高电容值金属隔离金属电容的制作方法

技术总结
本发明公开了一种金属隔离金属电容，包含一衬底，其上设有一第一介电层；一下电极，埋设于所述第一介电层中，所述下电极包含一金属盘及凸出于所述金属盘一上表面的一三维金属结构；一第二介电层，围绕所述三维金属结构；一电容介电层，覆盖所述三维金属结构及所述第二介电层；以及一上电极，设于所述电容介电层上，所述上电极包含与所述三维金属结构指叉互合的鳍状结构。

技术研发人员：姜序;施能泰;吴铁将
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2018.07.10