技术特征：
技术总结
一种半导体模块（10）包括：衬底板（14）；半导体开关芯片（22a）和二极管芯片（24a），附连到衬底板（14）上的集电极导体（16），其中二极管芯片（24a）反并联电连接到半导体开关芯片（22a）；其中半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）电连接到衬底板（14）上的发射极导体（18），从而提供第一发射极电流路径（50a），该发射极导体（18）相对于二极管芯片（24a）与半导体开关芯片（22a）相对地布置；其中半导体开关芯片（22a）的栅电极（40a）经由接合线（28）电连接到衬底板（14）上的栅极导体（20），从而提供栅极电流路径（54a），该栅极导体（18）相对于二极管芯片（24a）与半导体开关芯片（22a）相对地布置；以及其中发射极导体（18）的突出区域（44）在二极管芯片（24a）旁边朝第一半导体开关芯片（22a）延伸，并且第一半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）与突出区域（44）直接连接，从而提供至少部分沿栅极电流路径（54a）延伸的附加发射极电流路径（52）。半导体开关芯片（22a）是第一半导体开关芯片，以及二极管芯片（24a）是第一二极管芯片，其布置在第一行（42a）中。半导体模块（10）还包括第二行（42b）的附连到集电极导体（16）的第二二极管芯片（24a、24b）和第二半导体开关芯片（22b），其中每个行的二极管芯片（24a、24b）反并联电连接到相同行的半导体开关芯片（22a、22b），以及第一和第二行（42a、42b）并联电连接。第一半导体开关芯片（22a）布置在第二二极管芯片（24b）旁边，以及第二半导体芯片（22b）布置在第一二极管芯片（24a）旁边。
技术研发人员：S.哈特曼恩;U.施拉普巴奇
受保护的技术使用者：ABB瑞士股份有限公司
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2018.08.31