本发明涉及一种包括光电子半导体芯片和包括加强结构的引线框的光电子组件，并且涉及一种用于生产光电子组件的方法。
本专利申请要求德国专利申请10 2015 116 855.3 的优先权，其公开内容被通过引用合并于此。
包括各种各样的壳体的光电子组件是从现有技术已知的。在此针对特定的应用目的对壳体进行优化。改变的要求一般需要重新开发光电子组件的壳体。
本发明的目的是提供一种改进的光电子组件以及用于生产光电子组件的改进的方法。
该目的是借助包括权利要求1的特征的光电子组件以及借助包括权利要求15特征的用于生产光电子组件的方法来实现的。
所提出的光电子组件包括在其上应用了光电子半导体芯片的引线框区段。引线框区段包括加强结构。引线框区段、加强结构和半导体芯片被嵌入在电绝缘壳体中。作为提供加强结构的结果，实现了壳体中的引线框区段的稳定锚固。
在一个实施例中，加强结构被连接到进一步的引线框区段。在进一步的引线框区段上，优选地在进一步的引线框区段的顶侧上布置传导元件。该进一步的引线框区段以及，取决于所选取的实施例，该传导元件同样地嵌入在壳体中。作为提供进一步的引线框区段的结果，实现在壳体中的半导体芯片的更好的机械固定。此外，经由进一步的引线框区段针对半导体芯片的电接触存在增加的灵活性。
为此，导电的传导元件可以被布置在进一步的引线框区段上。取决于所选取的实施例，半导体芯片恰好邻接壳体的顶侧。因此，可能的是以简单的方式实现半导体芯片在壳体的顶侧上的电接触。此外，传导元件同样地恰好邻接壳体的顶侧。因此，传导元件也可以以简单的方式被经由壳体的顶侧电接触。
取决于所选取的实施例，加强结构和/或传导元件可以与进一步的引线框区段分离。进一步的引线框区段的电绝缘是以这种方式实现的。此外，以这种方式，可能的是不依赖于对引线框区段的电接触而将进一步的引线框区段和进一步的引线框区段的传导元件用于电线路。作为结果实现了增加的灵活性。该优点在壳体中的多个引线框区段的情况和/或在多个加强结构和进一步的引线框区段的情况下和/或在壳体中的多个光电子组件的情况下是特别有利的。
在一个实施例中，引线框区段包括第二加强结构，该第二加强结构连接到至少一个第二进一步的引线框区段。第二传导元件可以被提供在第二进一步的引线框区段上，所述第二传导元件被布置在第二引线框区段的顶侧上。第二加强结构与第二进一步的引线框区段和第二传导元件一起被嵌入在壳体中。以这种方式，使得在壳体中在电接触方面和在电流承载方面的增加的灵活性是可能的。
取决于所选取的实施例，第二进一步的引线框区段可以与第二加强结构分离。以这种方式提供第二进一步的引线框区段的电绝缘。因此，存在在针对电流承载使用第二进一步的引线框区段方面的增加的灵活性。
取决于所选取的实施例，第一加强结构和第二加强结构和第一进一步的引线框区段和第二进一步的引线框区段可以被布置在引线框区段的相对的侧上。在进一步的实施例中，电线路被应用在壳体的顶侧上，其中，电线路被通过至少一个半导体芯片的顶侧电接触。以此方式，实现对半导体芯片的端子的简单和可靠的电接触。
在进一步的实施例中，电线路与传导元件的至少顶侧电接触。以这种方式，可能的是经由传导元件和经由第一和/或第二引线框区段实现对半导体芯片的第二端子的简单的电接触。
在进一步的实施例中，第二半导体芯片被布置在引线框区段上。第二半导体芯片可以以与第一半导体芯片相同的方式电连接到电线路和/或传导元件。取决于实施例，对于多于两个的半导体芯片而言还可能的是被布置在引线框区段上。
在一个实施例中，加强结构的几何形状被选取为至少在一个维度上小于引线框区段的几何形状。通过示例的方式，加强结构可以包括比引线框区段更小的厚度和/或更小的宽度。取决于所选取的实施例，加强结构和引线框区段被以整体方式配置。以类似的方式，第二加强结构也可以包括比引线框区段更小的厚度和/或更小的宽度。
