位于所述基板的前侧处的一个或多个光学构件，用于光学校准来自所述发射器的辐射；以及
特征在于热辐射系数为至少0.6的子支架。
10.一种激光装置，包括：
基板，所述基板具有前侧和背侧；
位于所述基板内的至少一个有源区；
覆盖所述有源区的N个发射器的阵列，N大于3，所述N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于所述前侧和所述背侧之间，所述N个发射器中的每一个被构造成在所述前侧处发射辐射，所述N个发射器的阵列与蓝色或绿色波长相关，所述N个发射器的阵列的特征在于平均操作功率，所述N个发射器中的每一个的特征在于长度和宽度；
电耦接于所述N个发射器的阵列的至少一个电极；以及
位于所述基板的所述前侧处的至少一个光学构件，用于光学组合来自所述发射器的辐射。