小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器的制作方法

本发明属于纳米科学与技术领域、显示技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面场发射发光显示器的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面场发射发光显示器的制作，特别涉及到一种小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的发光显示器。

背景技术：

碳纳米管是一种具有独特属性的半导体材料，且已经被成功制作成了场发射发光显示器的冷阴极。仅依靠外界强大电场强度的作用，碳纳米管就能够发射出大量电子，这也就形成了场发射发光显示器的工作电流。碳纳米管材料在制作工艺、制作设备等方面取得了长足的进展，这也使得场发射发光显示器的研究得到了极大加速。在三极结构的场发射发光显示器中，只是在阳极和阴极之间添加了一个门极，从而形成了具有三个电极的显示器。由于门极和阴极之间的距离很近，故而较小的门极电压就能够达到碳纳米管进行场电子发射所需的电场强度，这样就大幅度降低了场发射发光显示器的工作电压，也减小了场发射发光显示器的功率损耗。但是，正是由于门极结构的加入，使得场发射发光显示器的制作变得有些复杂，也存在着很多技术难题急需解决。例如，第一，阴极-门极的集成化制作。由于阴极和门极的距离非常近，故而这两种结构在制作过程中，其制作工艺会相互产生影响；略有不慎，就有可能导致碳纳米管阴极无法设法电子，这也就使得场发射发光显示器彻底失效。目前的阴极-门极结构分别制作，该制作模式的缺陷是显而易见的。第二，碳纳米管层的制作问题。由于碳纳米管层的不良结构，导致在门极电压的作用下，根本就无法形成碳纳米管进行场电子发射所必需的临界值，自然而然也就不会有场发射发光显示器电流了；由于碳纳米管层的不良制作，导致并不是所有的碳纳米管都在进行场电子发射，有的碳纳米管所发射的电子数量很少，更有的碳纳米管根本就没有进行场电子发射；由于碳纳米管层的制备面积很小，导致没有足够数量的碳纳米管进行场电子发射，也就无法形成大的场发射发光显示器的工作电流。第三，门极结构问题。当施加上门极电压后，碳纳米管层无法进行电子发射，或者碳纳米管所发射电子的数量并不随门极工作电压的变化而变化，这说明门极结构是不是很合适的。另外，在场发射发光显示器的制作过程中，应想尽办法降低场发射发光显示器的制作费用。

技术实现要素：

发明目的：为了克服现有技术中存在的缺陷和不足，本发明提供一种制作工艺可靠的、发光灰度可调节性能优异的、阳极电流大的、发光亮度高的带有小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的发光显示器。

技术方案：为解决上述技术问题，本发明提供的小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器，包括由上抗压平严闭板、下抗压平严闭板和透明玻璃框所构成的真空室；在上抗压平严闭板上有阳极低阻高透光膜层、与阳极低阻高透光膜层相连的阳极扩张银条层以及制备在阳极低阻高透光膜层上面的荧光粉层；在下抗压平严闭板上有小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构；位于真空室内的消气剂和矩形黑壁附属元件。