在进一步的实施例中，提供了第二壳体，其包括电传导结构。第二壳体被连接到壳体，其中第二壳体的传导结构被导电连接到壳体的至少一个半导体芯片。第二壳体的使用提供了在用于接触组件的电线路的配置和路由方面的增加的灵活性。第二壳体的使用在包括多个传导区段和/或包括多个半导体芯片的组件的情况下是特别有利的。
在一个实施例中，组件包括如下的半导体芯片：该半导体芯片包括被布置在半导体芯片的下侧上的两个电端子。第一电端子被布置在第一引线框区段上并且被导电连接到第一引线框区段。第二电端子被布置在组件的进一步的引线框区段上并且被导电连接到进一步的引线框区段上。因此，可能的是将半导体芯片使用于在相对的侧上或者在共同的侧上包括电端子的组件。
在一个实施例中，提供至少一个第二半导体芯片，其中第二半导体芯片包括在下侧上的两个电端子。第一电端子被布置在第一引线框区段上并且被导电连接到第一引线框区段。第二电端子被布置在进一步的引线框区段上并且被导电连接到进一步的引线框区段。
一种简单的并且成本有效的用于生产包括至少一个光电子半导体芯片的光电子组件的方法是凭借如下事实实现的：提供了包括经由连接结构彼此连接的多个引线框区段的引线框。至少一个半导体芯片被应用在至少一个引线框上。此后，具有半导体芯片的引线框被嵌入到电绝缘壳体中。然后具有半导体芯片的引线框区段和至少一个加强结构被与引线框的其余部分分离，并且因此获得光电子组件。
在方法的一个实施例中，引线框区段和进一步的引线框区段之间的电连接可以在引线框区段与引线框分离之前或之后被中断。进一步的引线框区段与引线框区段的电绝缘是以这种方式提供。作为结果，可能的是不依赖于第一引线框区段将进一步的引线框区用于电线路路由。
在一个实施例中，在其上布置有半导体芯片的第一引线框区段是并且被经由第一加强结构连接到进一步的引线框区段。进一步的引线框区段增加了半导体芯片在壳体中的机械固定。而且，进一步的引线框区段可以被用于高效的电线路路由。为此，进一步的引线框区段可以被提供有传导元件，该传导元件被引导一直到壳体的顶侧。因此，半导体芯片的后侧的电接触可以是经由传导元件和壳体的顶侧实现的。
取决于所选取的实施例，通过示例的方式，在提供连接到第一引线框区段的多个加强结构时，第一引线框区段可以与至少一个进一步的引线框区段电隔离。在进一步的引线框区段和第一引线框区段之间的导电连接可以在组件的单体化之前或者在组件的单体化之后被中断。
在进一步的实施例中，在分离组件的处理期间，进一步的引线框区段和传导元件被划分成至少两个，特别是被划分成四个进一步的引线框区段和划分成四个传导元件。以这种方式，简化了多个传导元件以及多个进一步的引线框区段的生产。
与关联于附图更详细地解释的以下的对示例性实施例的描述相关联，上面描述的本发明的性质、特征和优点以其中实现它们的方式将变得更清楚并且被更清楚地理解。在此在每种情况下在示意性的图示中：
图 1示出来自包括多个引线框区段和连接结构的引线框的示意性的部分部段；
图2示出包括连接结构的引线框区段以及组件的进一步的引线框区段的透视图；
图3示出在将半导体芯片安装在引线框区段上并且将传导元件安装在进一步的引线框区段之后来自引线框的部分部段的示意性图示；
图4示出在嵌入到壳体中之后的组件的如下各项的透视图示：引线框区段；连接结构；进一步的引线框区段；半导体芯片；以及传导元件；
图5从上方示出图 4的示意性视图；
图6从下方示出图4的示意性视图；
图7示出来自在后侧处观看的引线框的部分部段的透视视图，其中连接结构被从进一步的引线框区段分离；
图8示出在顶侧处观看的引线框的示意性图示，其中半导体芯片经由电线路与传导元件接触；
图9示出引线框的进一步的实施例的透视视图，其中进一步的引线框区段和传导元件已经被省去；
图10以示意性的图示示出在没有线路的情况下的来自图9的部分部段的视图；
图11示出来自图10的布置的下侧；
图12以透视视图示出来自图10的布置；
