一种超宽带高性能六位移相器芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位移相器芯片。本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位移相器芯片，包括电感L1、第一电容C1、第二电容C2、P型MOS管Q1、接地GND、射频输入IN、射频输出OUT，控制电平Bx。本实用新型采用交换线路和高通或低通滤波器的最佳组合，降低相位误差低没，从而提高精度、减小芯片内部通路插损。可以让用户的系统性能提升；增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。
【专利说明】
一种超宽带高性能六位移相器芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位移相器芯片。【背景技术】
[0002]根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于1mm?10mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于移相器提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损、多通道、移相组合灵活和小型化等。
[0003]移相器(PS，phase shifter)是用作射频信号相位移动的器件，应用于雷达、基站、 仪表仪器等广品。因此，超宽带、尚性能的移相器，对于提尚系统性能起到了关键性的作用。【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位移相器芯片。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种超宽带高性能六位移相器芯片，包括电感L1、第一电容C1、第二电容C2、P型M0S管Q1、接地GND、射频输入IN、射频输出 0UT、控制电平Bx，
[0006]所述第一电容C1、电感L1、第二电容C2依次连接，所述P型M0S管Q1具有栅极、漏极、 源极，所述P型M0S管Q1的漏极与第二电容C2连接，源极与第一电容C1连接，栅极与控制电平 Bx连接；
[0007]所述接地GND连接在电感L1、第二电容C2之间，所述射频输入IN连接在P型M0S管Q1 的源极与第一电容C1之间，所述射频输出OUT连接在电感L1、第一电容C1之间。
[0008]进一步的是，还包括微带线，所述微带线一端连接在射频输出OUT与电感L1之间， 另一端连接在射频输入IN与P型M0S管Q1的源极之间。
[0009]实用新型的有益效果是:本实用新型采用交换线路和高通或低通滤波器的最佳组合，降低相位误差低没，从而提高精度、减小芯片内部通路插损。可以让用户的系统性能提升;增加快速清零结构，让开关速度显著减小，提高系统效率。【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的电路示意图。【具体实施方式】
[0011]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0012]如图1所示，本实用新型的一种超宽带高性能六位移相器芯片，包括电感L1、第一电容C1、第二电容C2、P型M0S管Q1、接地GND、射频输入IN、射频输出OUT、控制电平Bx，
[0013]所述第一电容C1、电感L1、第二电容C2依次连接，所述P型M0S管Q1具有栅极、漏极、 源极，所述P型M0S管Q1的漏极与第二电容C2连接，源极与第一电容C1连接，栅极与控制电平 Bx连接；[〇〇14]所述接地GND连接在电感L1、第二电容C2之间，所述射频输入IN连接在P型M0S管Q1 的源极与第一电容C1之间，所述射频输出OUT连接在电感L1、第一电容C1之间。优选的实施方式是，还包括微带线，所述微带线一端连接在射频输出OUT与电感L1之间，另一端连接在射频输入IN与P型M0S管Q1的源极之间。[0〇15] 本实用新型采用-3V/0V负电平逻辑控制；当控制电平Bx为-3V时，P型M0S管Q1关闭，射频信号从射频输入IN进过经第一电容C1、微带线流向射频输出0UT，射频信号相位未实现移动；当控制电平Bx为0V时，P型M0S管Q1导通，射频信号从射频输入IN进过经电感L1、 第二电容C2组成的滤波网络、导通的P型M0S管Q1流向射频输出OUT，射频信号进行特定角度的移相。
【主权项】
1.一种超宽带高性能六位移相器芯片，其特征在于，包括电感L1、第一电容Cl、第二电 容C2、P型MOS管Q1、接地GND、射频输入IN、射频输出OUT、控制电平Bx，所述第一电容Cl、电感L1、第二电容C2依次连接，所述P型M0S管Q1具有栅极、漏极、源 极，所述P型M0S管Q1的漏极与第二电容C2连接，源极与第一电容C1连接，栅极与控制电平Bx 连接；所述接地GND连接在电感L1、第二电容C2之间，所述射频输入IN连接在P型M0S管Q1的源 极与第一电容C1之间，所述射频输出OUT连接在电感L1、第一电容C1之间。2.根据权利要求1所述的一种超宽带高性能六位移相器芯片，其特征在于，还包括微带 线，所述微带线一端连接在射频输出OUT与电感L1之间，另一端连接在射频输入IN与P型M0S 管Q1的源极之间。
【文档编号】H01P1/18GK205692941SQ201620592341
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月17日 公开号201620592341.7, CN 201620592341, CN 205692941 U, CN 205692941U, CN-U-205692941, CN201620592341, CN201620592341.7, CN205692941 U, CN205692941U
【发明人】罗力伟, 王祈钰
【申请人】四川益丰电子科技有限公司