所述的小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的衬底材料为玻璃，可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是下抗压平严闭板；下抗压平严闭板上的印刷的绝缘浆料层形成暗黑非显现层；暗黑非显现层上的印刷的银浆层形成阴极扩张银条层；阴极扩张银条层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基一层；阴极斜扇基一层为正圆柱体形，阴极斜扇基一层的下表面为圆形平面、位于阴极扩展银条层上，阴极斜扇基一层的上表面为圆形平面、且阴极斜扇基一层的上表面和阴极斜扇基一层的下表面相平行，阴极斜扇基一层的上表面面积等于阴极斜扇基一层的下表面面积，阴极斜扇基一层圆形上表面的圆半径等于阴极斜扇基一层圆形下表面的圆半径，阴极斜扇基一层中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板，阴极斜扇基一层的上表面中心位于阴极斜扇基一层中心垂直轴线上，阴极斜扇基一层的下表面中心位于阴极斜扇基一层中心垂直轴线上，阴极斜扇基一层的外侧面为直立的圆筒面；阴极斜扇基一层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极一层竖直延伸层；阴极一层竖直延伸层和阴极扩张银条层相互连通；阴极斜扇基一层上表面的印刷的银浆层形成阴极一层平面延伸层；阴极一层平面延伸层为圆面形、且位于阴极斜扇基一层上表面上，阴极一层平面延伸层的圆半径等于阴极斜扇基一层圆形上表面圆半径的二分之一，阴极一层平面延伸层的圆中心位于阴极斜扇基一层中心垂直轴线上；阴极一层平面延伸层和阴极一层竖直延伸层相互连通；阴极斜扇基一层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基二层；阴极斜扇基二层的下表面为圆形平面、位于阴极斜扇基一层上表面上，阴极斜扇基二层的下表面外边缘和阴极斜扇基一层的上表面外边缘相平齐，阴极斜扇基二层中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板，阴极斜扇基二层中心垂直轴线和阴极斜扇基一层中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基二层的下表面中心位于阴极斜扇基二层中心垂直轴线上，阴极斜扇基二层的上表面为向阴极斜扇基二层内部凹陷的倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基二层中心垂直轴线的上表面部位高度低而远离阴极斜扇基二层中心垂直轴线的上表面部位高度高，阴极斜扇基二层的上表面中心位于阴极斜扇基二层中心垂直轴线上，阴极斜扇基二层的外侧面为直立的圆筒面；阴极斜扇基二层中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层；阴极斜扇基二层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基三层；阴极斜扇基三层为倾斜的环长扇形、位于阴极斜扇基二层上表面上，阴极斜扇基三层中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板，阴极斜扇基三层中心垂直轴线和阴极斜扇基一层中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基三层的下表面中心位于阴极斜扇基三层中心垂直轴线上，阴极斜扇基三层的上表面为倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基三层中心垂直轴线的上表面高度低而远离阴极斜扇基三层中心垂直轴线的上表面高度高，阴极斜扇基三层的上表面中心位于阴极斜扇基三层中心垂直轴线上，阴极斜扇基三层的外侧面为倾斜的向外凸起的弧面；阴极斜扇基三层中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层；阴极斜扇基三层上表面的印刷的银浆层形成阴极三层斜面延伸层；阴极三层斜面延伸层位于阴极斜扇基三层上表面上，阴极三层斜面延伸层布满阴极斜扇基三层上表面，阴极三层斜面延伸层的外边缘和阴极斜扇基三层上表面的外边缘相平齐；阴极三层斜面延伸层和阴极一层平面延伸层相互连通；阴极三层斜面延伸层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基四层；阴极斜扇基四层为倾斜的环长扇形、位于阴极三层斜面延伸层上，阴极斜扇基四层中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板，阴极斜扇基四层中心垂直轴线和阴极斜扇基一层中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基四层的下表面中心位于阴极斜扇基四层中心垂直轴线上，阴极斜扇基四层的上表面为倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基四层中心垂直轴线的上表面高度低而远离阴极斜扇基四层中心垂直轴线的上表面高度高，阴极斜扇基四层的上表面中心位于阴极斜扇基四层中心垂直轴线上，阴极斜扇基四层的外侧面为倾斜的向外凸起的弧面；阴极斜扇基四层中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层；阴极斜扇基四层上表面的印刷的银浆层形成阴极四层斜面延伸层；阴极四层斜面延伸层位于阴极斜扇基四层上表面上，阴极四层斜面延伸层布满阴极斜扇基四层上表面，阴极四层斜面延伸层的外边缘和阴极斜扇基四层上表面的外边缘相平齐；阴极四层斜面延伸层和阴极一层平面延伸层相互连通；阴极四层斜面延伸层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基五层；阴极斜扇基五层位于阴极四层斜面延伸层上，阴极斜扇基五层中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板，阴极斜扇基五层中心垂直轴线和阴极斜扇基一层中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基五层的下表面中心位于阴极