图13以示意性的图示在部分透明的图示中示出具有半导体芯片、接触焊盘、传导元件和线路的引线框的顶侧；
图14示出通过来自图13的布置的横截面；
图15示出组件的示意性的分解图示；
图16从下方示出来自图15的组件的示意性的分解图示；
图17示出组件的进一步的实施例的示意性的分解图示；
图18从下方示出来自图17的组件的平面图；
图19示出包括多个组件的布置的示意性的分解图示；和
图20从下方示出来自图19的布置的平面图。
图 1以示意性的图示示出来自包括被平行布置的条带3的引线框1的部段，其中在每种情况下在两个条带3之间布置有一系列的接触焊盘4。在每种情况下连接网5被提供在两个接触焊盘4之间，所述连接网将两个相邻的条带3彼此连接。每个连接网5附加地通过两个进一步的连接网6，7连接到一系列的相对的接触焊盘4。
在所图示的实施例中，接触焊盘4被以方形方式配置。在所图示的实施例中，接触焊盘4包括近似为网3的宽度的量值的两倍的宽度。在所图示的实施例中，连接网5包括比条带3更小的宽度和/或更小的高度。在所图示的实施例中，接触焊盘4包括与条带3 的高度相同的高度。取决于所选取的实施例，接触焊盘4的高度还可以与条带3的高度偏离。此外，条带3的几何形状和接触焊盘4的几何形状的比率也可以被不同地选取。引线框1包括导电材料（例如铜），或者由导电材料（例如铜）形成。此外，取决于所选取的实施例，接触焊盘的布置、连接网的布置、以及进一步的连接网的布置也可以被不同地布置。
图2以示意性的图示示出引线框 1的部段8，该部段例如用于形成组件。部段8包括第一引线框区段9，其由条带3的部段形成。此外，部段8在每种情况下包括第一和第二部段10，11，其构成两个连接网5的部分。更进一步地，部段8包括进一步的连接网6，7的第一和第二部段12，13。更进一步地，部段8包括四个接触焊盘4的四个部段14到17。在部段8的所图示的实施例中，接触焊盘4中的每个在分离引线框1的处理期间被划分为四个部段14，15，16，17。连接网的部段10，11和进一步的连接网的部段12，13构成加强结构。接触焊盘4的部段14，15，16，17构成进一步的引线框区段，其同样构成加强结构。
图 3以示意性的透视图示示出来自引线框1的部段，其中在每种情况下将三个半导体芯片18，19，20布置在两个接触焊盘4之间的条带3上。此外，传导元件21被居中地布置在每个接触焊盘4上。传导元件21包括例如与半导体芯片18，19，20相同的高度。取决于所选取的实施例，还可能的是在两个接触焊盘4之间的条带区段上布置更多或更少的半导体芯片。此外，取决于所选取的实施例，在接触焊盘4上，对于多个传导元件21而言还可能的是被布置在例如四个角落区域中。
如在图3中图示那样，在安装半导体芯片18，19，20和传导元件21之后，引线框1如在图4中的部段中所图示那样被嵌入到壳体材料26中。
图4以透视图示示出已经被从来自图3的引线框切割出的部段8，其中图示了三个半导体芯片18，19，20和四个相邻的接触焊盘4的传导元件21的部段22，23，24，25。传导元件21的部段22，23，24，25中的每个在每种情况下通过其自身构成传导元件。图4中的布置可以被用于形成组件。
半导体芯片18，19，20构成光电子半导体芯片，其是例如以发光二极管芯片（LED芯片）的形式或者以例如光电二极管芯片的光吸收半导体芯片的形式配置的。半导体芯片18，19，20可以被相同地或者不同地配置。取决于所选取的实施例，发光二极管芯片和光电二极管芯片可以被布置在引线框区段9上。发光二极管芯片可以被配置为发射任意波长的电磁辐射。此外，被配置用于发射包括不同的波长的电磁辐射的发光二极管芯片可以被布置在引线框区段9上。通过示例的方式，引线框区段9可以包括：包括蓝光的发光二极管芯片；包括红光的发光二极管芯片；和包括绿光的发光二极管芯片。
