本实用新型涉及一种LED晶片,尤其涉及一种具有金属触点的LED晶片。
背景技术:
LED 是英文 light emitting diode (发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片,用银胶或白胶固化到支架上,然后用银线或金线连接芯片和电路板,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,最后安装外壳,所以 LED 灯的抗震性能好。运用领域涉及到手机、台灯、家电等日常家电和机械生产方面。
半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED灯发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
现有技术中,LED晶片内具有金材,金材包括金属触点、引脚金属线等,其中金属触点呈圆柱状,圆柱状的金属触点外周为平滑的弧面,与LED晶片的基层之间配接不够牢固,易产生滑脱等不良影响。而圆柱状的金属触点截面呈圆形,会对光源造成一定的阻隔,形成圆形阴影遮挡区域,影响到LED灯的照明亮度。
技术实现要素:
本实用新型的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种具有金属触点的LED晶片。
为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种具有金属触点的LED晶片,包括基层及嵌入基层内的金属触点,所述金属触点具有用于增加金属触点与基层配接面积的轴向的沟槽,所述沟槽形成供光源通过的通道。
优选的,所述沟槽位于所述金属触点的轴心。
优选的,所述沟槽的截面呈米字状。
优选的,所述沟槽由复数均匀分布于所述金属触点外周的槽条组成。
优选的,所述金属触点的截面呈多角形。
优选的,所述金属触点的截面呈雪花片状。
本实用新型的有益效果体现在:
1.LED晶片采用结构的金属触点,金属触点设有沟槽,该沟槽增加了金属触点与基层的接触面积,使金属触点与LED晶片的基层之间配接更牢靠,有效防止金属触点滑脱,提高了LED灯的使用寿命;
2. 沟槽的设计减小了金属触点的截面面积,降低了对光源的阻隔,减小阴影面积,沟槽部分内基层能供光源透过,提高了LED灯的亮度;
3. 金属触点外周的沟槽均匀分布,截面形状规整,便于制造。
附图说明
图1是本实用新型一种具有金属触点的LED晶片实施例一的结构示意图;
图2是本实用新型一种具有金属触点的LED晶片实施例二的结构示意图;
图3是本实用新型一种具有金属触点的LED晶片实施例三的结构示意图;
图4是金属触点的沟槽供光源通过的原理示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限于本实用新型,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
一种具有金属触点的LED晶片,如图1至图4所示,其包括基层1及嵌入基层1内的金属触点2,基层是具有较优透光性的,金属触点2具有用于增加金属触点2与基层1接触面积的轴向的沟槽3,该沟槽使金属触点与LED晶片的基层之间配接更牢靠,有效防止金属触点滑脱,同时提高了LED灯的使用寿命,产品质量得到提升。
沟槽3形成供光源通过的通道,具体的如图4所示,金属触点的外周与基层相匹配配接,沟槽3内具有基层,而光源可透过沟槽内的基层。沟槽的设计减小了金属触点的截面面积,降低了对光源的阻隔,减小阴影面积,沟槽部分内基层能供光源透过,提高了LED灯的亮度。
具体实施例一,如图1所示,沟槽3位于金属触点2的轴心。金属触点呈空心状,金属触点的外周及内部沟槽的壁均与基层接触,保障了配接牢固度,具体的,沟槽3的截面呈米字状,光源可透过沟槽内的基层透出,增加了LED灯的亮度。
具体实施例二,如图2所示,沟槽3由复数均匀分布于金属触点2外周的槽条4组成,金属触点2的截面呈多角形,提高了金属触点与基层的接触面积,配接牢固度得到保障,增加了LED灯的亮度,还便于生产制造。
具体实施例三,如图3所示,沟槽3由复数均匀分布于金属触点2外周的槽条4组成,金属触点2的截面呈雪花片状,提高了金属触点与基层的接触面积,配接牢固度得到保障,增加了LED灯的亮度,还便于生产制造。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本实用新型的保护范围,凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。