技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤：首先，提供半导体基底，半导体基底上定义有存储单元区与周围区。在存储单元区形成多个位线结构。在该周围区形成栅极结构。形成一间隙子层覆盖半导体基底、栅极结构与位线结构。间隙子层部分位于存储单元区且部分位于周围区。对间隙子层进行一第一蚀刻制作工艺，用以将位于存储单元区的间隙子层部分移除。至少部分的间隙子层于第一蚀刻制作工艺之后残留于存储单元区中。在第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，用以将残留于存储单元区中的间隙子层移除。
技术研发人员：陈昱磬;邹世芳;游奎轩;庄慧伶
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2018.09.14