半导体芯片18，19，20包括例如在下侧上的连接到引线框区段9的第一电端子。此外，半导体芯片18，19，20包括在顶侧上的被相对于下侧相对地布置的第二电端子。传导元件21由导电材料形成或者包括导电材料。
壳体材料26由电绝缘材料形成。壳体材料可以包括例如如下材料中的一种或多种或者由例如如下材料中的一种或多种构成：硅树脂、环氧物、聚邻苯二甲酰胺、聚对苯二甲酸环己二甲醇酯（PCT）、塑料材料、环氧树脂、粘合剂或某些其它模制材料（模材料）。壳体材料26可以例如借助于模制方法（模方法）应用到引线框1上。特别地，可以使用挤压模制或转印模制，特别是膜辅助转印模制。嵌入到壳体材料26中的引线框 1是在这种情况下获得的。
取决于所选取的实施例，可能的是防止引线框区段9和传导元件22，23，24，25 之间的导电连接。在这种情况下，连接网的部段10，11的部分区段27可以例如被从后侧被去除。
图5从上方示出来自图4的部分部段的视图。图6从下方示出来自图4的布置的视图。取决于所选取的实施例，引线框区段可以包括更多或更少的传导元件和/或半导体芯片。
图7从嵌入到壳体材料26中的引线框1的后侧示出部分部段，其中连接网的部段10，11与接触焊盘的部分14，15，16，17之间的导电连接被中断。湿法化学或干法化学蚀刻方法可以被用于从连接网的部段10，11去除部段27。图7示出引线框的部段8，该部段被嵌入到壳体材料26中。取决于所选取的实施例，接触焊盘的不同部段可以通过被去除的连接网5的部段27与引线框区段9电绝缘。作为结果，接触焊盘4的部段14至17以及连接到其的传导元件22，23，24，25被与引线框9分离。取决于所选取的实施例，接触焊盘4的各单独的部段14，15，16，17及其传导元件22，23，24，25也可以保持电连接到引线框9。特别地在组件包括多个部段8的情况下，可以提供接触焊盘的导电连接的并且电绝缘的部段的多种多样的配置。
图 8从根据图4的嵌入到壳体材料26中的引线框1的顶侧示出部分部段的视图。在由固化的壳体材料26形成的壳体28的顶侧上，电线路29，30，31被应用到壳体28的顶侧上。在所图示的实施例中，线路29，30，31被垂直于条带3布置，其中条带3是以虚线方式图示的。半导体芯片18，19，20和传导元件21被引导一直到壳体材料26的顶侧。此外，线路29，30，31中的每个在每种情况下被导电连接到条带3的半导体芯片。为此，线路29，30，31在每种情况下被电连接到半导体芯片18，19，20顶侧的电端子。此外，三个线路29，30，31被导电连接到三个不同的传导元件。第一线路29被导电连接到第一传导元件32。第二中间电线路30被导电连接到第二传导元件33。第三电线路31被导电连接到第三传导元件34。借助于电线路29，30，31，电端子被从半导体芯片18，19，20的顶侧经由电线路29，30，31和电传导元件32，33，34引到引线框1的壳体28的后侧上。壳体28包括这些线路布置——其在每种情况下包括被彼此并排布置的三个平行线路29，30，31——的多重化。电线路29，30，31的布置类型和对引线框1的半导体芯片18，19，20的连接可以是取决于组件的构造而被不同地选取的。
图 9以示意性图示示出由彼此平行布置的条带3构成的引线框1的配置，其中条带3经由连接网5彼此连接。在该实施例中，没有接触焊盘被布置在条带3之间。半导体芯片18，19，20被布置到条带3上。电线路29，30，31已经被图示在图9的左手侧上。电线路被垂直于条带3布置。此外，每个电线路29，30，31在每种情况下被连接到条带3的半导体芯片。引线框1也嵌入到壳体材料26中，壳体材料26在图9中的图示中被以透明方式图示。来自图9中的布置的部分部段可以被借助于对应的单体化步骤分离，其中，在该实施例中，电线路29，30，31的电接触是经由进一步的组件部分（未图示）实现的。