斜扇基五层中心垂直轴线上，阴极斜扇基五层的上表面为平面，阴极斜扇基五层的上表面中心位于阴极斜扇基五层中心垂直轴线上；阴极斜扇基三层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极低承接电极层；阴极低承接电极层为弧面形、环绕在阴极斜扇基三层外侧面上，阴极低承接电极层的弧面上边缘朝向阴极斜扇基三层上表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形，阴极低承接电极层的弧面下边缘朝向阴极斜扇基三层下表面方向、且为圆环形，阴极低承接电极层和阴极三层斜面延伸层相连接；阴极低承接电极层和阴极三层斜面延伸层相互连通；阴极斜扇基四层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极高承接电极层；阴极高承接电极层为弧面形、环绕在阴极斜扇基四层外侧面上，阴极高承接电极层的弧面上边缘朝向阴极斜扇基四层上表面方向、且为圆环形，阴极高承接电极层的弧面下边缘朝向阴极斜扇基四层下表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形，阴极高承接电极层和阴极四层斜面延伸层相连接；阴极高承接电极层和阴极四层斜面延伸层相互连通；暗黑非显现层上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基一层；门极斜扇基一层的下表面为平面、位于暗黑非显现层上；门极斜扇基一层中存在圆形孔、圆形孔中暴露出阴极斜扇基一层、阴极斜扇基二层、阴极斜扇基三层、阴极斜扇基四层、阴极斜扇基五层、阴极低承接电极层和阴极高承接电极层；门极斜扇基一层圆形孔在门极斜扇基一层上、下表面形成的截面为中空圆面；门极斜扇基一层上表面的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极下层；门极混杂弧电极下层为倾斜的向下凹陷的弧面形、位于门极斜扇基一层上表面上，门极混杂弧电极下层的前端和门极斜扇基一层圆形孔的内侧壁相平齐、不向门极斜扇基一层圆形孔突出，门极混杂弧电极下层的后端朝向远离门极斜扇基一层圆形孔方向，门极混杂弧电极下层的前端高度低而后端高度高；门极混杂弧电极下层上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基二层；门极斜扇基二层上表面的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中下层；门极混杂弧电极中下层为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极中下层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中下层的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极中下层的前末端和门极混杂弧电极下层相连接；门极混杂弧电极中下层和门极混杂弧电极下层相互连通；门极斜扇基二层上表面的再次印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中后层；门极混杂弧电极中后层为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极中后层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中后层的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极中后层的前末端和门极混杂弧电极中下层的后末端相连接；门极混杂弧电极中后层和门极混杂弧电极中下层相互连通；门极混杂弧电极下层和门极混杂弧电极中下层上表面的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基三层；门极斜扇基三层上的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中前层；门极混杂弧电极中前层为倾斜的向下凹陷的弧面形，门极混杂弧电极中前层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中前层的前端高度高而后端高度低，门极混杂弧电极中前层的后末端、门极混杂弧电极中下层的后末端和门极混杂弧电极中后层的前末端相连接；门极混杂弧电极中前层、门极混杂弧电极中下层和门极混杂弧电极中后层相互连通；门极混杂弧电极中前层和门极混杂弧电极中后层上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基四层；门极斜扇基三层、门极斜扇基四层和门极斜扇基二层上的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极上层；门极混杂弧电极上层为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极上层的前端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极混杂弧电极上层的后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极上层的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极上层和门极混杂弧电极中前层的前末端相连接，门极混杂弧电极上层的后末端和门极混杂弧电极中后层的后末端相连接；门极混杂弧电极上层和门极混杂弧电极中前层相互连通；门极混杂弧电极上层和门极混杂弧电极中后层相互连通；暗黑非显现层上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基五层；门极斜扇基五层的下表面为平面、位于暗黑非显现层上；门极斜扇基五层上表面的印刷的银浆层形成门极扩张银条层；门极扩张银条层和门极混杂弧电极上层的后末端、门极混杂弧电极中后层的后末端相连接；门极扩张银条层、门极混杂弧电极上层和门极混杂弧电极中后层相互连通；门极混杂弧电极上层上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基六层；碳纳米管制备在阴极低承接电极层和阴极高承接电极层上。

