一种锑化铟太赫兹探测器的制作方法

文档序号:12715252阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种锑化铟太赫兹探测器,包括高阻硅超半球镜(1)、衬底(2)、锑化铟敏感元(10)、表面钝化膜层(11)、天线电极(7)、反射介质层(8)和铬金金属层(12),其特征在于探测器结构如下:

所述的高阻硅超半球镜(1)中心下方依次为环氧树脂胶(3)与衬底(2),其两侧的硅镜表面粘贴有金属转接片(4),在衬底(2)中心的下方,依次为锑化铟敏感元(10),表面钝化膜层(11),反射介质层(8),铬金金属层(12);在衬底(2)表面敏感元(10)左右两侧,制作有天线电极(7),分别与锑化铟敏感元(10)两侧相连,天线电极(7)通过金线(9)与两侧金属转接片(4)相连,金属转接片(4)下方通过导电硅脂(5)与器件管座(6)引脚相连,管座(6)上方粘接的树脂垫片(13)实现对高阻硅超半球镜(1)的机械支撑;所述的衬底(2)为氧化铝白宝石片,厚度为0.25mm,尺寸为1.4mm×4.2mm;所述的锑化铟敏感元(10)厚度8-11μm,电极间距为15-90μm;所述的天线电极(7)为总长0.45-0.90mm的蝶形天线电极,或总长0.6-0.9mm的对数螺旋天线电极;所述的反射介质层(8)为厚度0.54mm,尺寸1.5mm×3mm的SiO2片,或厚度0.31mm,尺寸1.5mm×3mm的高阻硅片。

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