图10示出在应用电线路之前的来自图9中的布置的部分部段。该部段包括条带3的部分、三个半导体芯片18，19，20和连接网的部段10，11。
图11从下方示出来自图10的部段的视图。
图12示出来自图10的部段的透视图示，其中壳体材料26是以透明方式图示的。在所图示的实施例中，条带3包括横向阶梯轮廓，其使得能够进行在壳体材料26中的更好地粘合。此外，清楚地可辨识的是，部段10，11包括比条带3更小的高度和更小的宽度。在图10至图12中所图示的实施例可以在被对应地提供有电线路之后作为光电子组件来操作。在图10至图12中图示的条带3的部段构成引线框区段9。
图13以放大的图示示出在已经应用电线路之后来自图4的布置，其中在图13的右手区域中以透明方式图示壳体28。此外，示意性地图示切割边沿35，其表示用于稍后的光电子组件的部段。
图 14示出通过来自图13的布置的横截面。在这种情况下，壳体28被以透明方式图示在大的区域中。
图 15以部分透明的透视图示示出包括3×3部段8的光电子组件44。电线路未被图示在所选取的图示中。此外，图15示出其中已经省去了接触焊盘和传导元件的配置的配置形式。取决于所选取的实施例，光电子组件还可以包括接触焊盘和传导元件，如例如在图7中或在图13中图示的那样。第二壳体36被布置在组件44的下侧上。第二壳体36包括传导结构37，其被嵌入到电绝缘壳体材料26中。传导结构37在预先限定的接触位置38处邻接第二壳体36的顶侧。因此，可以经由所述接触位置38实现与组件的引线框区段9的下侧的导电接触。此外，在所图示的实施例中传导结构37包括彼此平行地布置的多个进一步的线路40，41，42，43。进一步的线路可以包括不同的宽度和/或厚度。此外，进一步的线路40，41，42，43 也可以部分地彼此连接。在所有实施例中，第二壳体36也可以与壳体28整体地配置。
图16以透视的并且部分透明的图示示出来自图15的布置，其中在第二壳体36的下侧上，传导结构37在第二接触位置39处相接于第二壳体36的下侧。以此方式，可能的是实现传导结构37的从第二壳体36的下侧的电接触。不使用接触焊盘的组件的实施例使得能够进行半导体芯片的布置的进一步的小型化。取决于所选取的实施例，还可以在第二壳体36中布置电子电路和/或光电子半导体芯片。第二壳体36可以包括例如：驱动器芯片；传感器芯片，特别是例如温度传感器芯片；亮度传感器芯片；色彩传感器芯片；存储器芯片，特别是例如只读存储器芯片或可重写存储器芯片，或者ESD保护芯片。
取决于所选取的实施例，替代具有用于组件44的半导体芯片18，19，20的想要的电布线的传导结构37的第二壳体36，包括导电的和电绝缘的层的对应的层结构可以被应用在组件44的下侧上。也可以以这种方式实现想要的布线。
层结构包括传导结构，该传导结构包括在顶侧侧处和在下侧处的预先限定的接触位置。因此，可以经由在顶侧处的接触位置实现与组件的引线框区段9的下侧的导电接触。在下侧处的接触位置用于组件的电接触。
为此，通过示例的方式，在组件44的后侧上应用整体区域第一金属化层，其中，第一金属化层是根据想要的电线路路由而结构化的，并且包括接触位置。然后在结构化的第一金属化层上应用整体区域第一钝化层。然后对第一钝化层进行结构化。更进一步地，可以在结构化的第一钝化层上应用整体区域第二金属化层。对第二金属化层进行结构化并且在结构化的第二金属化层上应用整体区域第二钝化层。第二钝化层可以然后进而被结构化等。在层结构的下侧上，借助于金属化层形成下侧的接触位置。可以借助于所述层结构实现用于半导体芯片的多种多样的电线路连接。
此外，电子电路和/或光电子半导体芯片也可以被布置成层结构。层结构可以包括例如：驱动器芯片；传感器芯片，特别是温度传感器芯片；亮度传感器芯片；色彩传感器芯片；存储器芯片，特别是只读存储器芯片或可重写存储器芯片，或ESD保护芯片。