小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的固定位置为下抗压平严闭板；阴极低承接电极层可以为金属银、镍、钼、锡、铝、铜、铬；阴极高承接电极层可以为金属银、镍、钼、锡、铝、铜、铬。

本发明同时提供该发光显示器的制作方法，包括以下步骤：

1)下抗压平严闭板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成下抗压平严闭板；

2)暗黑非显现层的制作：在下抗压平严闭板上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成暗黑非显现层；

3)阴极扩张银条层的制作：在暗黑非显现层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极扩张银条层；

4)阴极斜扇基一层的制作：在阴极扩张银条层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基一层；

5)阴极一层竖直延伸层的制作：在阴极斜扇基一层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层竖直延伸层；

6)阴极一层平面延伸层的制作：在阴极斜扇基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层平面延伸层；

7)阴极斜扇基二层的制作：在阴极斜扇基一层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基二层；

8)阴极斜扇基三层的制作：在阴极斜扇基二层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基三层；

9)阴极三层斜面延伸层的制作：在阴极斜扇基三层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层斜面延伸层；

10)阴极斜扇基四层的制作：在阴极三层斜面延伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基四层；

11)阴极四层斜面延伸层的制作：在阴极斜扇基四层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极四层斜面延伸层；

12)阴极斜扇基五层的制作：在阴极四层斜面延伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基五层；

13)阴极低承接电极层的制作：在阴极斜扇基三层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极低承接电极层；

14)阴极高承接电极层的制作：在阴极斜扇基四层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极高承接电极层；

15)门极斜扇基一层的制作：在暗黑非显现层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基一层；

16)门极混杂弧电极下层的制作：在门极斜扇基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极下层；

17)门极斜扇基二层的制作：在门极混杂弧电极下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基二层；

18)门极混杂弧电极中下层的制作：在门极斜扇基二层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中下层；

19)门极混杂弧电极中后层的制作：在门极斜扇基二层上表面再次印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中后层；

20)门极斜扇基三层的制作：在门极混杂弧电极下层和门极混杂弧电极中下层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基三层；

21)门极混杂弧电极中前层的制作：在门极斜扇基三层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中前层；

22)门极斜扇基四层的制作：在门极混杂弧电极中前层和门极混杂弧电极中后层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基四层；

23)门极混杂弧电极上层的制作：在门极斜扇基三层、门极斜扇基四层和门极斜扇基二层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极上层；

24)门极斜扇基五层的制作：在暗黑非显现层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基五层；

25)门极扩张银条层的制作：在门极斜扇基五层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极扩张银条层；

26)门极斜扇基六层的制作：在门极混杂弧电极上层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基六层；

27)小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的清洁：对小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

28)碳纳米管层的制作：将碳纳米管印刷在阴极低承接电极层和阴极高承接电极层上，形成碳纳米管层；

29)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其场发射特性；

30)上抗压平严闭板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成上抗压平严闭板；

31)阳极低阻高透光膜层的制作：对覆盖于上抗压平严闭板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极低阻高透光膜层；

32)阳极扩张银条层的制作：在上抗压平严闭板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阳极扩张银条层；

33)荧光粉层的制作：在阳极低阻高透光膜层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成荧光粉层；

34)显示器器件装配：将消气剂安装固定在上抗压平严闭板的非显示区域；然后，将上抗压平严闭板、下抗压平严闭板和透明玻璃框和矩形黑壁装配到一起，用夹子固定；

35)显示器器件封装：对已经装配的显示器器件进行封装工艺形成成品件。

具体地，所述步骤32具体是在上抗压平严闭板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤(最高烘烤温度：150ºC，最高烘烤温度保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度：532 ºC，最高烧结温度保持时间：10分钟)。

具体地，所述步骤33是在上抗压平严闭板的阳极低阻高透光膜层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度：135ºC，最高烘烤温度保持时间：8分钟)。

具体地，所述步骤35是对已装配的显示器器件进行如下的封装工艺：将显示器器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

有益效果：本发明具备以下显著的进步：

首先，在所述的小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构中，制作了小弯弧混杂银门极。门极混杂弧电极上层和门极混杂弧电极下层对碳纳米管层的场电子发射起着主要调控作用，而门极混杂弧电极中下层、门极混杂弧电极中前层和门极混杂弧电极中后层则起到了辅助调控电场以及传递门极电势的作用。当在小弯弧混杂银门极上施加门极电压后，就会在碳纳米管层表面形成强大的电场强度，不仅能够迫使碳纳米管发射出大量的阴极电子，而且碳纳米管所发射电子数量的多少会随着门极电压大小的变化而变化，这些现象都体现了小弯弧混杂银门极对碳纳米管层的强有力调控性能。

其次，在所述的小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构中，制作了斜置长扇外凸边错落面阴极。阴极低承接电极层的弧面上边缘朝向阴极斜扇基三层上表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形，弧面下边缘朝向阴极斜扇基三层下表面方向、且为圆环形；阴极高承接电极层的弧面上边缘朝向阴极斜扇基四层上表面方向、且为圆环形，弧面下边缘朝向阴极斜扇基四层下表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形。这也就是表明，斜置长扇外凸边错落面阴极具有很大的阴极电极边缘，从而能够利用场发射发光显示器中特有的“边缘电场增强”现象，使得制作于阴极电极边缘位置的碳纳米管能够发射出更多的电子。这对于提升场发射发光显示器的发光亮度、改善场发射发光显示器的发光灰度可调节性能、增大场发射发光显示器的阳极电流都是十分有益的。

