技术特征：
技术总结
本发明揭示一种半导体布置，该半导体布置包括：常开晶体管，该常开晶体管具有第一和第二主端以及控制端；常关晶体管，该常关晶体管具有第一和第二主端以及控制端，该晶体管通过该常开晶体管的该主端中的一个主端与该常关晶体管的该主端中的一个主端之间的连接而连接在共源共栅布置中；电流源布置，该电流源布置连接到该连接上的节点并且被配置成通过提供预定电流而提供用于控制在该常开和常关晶体管的所述节点处的电压，其中该半导体布置包括：III‑V半导体类型的第一半导体管芯，该第一半导体管芯具有形成于其中的该常开晶体管；以及第二半导体管芯，该第二半导体管芯具有形成于其中的该常关晶体管，该电流源布置形成于该第一和/或第二半导体管芯中。
技术研发人员：巴里·怀恩;马克·安杰伊·加赫达
受保护的技术使用者：安世有限公司
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.08.08