一种室分系统邻频合路器的制作方法

本实用新型涉及一种新型合路器，尤指一种室分系统邻频合路器，属于微波无源射频通讯技术领域的范畴。

背景技术：

我国移动通信已经进入4G时代，现有的2G，3G室分系统也在逐步升级改造，通过更改链路合路器升级到4G，无论是新系统建设还是老系统升级，对室分合路器的需求还是很大的。使用新技术开发的合路器，其性能和结构都较以往常规合路器有很大的提高，且尺寸更小，结构更紧凑，性能更完善，越来越受到客户的认可，市场需求份额也在逐步上升。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是一种室分系统邻频合路器，其性能上，在联通和电信的3G频段为邻频，只间隔1.6MHz，端口隔离度达到27dB，损耗小于2.5dB，同时异频端隔离度高达90dB以上。其结构上，腔体采用双面背靠背结构设计，通路设计上，在减少腔数的前提下，多增加交叉耦合，采用多级交叉耦合级联方式，同时首尾谐振腔采用小腔耦合大腔的结构，使尺寸更小，结构更紧凑，实现小型化。

为了实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种室分系统邻频合路器，包括上腔体与下腔体，所述上腔体内设置有第一通路、第二通路和第三通路；所述下腔体内设置有第四通路、第五通路和第六通路；所述第一通路与第五通路结构相同，所述第一通路与第五通路共用第一输入端，所述第一通路采用七腔加三级交叉耦合结构，包括两个感性交叉耦合和一个容性交叉耦合，其中一个感性交叉耦合外套容性交叉耦合；所述第二通路与第六通路结构相同，所述第二通路与第六通路共用第二输入端，所述第二通路采用八腔加四级交叉耦合结构，包括三个容性交叉耦合和一个感性交叉耦合，其中一个容性交叉耦合外套感性交叉耦合后，再套一容性交叉耦合；所述第三通路采用十腔加两级感性交叉耦合，交叉耦合位置与谐振杆平行； 第三通路谐振杆与与两个感性交叉耦合平行，第三通路末端通过抽头线与ANT输出端相连。

作为优选方案，所述第一通路对应的频率为1920 MHz ～1939MHz，所述第二通路对应的频率为1940.6 MHz ～1980MHz，所述第三通路对应的频率为1710 MHz～1880MHz；所述第四通路对应的频率为800MHz～960MHz，所述第五通路对应的频率为2110MHz～2129MHz，所述第六通路对应的频率为2130.6MHz～2170MHz。

本实用新型的有益效果在于，联通、电信3G系统为邻频，频段间隔1.6MHz，在系统隔离27dB的情况下，损耗才2.5dB，同时对异频段隔离达90dB以上，且满足高低温工作环境要求，比电桥损耗小1dB。在减少通路腔数的前提下多添加交叉耦合，采用多级交叉耦合级联结构，另外，通路首尾谐振腔采用小腔耦合大腔结构，使腔体尺寸更小，结构更紧凑，满足市场对产品小型化的要求。

附图说明

图1为本实用新型的上腔体主视图。

图2为本实用新型的下腔体主视图。

其中，1是腔体；2是第一输入端；3是第二输入端；4是第三输入端；5是第四输入端；6是ANT输出端；7是第三通路谐振杆；8和9是两个交叉耦合器；10是第一通路谐振杆；11和12是两级感性交叉耦合；13是容性交叉耦合；14是第二通路谐振杆；15、16和17是容性交叉耦合；18是感性交叉耦合；19是第一通路和第二通路公共腔。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新作进一步的详细说明。

如图1、图2所示，一种室分系统邻频合路器，包括腔体，谐振杆，盖板，连接器。其特征在于，所述腔体为双面结构，分为上腔体和下腔体，所述上腔体包括三个信号通路，分别为，第一通路、第二通路和第三通路，所述第一通路对应的频率为1920 MHz ～1939MHz，所述第二通路对应的频率为1940.6 MHz ～1980MHz，所述第三通路对应的频率为1710 MHz～1880MHz。

所述第三通路，对应联通4G（FDD-LTE）或者电信的4G（FDD-LTE）频段，第三输入端4通过抽头线连至上腔体内，第三通路内采用十腔加两级感性交叉耦合，交叉耦合位置与谐振杆平行； 第三通路谐振杆7与与两个感性交叉耦合8（9）平行，第三通路末端通过抽头线与ANT输出端6相连。

第一通路和第二通路为邻频，对应电信3G的上行（Rx）和联通3G的上行（Rx），频段间隔1.6MHz，邻频系统隔离度达25dB以上，与第三通路和第四通路系统隔离度在90dB以上，损耗才2.5dB，比同频电桥损耗3.5dB还小1dB。第一输入端2对应上腔体的第一通路，第一通路与下腔体面的第五通路共用一个输入端，均通过抽头线与内腔相连。第一通路采用七腔加三级交叉耦合结构，包括两个感性交叉耦合11（12），容性交叉耦合13，其中感性交叉耦合11外套一容性交叉耦合13。第一通路的首腔为小腔，图1中10为小腔对应的该通路谐振杆，采用小腔耦合大腔的结构，在基本不影响指标的情况下减小腔体体积。

第二输入端3对应第二通路，所述第二通路与下腔体面的第六通路共用一个输入端，均通过抽头线与内腔相连。第二通路采用八腔加四级交叉耦合结构。包括三个容性交叉耦合15（16、17），感性交叉耦合18，其中，容性交叉耦合16外套一感性交叉耦合18，外面再套一容性交叉耦合17，结构上是多级交叉耦合级联，在减少腔数的情况下多用交叉耦合，减小腔体体积。第二通路的首腔为小腔，小腔对应的第二通通路的谐振杆14，第二通路采用小腔耦合大腔的结构。

第一通路和第二通路的末端通过一个共公腔（小腔）耦合，采用小腔耦合大腔的结构合路，经抽头线连至ANT输出端6。由于上述结构的应用，腔体尺寸更小，结构更紧凑，达到小型化的目的。

如图2所示的下腔体，包括三路信号通路，分别为第四通路、第五通路和第六通路，所述第四通路对应的频率为800MHz～960MHz，所述第五通路对应的频率为2110MHz～2129MHz，所述第六通路对应的频率为2130.6MHz～2170MHz，其中第五通路的结构与第一通路的机构相同，第六通路的结构与第二通路的结构相同。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。