第三，在所述的小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构中，碳纳米管制备在阴极低承接电极层和阴极高承接电极层上。由于阴极低承接电极层和阴极高承接电极层都具有很大的表面积，这也就是使得碳纳米管层的制作面积得到了扩大，能够参与场电子发射的碳纳米管数量在增多。能够进行场电子发射的碳纳米管数量增多了，形成大的场发射电流也就是自然而然的事情了。同时，小弯弧混杂银门极和斜置长扇外凸边错落面阴极两种结构进行了集成化制作。这些举措都十分有助于提高场发射发光显示器的发光亮度，改善场发射发光显示器的大工作电流。

此外，在小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的制作过程中，并没有采用特殊的制作材料，也未利用特殊的制作设备，从而能够进一步降低场发射发光显示器的制作费用。

除了上面所述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的优点外，本发明的小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的优点，将结合附图做出进一步详细的说明。

附图说明

图1是本发明实施例中单个小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的纵向结构示意图；

图2是本发明实施例中小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的横向结构示意图；

图3是本发明实施例中小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器的结构示意图；

图中：下抗压平严闭板1、暗黑非显现层2、阴极扩张银条层3、阴极斜扇基一层4、阴极一层竖直延伸层5、阴极一层平面延伸层6、阴极斜扇基二层7、阴极斜扇基三层8、阴极三层斜面延伸层9、阴极斜扇基四层10、阴极四层斜面延伸层11、阴极斜扇基五层12、阴极低承接电极层13、阴极高承接电极层14、门极斜扇基一层15、门极混杂弧电极下层16、门极斜扇基二层17、门极混杂弧电极中下层18、门极混杂弧电极中后层19、门极斜扇基三层20、门极混杂弧电极中前层21、门极斜扇基四层22、门极混杂弧电极上层23、门极斜扇基五层24、门极扩张银条层25、门极斜扇基六层26、碳纳米管层27、上抗压平严闭板28、阳极低阻高透光膜层29、阳极扩张银条层30、荧光粉层31、消气剂32、透明玻璃框33、矩形黑壁34。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于本实施例。

本实施例的小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器如图1、图2和图3所示，包括由上抗压平严闭板28、下抗压平严闭板1和透明玻璃框33所构成的真空室；在上抗压平严闭板28上有阳极低阻高透光膜层29、与阳极低阻高透光膜层29相连的阳极扩张银条层30以及制备在阳极低阻高透光膜层29上面的荧光粉层31；在下抗压平严闭板1上有小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构；位于真空室内的消气剂32和矩形黑壁34附属元件。

