1.一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：在基板上沉积TFT驱动电路与阳极层；
步骤S2：配制具有疏水性材料的墨水；
步骤S3：在TFT基板上沉积一层图案化的疏水的bank层；
步骤S4：在bank层内依次打印电子注入层、电子传输层和发光层；
步骤S5：依次沉积空穴传输层、空穴注入层和阴极，得到印刷发光显示器件；
步骤S6：封装整个发光显示器件。
2.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述基板选用的材料包括玻璃、柔性材料与可伸缩材料。
3.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述阳极极层包括ITO、银纳米线、纳米银、石墨烯与透明导电材料。
4.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述步骤S3中，在TFT基板上沉积的一层图案化的疏水的bank层通过包括喷墨打印、气流喷印、转印、微纳米压印、卷对卷图案化非光刻的印刷方式进行制备。
5.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述疏水的bank层的材料为正负光胶以及具有绝缘性的疏水和超疏水材料，所述疏水和超疏水材料包括氟离子或氯离子的低表面能材料、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯为原料制备超疏水薄膜以及自组装微纳表面疏水材料，所述疏水的bank层材料墨水粘度为1cp~1000cp。
6.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述疏水的bank层厚度为0.5um~2um。
7.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述疏水的bank层的垂直剖面形状包括倒梯形、正梯形与弧形。
8.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件包括OLED、QLED与PeLED。
9.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极电极通过喷墨打印的方式进行制备。
10.根据权利要求1所述的一种非光刻像素bank的制备及其印刷显示应用方法，其特征在于：所述发光显示器件通过包括玻璃封装、薄膜封装以及基于印刷的封装方式进行封装。