1.一种功率二极管，其特征在于，所述功率二极管包括：
N型基体(10)；
至少两个P型掺杂区(20)，间隔设置在所述N型基体(10)中；
N型掺杂区(30)，设置在各所述P型掺杂区(20)的远离所述N型基体(10)的表面上；以及
金属层(50)，设置在所述N型掺杂区(30)的远离所述N型基体(10)的表面上，其中，所述金属层(50)与各所述P型掺杂区(20)隔离设置。
2.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，所述功率二极管包括至少两个所述N型掺杂区(30)，各所述N型掺杂区(30)设置在所述N型基体(10)中且与所述P型掺杂区(20)一一对应设置，且各所述N型掺杂区(30)的远离各所述P型掺杂区(20)的表面与所述N型基体(10)的平整表面平齐。
3.根据权利要求2所述的功率二极管，其特征在于，第一表面为与所述N型基体(10)的厚度方向垂直的表面，各所述N型掺杂区(30)在所述第一表面上的投影位于对应的所述P型掺杂区(20)在所述第一表面上的投影的内部，且所述功率二极管还包括：
至少四个介质区(40)，各所述介质区(40)覆盖各所述P型掺杂区(20)的靠近金属层的表面设置且用于隔离各所述P型掺杂区(20)与所述金属层(50)。
4.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，所述N型基体(10)包括：
N+衬底层(11)；以及
N-外延层(12)，设置在所述N+衬底层(11)的表面上，且所述P型掺杂区(20)设置在所述N-外延层(12)中且远离所述N+衬底层(11)。
5.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，所述P型掺杂区(20)为P+掺杂区。
6.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，所述N型掺杂区(30)为N+掺杂区。
7.根据权利要求3所述的功率二极管，其特征在于，所述介质区(40)的材料包括二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，所述金属层(50)的材料包括为Al-Cu和/或Al-Si-Cu。