小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的衬底材料为玻璃，可以为钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是下抗压平严闭板1；下抗压平严闭板1上的印刷的绝缘浆料层形成暗黑非显现层2；暗黑非显现层2上的印刷的银浆层形成阴极扩张银条层3；阴极扩张银条层3上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基一层4；阴极斜扇基一层4为正圆柱体形，阴极斜扇基一层4的下表面为圆形平面、位于阴极扩展银条层上，阴极斜扇基一层4的上表面为圆形平面、且阴极斜扇基一层4的上表面和阴极斜扇基一层4的下表面相平行，阴极斜扇基一层4的上表面面积等于阴极斜扇基一层4的下表面面积，阴极斜扇基一层4圆形上表面的圆半径等于阴极斜扇基一层4圆形下表面的圆半径，阴极斜扇基一层4中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板1，阴极斜扇基一层4的上表面中心位于阴极斜扇基一层4中心垂直轴线上，阴极斜扇基一层4的下表面中心位于阴极斜扇基一层4中心垂直轴线上，阴极斜扇基一层4的外侧面为直立的圆筒面；阴极斜扇基一层4中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极一层竖直延伸层5；阴极一层竖直延伸层5和阴极扩张银条层3相互连通；阴极斜扇基一层4上表面的印刷的银浆层形成阴极一层平面延伸层6；阴极一层平面延伸层6为圆面形、且位于阴极斜扇基一层4上表面上，阴极一层平面延伸层6的圆半径等于阴极斜扇基一层4圆形上表面圆半径的二分之一，阴极一层平面延伸层6的圆中心位于阴极斜扇基一层4中心垂直轴线上；阴极一层平面延伸层6和阴极一层竖直延伸层5相互连通；阴极斜扇基一层4上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基二层7；阴极斜扇基二层7的下表面为圆形平面、位于阴极斜扇基一层4上表面上，阴极斜扇基二层7的下表面外边缘和阴极斜扇基一层4的上表面外边缘相平齐，阴极斜扇基二层7中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板1，阴极斜扇基二层7中心垂直轴线和阴极斜扇基一层4中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基二层7的下表面中心位于阴极斜扇基二层7中心垂直轴线上，阴极斜扇基二层7的上表面为向阴极斜扇基二层7内部凹陷的倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基二层7中心垂直轴线的上表面部位高度低而远离阴极斜扇基二层7中心垂直轴线的上表面部位高度高，阴极斜扇基二层7的上表面中心位于阴极斜扇基二层7中心垂直轴线上，阴极斜扇基二层7的外侧面为直立的圆筒面；阴极斜扇基二层7中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层6；阴极斜扇基二层7上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基三层8；阴极斜扇基三层8为倾斜的环长扇形、位于阴极斜扇基二层7上表面上，阴极斜扇基三层8中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板1，阴极斜扇基三层8中心垂直轴线和阴极斜扇基一层4中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基三层8的下表面中心位于阴极斜扇基三层8中心垂直轴线上，阴极斜扇基三层8的上表面为倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基三层8中心垂直轴线的上表面高度低而远离阴极斜扇基三层8中心垂直轴线的上表面高度高，阴极斜扇基三层8的上表面中心位于阴极斜扇基三层8中心垂直轴线上，阴极斜扇基三层8的外侧面为倾斜的向外凸起的弧面；阴极斜扇基三层8中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层6；阴极斜扇基三层8上表面的印刷的银浆层形成阴极三层斜面延伸层9；阴极三层斜面延伸层9位于阴极斜扇基三层8上表面上，阴极三层斜面延伸层9布满阴极斜扇基三层8上表面，阴极三层斜面延伸层9的外边缘和阴极斜扇基三层8上表面的外边缘相平齐；阴极三层斜面延伸层9和阴极一层平面延伸层6相互连通；阴极三层斜面延伸层9上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基四层10；阴极斜扇基四层10为倾斜的环长扇形、位于阴极三层斜面延伸层9上，阴极斜扇基四层10中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板1，阴极斜扇基四层10中心垂直轴线和阴极斜扇基一层4中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基四层10的下表面中心位于阴极斜扇基四层10中心垂直轴线上，阴极斜扇基四层10的上表面为倒置圆锥面、靠近阴极斜扇基四层10中心垂直轴线的上表面高度低而远离阴极斜扇基四层10中心垂直轴线的上表面高度高，阴极斜扇基四层10的上表面中心位于阴极斜扇基四层10中心垂直轴线上，阴极斜扇基四层10的外侧面为倾斜的向外凸起的弧面；阴极斜扇基四层10中存在圆形孔、圆形孔中暴露出底部的阴极一层平面延伸层6；阴极斜扇基四层10上表面的印刷的银浆层形成阴极四层斜面延伸层11；阴极四层斜面延伸层11位于阴极斜扇基四层10上表面上，阴极四层斜面延伸层11布满阴极斜扇基四层10上表面，阴极四层斜面延伸层11的外边缘和阴极斜扇基四层10上表面的外边缘相平齐；阴极四层斜面延伸层11和阴极一层平面延伸层6相互连通；阴极四层斜面延伸层11上的印刷的绝缘浆料层形成阴极斜扇基五层12；阴极斜扇基五层12位于阴极四层斜面延伸层11上，阴极斜扇基五层12中心垂直轴线垂直于下抗压平严闭板1，阴极斜扇基五层12中心垂直轴线和阴极斜扇基一层4中心垂直轴线相重合，阴极斜扇基五层12的下表面中心位于阴极斜扇基五层12