图17示出光电子组件44的进一步的实施例，光电子组件44包括壳体28，壳体28包括三个半导体芯片18，19，20，其在该示例中均包括在下侧上的两个电端子49，50。电端子49，50被借助于虚线示意性地图示。半导体芯片18，19，20的两个电端子49，50分别连接到两个不同的引线框区段9，45，46，47。在所示出的示例中，半导体芯片18，19，20的第二电端子50在每种情况下被连接到引线框区段9。半导体芯片18，19，20 的第一端子49连接到不同的进一步的第二、第三和第四引线框区段45，46，47。以这种方式，每个进一步的引线框区段45, 46 , 47可以被连接到不同的电位，并且不依赖于其它的引线框区段45, 46, 47而被供能。
通过示例的方式，引线框区段9可以被连接到地电位。进一步的引线框区段45，46，47可以被连接至不同的或相同的正电压电位。引线框区段9，45，36，47，48可以在分离连接网5，51之前已经初始地被经由连接网5和进一步的连接网51以引线框的形式彼此整体地配置。分离的区段52，53被示意性地图示为环状。通过示例的方式，分离的区段52，53可以借助于冲压工具或者借助于激光或者借助于蚀刻方法被引入到连接网5，51中。
取决于所选取的实施例，半导体芯片18，19，20的第一端子49也可以仅被布置在第二引线框区段45上，并且被导电连接到第二引线框区段45。在本实施例中，对于各个半导体芯片18，19，20而言被分离地驱动是不可能的。
引线框区段9，45，46，47，48的每个可以包括采用连接网5，51的部段的形式的加强结构。引线框区段9，45，46，47，48，加强结构5，51和半导体芯片18，19，20被嵌入到壳体材料26中。壳体材料26是以透明方式被图示的并且形成壳体28。壳体材料26包括关于先前的示例所解释的性质。壳体材料26可以是对于电磁辐射透明的。此外，半导体芯片的顶侧和引线框区段9，45，46，47，48的下侧可以没有壳体材料。
半导体芯片18，19，20 构成如下的光电子半导体芯片：其是例如以例如发光二极管芯片（LED芯片）形式或以例如光电二极管芯片的光吸收半导体芯片的形式配置的。半导体芯片18，19，20可以被相同地或不同地配置。取决于所选取的实施例，发光二极管芯片和光电二极管芯片可以被布置在引线框区段9上。发光二极管芯片可以被配置为发射任意波长的电磁辐射。此外，在组件中可以布置多于三个的或少于三个的半导体芯片。特别是，被配置为发射包括不同波长的电磁辐射的发光二极管芯片18，19，20可以被布置在组件中。通过示例的方式，组件可以包括：包括蓝光的发光二极管芯片；包括红光的发光二极管芯片；和包括绿光的发光二极管芯片。
图18示出来自图17的组件44的下侧。半导体芯片18，19，20的电端子49，50（不可见）再次由虚线描绘。电接触可以是经由引线框区段9，45，46，47的下侧直接实现的，或者还可以提供根据图15和图16的包括重新分布布线的第二壳体。第二壳体包括嵌入到电绝缘壳体材料中的传导结构。传导结构在预先限定的接触位置处邻接第二壳体的顶侧。因此，可以经由所述接触位置实现与组件44的引线框区段9，45，46，47的下侧的导电接触。此外，传导结构包括例如彼此平行地布置的多个进一步的线路。进一步的线路可以包括不同的宽度和/或厚度。此外，进一步的线路也可以部分地彼此连接。
取决于所选取的实施例，电子电路和/或光电子半导体芯片也可以被布置在第二壳体中。第二壳体可以包括例如：驱动器芯片；传感器芯片，特别是例如温度传感器芯片；亮度传感器芯片；色彩传感器芯片；存储器芯片，特别是例如只读存储器芯片或可重写存储器芯片，或ESD保护芯片。
