1.一种长波长垂直腔面发射激光器，该长波长垂直腔面发射激光器由下至上依次包括衬底(8)、n型DBR(6)、n型空间层(5)、有源区(4)、p型空间层(3)、出光孔(9)和p面电极(2)，其中p面电极(2)蒸镀于p型空间层(3)上，并包围出光孔(9)，n型DBR(6)中间设有电流限制层(10)，电流限制层(10)上形成有圆形电流限制孔(11)，其特征在于，
所述衬底(8)和n型DBR(6)为等直径的圆台型结构，其直径大于所述出光孔(9)的直径，小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。
2.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，该长波长垂直腔面发射激光器还包括：n面电极(7)，其蒸镀于所述衬底(8)和n型DBR(6)形成的等直径的圆台型结构的底面和侧面。
3.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底(8)为InP材料。
4.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述n型DBR(6)为半导体材料或者介电材料。
5.如权利要求4所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述半导体材料为AlxInyGa(1-x-y)As/InP或者InxGa(1-x)AsyP(1-y)/InP，所述介电材料为α-Si/Al2O3、MgO/α-Si、CaF2/α-Si或者CaF2/ZnS。
6.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述n型空间层(5)材料为InP或者与InP匹配的三元或四元半导体材料。
7.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有源区(4)是单个量子阱或多对量子阱结构。
8.如权利要求7所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述单个量子阱或多对量子阱结构，其量子阱材料组分为AlxInyGa(1-x-y)As/AlxInyGa(1-x-y)As或InxGa(1-x)AsyP(1-y)/InxGa(1-x)AsyP(1-y)，所述量子阱个数为3-7个。
9.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p型空间层(3)材料为InP或者与InP匹配的三元或四元半导体材料。
10.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p面电极(2)材料为Cr/Au金属。
11.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P型DBR(1)为半导体材料或者介电材料。
12.如权利要求11所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述半导体材料为AlxInyGa(1-x-y)As/InP或InxGa(1-x)AsyP(1-y)/InP，所述介电材料为α-Si/Al2O3、MgO/α-Si、CaF2/α-Si或者CaF2/ZnS。
13.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述n面电极(7)为包围所述n型DBR(6)和衬底(8)的圆台型结构的环包型结构，所述n面电极(7)材料为Au/Ge/Ni金属。
14.如权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电流限制孔(11)直径小于所述n型DBR(6)和衬底(8)圆台型结构的直径和所述出光孔(9)的直径。