中心垂直轴线上，阴极斜扇基五层12的上表面为平面，阴极斜扇基五层12的上表面中心位于阴极斜扇基五层12中心垂直轴线上；阴极斜扇基三层8外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极低承接电极层13；阴极低承接电极层13为弧面形、环绕在阴极斜扇基三层8外侧面上，阴极低承接电极层13的弧面上边缘朝向阴极斜扇基三层8上表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形，阴极低承接电极层13的弧面下边缘朝向阴极斜扇基三层8下表面方向、且为圆环形，阴极低承接电极层13和阴极三层斜面延伸层9相连接；阴极低承接电极层13和阴极三层斜面延伸层9相互连通；阴极斜扇基四层10外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极高承接电极层14；阴极高承接电极层14为弧面形、环绕在阴极斜扇基四层10外侧面上，阴极高承接电极层14的弧面上边缘朝向阴极斜扇基四层10上表面方向、且为圆环形，阴极高承接电极层14的弧面下边缘朝向阴极斜扇基四层10下表面方向、且为带有向内凹陷矩形的类环形，阴极高承接电极层14和阴极四层斜面延伸层11相连接；阴极高承接电极层14和阴极四层斜面延伸层11相互连通；暗黑非显现层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基一层15；门极斜扇基一层15的下表面为平面、位于暗黑非显现层2上；门极斜扇基一层15中存在圆形孔、圆形孔中暴露出阴极斜扇基一层4、阴极斜扇基二层7、阴极斜扇基三层8、阴极斜扇基四层10、阴极斜扇基五层12、阴极低承接电极层13和阴极高承接电极层14；门极斜扇基一层15圆形孔在门极斜扇基一层15上、下表面形成的截面为中空圆面；门极斜扇基一层15上表面的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极下层16；门极混杂弧电极下层16为倾斜的向下凹陷的弧面形、位于门极斜扇基一层15上表面上，门极混杂弧电极下层16的前端和门极斜扇基一层15圆形孔的内侧壁相平齐、不向门极斜扇基一层15圆形孔突出，门极混杂弧电极下层16的后端朝向远离门极斜扇基一层15圆形孔方向，门极混杂弧电极下层16的前端高度低而后端高度高；门极混杂弧电极下层16上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基二层17；门极斜扇基二层17上表面的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中下层18；门极混杂弧电极中下层18为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极中下层18的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中下层18的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极中下层18的前末端和门极混杂弧电极下层16相连接；门极混杂弧电极中下层18和门极混杂弧电极下层16相互连通；门极斜扇基二层17上表面的再次印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中后层19；门极混杂弧电极中后层19为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极中后层19的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中后层19的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极中后层19的前末端和门极混杂弧电极中下层18的后末端相连接；门极混杂弧电极中后层19和门极混杂弧电极中下层18相互连通；门极混杂弧电极下层16和门极混杂弧电极中下层18上表面的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基三层20；门极斜扇基三层20上的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极中前层21；门极混杂弧电极中前层21为倾斜的向下凹陷的弧面形，门极混杂弧电极中前层21的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极中前层21的前端高度高而后端高度低，门极混杂弧电极中前层21的后末端、门极混杂弧电极中下层18的后末端和门极混杂弧电极中后层19的前末端相连接；门极混杂弧电极中前层21、门极混杂弧电极中下层18和门极混杂弧电极中后层19相互连通；门极混杂弧电极中前层21和门极混杂弧电极中后层19上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基四层22；门极斜扇基三层20、门极斜扇基四层22和门极斜扇基二层17上的印刷的银浆层形成门极混杂弧电极上层23；门极混杂弧电极上层23为倾斜的向上凸起的弧面形，门极混杂弧电极上层23的前端和圆形孔内侧壁相平齐、不向圆形孔突出，门极混杂弧电极上层23的后端朝向远离圆形孔方向，门极混杂弧电极上层23的前端高度低而后端高度高，门极混杂弧电极上层23和门极混杂弧电极中前层21的前末端相连接，门极混杂弧电极上层23的后末端和门极混杂弧电极中后层19的后末端相连接；门极混杂弧电极上层23和门极混杂弧电极中前层21相互连通；门极混杂弧电极上层23和门极混杂弧电极中后层19相互连通；暗黑非显现层2上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基五层24；门极斜扇基五层24的下表面为平面、位于暗黑非显现层2上；门极斜扇基五层24上表面的印刷的银浆层形成门极扩张银条层25；门极扩张银条层25和门极混杂弧电极上层23的后末端、门极混杂弧电极中后层19的后末端相连接；门极扩张银条层25、门极混杂弧电极上层23和门极混杂弧电极中后层19相互连通；门极混杂弧电极上层23上的印刷的绝缘浆料层形成门极斜扇基六层26；碳纳米管制备在阴极低承接电极层13和阴极高承接电极层14上。

