1.一种锑化铟太赫兹探测器，包括高阻硅超半球镜(1)、衬底(2)、锑化铟敏感元(10)、表面钝化膜层(11)、天线电极(7)、反射介质层(8)和铬金金属层(12)，其特征在于探测器结构如下：
所述的高阻硅超半球镜(1)中心下方依次为环氧树脂胶(3)与衬底(2)，其两侧的硅镜表面粘贴有金属转接片(4)，在衬底(2)中心的下方，依次为锑化铟敏感元(10)，表面钝化膜层(11)，反射介质层(8)，铬金金属层(12)；在衬底(2)表面敏感元(10)左右两侧，制作有天线电极(7)，分别与锑化铟敏感元(10)两侧相连，天线电极(7)通过金线(9)与两侧金属转接片(4)相连，金属转接片(4)下方通过导电硅脂(5)与器件管座(6)引脚相连，管座(6)上方粘接的树脂垫片(13)实现对高阻硅超半球镜(1)的机械支撑；所述的衬底(2)为氧化铝白宝石片，厚度为0.25mm，尺寸为1.4mm×4.2mm；所述的锑化铟敏感元(10)厚度8-11μm，电极间距为15-90μm；所述的天线电极(7)为总长0.45-0.90mm的蝶形天线电极，或总长0.6-0.9mm的对数螺旋天线电极；所述的反射介质层(8)为厚度0.54mm，尺寸1.5mm×3mm的SiO2片，或厚度0.31mm，尺寸1.5mm×3mm的高阻硅片。