取决于所选取的实施例，替代具有用于组件44的半导体芯片18，19，20的想要的电接触/布线的传导结构的第二壳体，包括导电的和电绝缘的层的对应的层结构可以被应用在组件44的下侧上。也可以以这种方式实现想要的布线。为此，通过示例的方式，在组件44的后侧上应用整体区域第一金属化层，其中，第一金属化层是根据想要的电线路路由而结构化的。然后在结构化的第一金属化层上应用整体区域第一钝化层。然后可以执行第一钝化层结构化。更进一步地，可以在结构化的第一钝化层上应用整体区域第二金属化层。对第二金属化层进行结构化并且在结构化的第二金属化层上应用整体区域第二钝化层。第二钝化层可以然后进而被结构化等。可以借助于所述层结构实现用于半导体芯片的多种多样的电线路连接。
取决于所选取的实施例，电子电路和/或光电子半导体芯片也可以被布置成层结构。层结构可以包括例如：驱动器芯片；传感器芯片，特别是例如温度传感器芯片；亮度传感器芯片；色彩传感器芯片；存储器芯片，特别是例如只读存储器芯片或可重写存储器芯片，或ESD保护芯片。
图19示出包括引线框1的布置，引线框1包括引线框区段9，45，46，47，48，其中光电子半导体芯片18，19，20被布置在引线框区段上，并且半导体芯片上和引线框区段被嵌入到壳体材料26中。半导体芯片18，19，20的顶侧可以没有壳体材料26。同样地，引线框区段9，45，46，47，48的下侧可以没有壳体材料26。如在图17和图18中图示那样，引线框1尚未被划分成单独的组件44。然而，各个引线框区段9，45，46，47，48已经被经由分离区段52，53彼此分离。
图 20示出来自图19的布置的下侧。
光电子组件可以例如被配置为用于表面安装的SMT组件。可以借助所描述的方法提供QFN模块。光电子组件因此可以是以QFN设计生产的，其中引线框的部分被用作壳体中的加固和稳固结构。传导元件构成电镀通孔。取决于所选取的实施例，传导元件也可以在壳体已经被形成之后引入到壳体中。取决于所选取的实施例，各种部分区段可以与引线框分离。将根据所使用的半导体芯片和组件的半导体芯片的数量来实现借助于线路的电接触。光电子组件可以被用于例如实现视频墙或视频屏幕。视频墙可以由大量光电子组件构成。光电子组件可以包括具有半导体芯片的引线框区段的例如3×3或6×6或9×9等的布置。
所描述的光电子组件和所描述的方法使得可能构造如下的光电子组件：所述光电子组件包括高封装密度的光电子半导体芯片，其包括用于驱动半导体芯片的对应的电接触。此外，提供包括加强结构的半导体芯片，以使得非常薄的引线框和薄的壳体可以被用于组件的配置。
虽然已经借助于优选的示例性实施例详细地更具体地图示并描述了本发明，然而，本发明不受所公开的示例约束，并且在不脱离本发明的保护范围的情况下，本领域技术人员可以从中得到其它的变化。
参考标记列表
1 引线框
3 条带
4 接触焊盘
5 连接网
6 第一进一步的连接网
7 第二进一步的连接网
8 部段
9 引线框区段
10 第一部段连接网
11 第二部段连接网
12 第一部段进一步的连接网
13 第二部段进一步的连接网
14 第一部段接触焊盘
15第二部段接触焊盘
16第三部段接触焊盘
17 第四部段接触焊盘
18 第一半导体芯片
19 第二半导体芯片
20 第三半导体芯片
21 传导元件
22 第一部段传导元件
23第二部段传导元件
24 第三部段传导元件
25 第四部段传导元件
26 壳体材料
27 区段
28 壳体
29 第一线路
30 第二线路
31 第三线路
32 第一传导元件
33 第二传导元件
34 第三传导元件
35 切割边沿
36 第二壳体
37传导结构
38 接触位置
39 第二接触位置
40 第一进一步的线路
41 第二进一步的线路
42 第三进一步的线路
43 第四进一步的线路
44 组件
45 第二引线框区段
46 第三引线框区段
47 第四引线框区段
48 第五引线框区段
49 第一电端子
50 第二电端子
51 进一步的连接网
52 第一分离区段
53 第二分离区段。