小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的固定位置为下抗压平严闭板1；阴极低承接电极层13可以为金属银、镍、钼、锡、铝、铜、铬；阴极高承接电极层14可以为金属银、镍、钼、锡、铝、铜、铬。

本实施例的发光显示器的制作方法如下：

1)下抗压平严闭板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成下抗压平严闭板；

2)暗黑非显现层的制作：在下抗压平严闭板上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成暗黑非显现层；

3)阴极扩张银条层的制作：在暗黑非显现层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极扩张银条层；

4)阴极斜扇基一层的制作：在阴极扩张银条层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基一层；

5)阴极一层竖直延伸层的制作：在阴极斜扇基一层三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层竖直延伸层；

6)阴极一层平面延伸层的制作：在阴极斜扇基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层平面延伸层；

7)阴极斜扇基二层的制作：在阴极斜扇基一层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基二层；

8)阴极斜扇基三层的制作：在阴极斜扇基二层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基三层；

9)阴极三层斜面延伸层的制作：在阴极斜扇基三层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层斜面延伸层；

10)阴极斜扇基四层的制作：在阴极三层斜面延伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基四层；

11)阴极四层斜面延伸层的制作：在阴极斜扇基四层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极四层斜面延伸层；

12)阴极斜扇基五层的制作：在阴极四层斜面延伸层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极斜扇基五层；

13)阴极低承接电极层的制作：在阴极斜扇基三层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极低承接电极层；

14)阴极高承接电极层的制作：在阴极斜扇基四层外侧面上制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极高承接电极层；

15)门极斜扇基一层的制作：在暗黑非显现层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基一层；

16)门极混杂弧电极下层的制作：在门极斜扇基一层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极下层；

17)门极斜扇基二层的制作：在门极混杂弧电极下层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基二层；

18)门极混杂弧电极中下层的制作：在门极斜扇基二层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中下层；

19)门极混杂弧电极中后层的制作：在门极斜扇基二层上表面再次印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中后层；

20)门极斜扇基三层的制作：在门极混杂弧电极下层和门极混杂弧电极中下层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基三层；

21)门极混杂弧电极中前层的制作：在门极斜扇基三层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极中前层；

22)门极斜扇基四层的制作：在门极混杂弧电极中前层和门极混杂弧电极中后层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基四层；

23)门极混杂弧电极上层的制作：在门极斜扇基三层、门极斜扇基四层和门极斜扇基二层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极混杂弧电极上层；

24)门极斜扇基五层的制作：在暗黑非显现层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基五层；

25)门极扩张银条层的制作：在门极斜扇基五层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极扩张银条层；

26)门极斜扇基六层的制作：在门极混杂弧电极上层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极斜扇基六层；

27)小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的清洁：对小弯弧混杂银门控斜置长扇外凸边错落面阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

28)碳纳米管层的制作：将碳纳米管印刷在阴极低承接电极层和阴极高承接电极层上，形成碳纳米管层；

29)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其场发射特性；

30)上抗压平严闭板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成上抗压平严闭板；

31)阳极低阻高透光膜层的制作：对覆盖于上抗压平严闭板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀，形成阳极低阻高透光膜层；

32)阳极扩张银条层的制作：在上抗压平严闭板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阳极扩张银条层；在上抗压平严闭板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤(最高烘烤温度：150ºC，最高烘烤温度保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行烧结(最高烧结温度：532 ºC，最高烧结温度保持时间：10分钟)；

33)荧光粉层的制作：在阳极低阻高透光膜层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成荧光粉层；在上抗压平严闭板的阳极低阻高透光膜层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤(最高烘烤温度：135ºC，最高烘烤温度保持时间：8分钟)；

34)显示器器件装配：将消气剂安装固定在上抗压平严闭板的非显示区域；然后，将上抗压平严闭板、下抗压平严闭板和透明玻璃框和矩形黑壁装配到一起，用夹子固定；

35)显示器器件封装：对已经装配的显示器器件进行如下的封装工艺：将显示器器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。