本实用新型涉及导电复合膜领域，具体是一种APC金属导电膜配线。
背景技术：
目前国内TP SENSOR工厂普遍采用MOALMO材料制成SENSOR配线，受AL的导电和蚀刻性能限制，一般只能达到0.3-0.4欧姆的方块电阻；并且MOALMO为多层镀膜，因此镀膜效率较慢、同时蚀刻速率也比较慢，一般蚀刻时间需要达到90-120S，生产效率相对比较低；也容易因为各层金属膜层结合不好导致终端产品在一定恶劣条件下出现金属分层、电化学腐蚀等异常，造成产品无法正常使用。因此，可从以下三个层面来对金属导电膜配线生产工艺做出技术革新：
1)镀膜工艺创新
传统的钼铝钼镀膜工艺，需要设置多个靶位，一般为六个靶位，并依次在玻璃基板的一面镀氮化钼层、铝膜层、钼膜层；由于APC靶材为银钯铜合金，为单层膜系，只需镀一层即可，因此在同等方块电阻标准下，APC膜层镀膜所需靶材数量和放电功率较MOALMO大大减少，而溅射效率较MOALMO提升50％左右，同时APC膜层的厚度较MOALMO减小30％左右。
2)蚀刻工艺创新
APC蚀刻速率高，约8-10nm/S，同等蚀刻液生产片数为MOALMO的4倍，极大的提高了生产效率并且降低成本。
3)材料创新
引进日本APC(银钯铜)合金靶材，相比较MOALMO的多层镀膜更具高信赖性，APC镀膜不会在高温高湿、冷热冲击等恶劣应用环境下出现金属分层、电化学腐蚀等异常，从而造成后续终端产品无法正常使用的现象，耐久性能更佳；并且同等方块下电阻更低，导线性能更好，APC金属导电膜配线方块电阻为：＜0.2Ω/口；相比较钼铝钼金属导电膜配线的方块电阻为0.3-0.4Ω/口。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种APC金属导电膜配线，以解决现有技术中钼铝钼镀膜导电性能不高、可靠性不佳及无法实现高效率生产的不足。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种APC金属导电膜配线，包括APC金属导电膜、第一ITO导电膜、基板和第二ITO导电膜，其特征在于，所述第一ITO导电膜、第二ITO导电膜分别附着于基板的两侧，所述APC金属导电膜附着于第一ITO导电膜。
作为本实用新型的进一步方案：所述APC金属导电膜的厚度为15nm-25nm。
作为本实用新型的进一步方案：所述第一ITO导电膜的厚度为20nm-35nm。
作为本实用新型的进一步方案：所述第二ITO导电膜的厚度为20nm-30nm。
作为本实用新型的进一步方案：所述基板为玻璃基板。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1)高导电性，APC合金靶材中银材料的导电系数比铝要大，电阻更低；2)高信赖性，APC镀膜采用银钯铜合金材料，只需一次成膜，而钼铝钼镀膜需多次成膜，同时铝材料缺乏稳定性，容易产生电子迁移、腐蚀等现象，而APC镀膜不会在恶劣条件下出现金属分层、电化学腐蚀等异常造成产品无法正常使用的现象，非常适合需要具备高可靠性、长寿命等用途的高端电子产品。3)高效率生产，由于MOALMO为多层镀膜，镀膜效率较慢，同时蚀刻速率也较慢，一般蚀刻时间需要达到90-120S，生产效率相对比较低，而APC镀膜采用合金靶材只需一次成膜，蚀刻时间也仅为35S左右，极大地提升了生产速度，实现产能的提升。
附图说明
图1为APC金属导电膜配线的结构示意图；
图中：1-APC金属导电膜、2-第一ITO导电膜、3-基板、4-第二ITO导电膜。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
请参阅图1，一种APC金属导电膜配线，包括APC金属导电膜1、第一ITO导电膜2、基板3和第二ITO导电膜4，所述第一ITO导电膜2、第二ITO导电膜4分别附着于基板3的两侧，所述APC金属导电膜附着于第一ITO导电膜2；所述APC金属导电膜1的厚度为15nm-25nm；所述第一ITO导电膜2的厚度为20nm-35nm；所述第二ITO导电膜4的厚度为20nm-30nm；所述基板3采用玻璃制成。
具体的，本APC金属导电膜配线的制作过程为：提供基板3并对所述基板3进行预处理；在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基板3的两侧分别沉积第一ITO导电膜2和第二ITO导电膜4，经过黄光蚀刻形成配线，并在第一ITO导电膜层上镀APC金属导电膜，再经黄光蚀刻形成配线，其中，磁控反应溅射的靶材分别为氧化铟锡和银钯铜合金，工作气体为氩气，反应气体为氧气。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。