显示设备的制作方法

相关申请的交叉参考

本申请要求于2016年4月4日提交的第10-2016-0041257号韩国专利申请的优先权，该专利申请的公开内容以引用的方式全文并入本文中。

本公开的示例性实施方式涉及显示设备，更具体地，涉及可以防止导电层之间短路的显示设备。

背景技术：

显示设备包括显示器件和控制施加到显示器件的电信号的电子器件。电子器件可以包括例如薄膜晶体管(tft)、电容器和多个导线。

为了正确地控制显示器件的发光和显示器件的发光程度，可以增加电连接到显示器件的tft的数量，并且也可以增加将电信号传输到tft的导线的数量。

技术实现要素：

根据本公开的示例性实施方式，显示设备包括基板、电路和像素电极。基板包括显示区域和显示区域外部的外围区域。电路设置在显示区域中。电路包括多个导电层。每个导电层接触直接布置在该每个导电层下方的对应无机层。像素电极布置在电路之上，并且电连接到导电层中的至少一个。

在示例性实施方式中，每个导电层的底部表面直接接触直接布置在该每个导电层下方的对应无机层。

在示例性实施方式中，导电层包括第一导电层和设置在第一导电层上方的第二导电层。无机层包括层间绝缘层、第一无机层和第二无机层。层间绝缘层布置在第一导电层下方。第一无机层布置在第一导电层与第二导电层之间，并且包括第一开口，该第一开口暴露第一导电层的表面的至少一部分。第二导电层经由第一开口接触第一导电层。第二无机层覆盖第二导电层，并且接触第二导电层外部的第一无机层。

在示例性实施方式中，第二无机层包括第二开口，该第二开口暴露第二导电层的表面的至少一部分。

在示例性实施方式中，显示设备还包括平整化层，该平整化层覆盖第二无机层并且包括与第二开口对应的接触孔。第二导电层的表面的至少一部分通过接触孔和第二开口暴露，并且像素电极布置在平整化层之上并电连接到第二导电层。

在示例性实施方式中，层间绝缘层在外围区域上延伸，并且显示设备还包括第一导线、第二导线和覆盖第一导线的有机材料层。第一导线布置在外围区域中的层间绝缘层之上，并且包括与第一导电层相同的材料。第二导线布置在外围区域中的有机材料层之上，并且包括与第二导电层相同的材料。

在示例性实施方式中，第一无机层在外围区域上延伸并且覆盖第一导线，有机材料层布置在第一无机层之上，以及第二无机层在外围区域上延伸并且覆盖第二导线。

在示例性实施方式中，基板包括：第一区域，该第一区域包括显示区域；第二区域，该第二区域包括外围区域的至少一部分；以及弯曲区域，该弯曲区域设置在第一区域与第二区域之间。基板在弯曲区域中关于弯曲轴线弯曲。第一无机层包括与弯曲区域对应的开口部分，有机材料层填充开口部分，以及第二无机层包括与开口部分对应的附加开口部分。

在示例性实施方式中，第一导线和第二导线在不同的层上相互交叉。

在示例性实施方式中，基板在设置了有机材料层的区域中弯曲。

在示例性实施方式中，显示设备还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管(tft)。tft包括有源层和栅电极。有源层包括沟道区、布置在沟道区的第一侧处的源极区，以及布置在沟道区的与第一侧相对的第二侧处的漏极区。栅电极布置在有源层上方并且与有源层绝缘，以及第一导电层电连接到源极区或漏极区。

在示例性实施方式中，第二导电层电连接到源极区或漏极区。

在示例性实施方式中，下电源线在显示区域中布置在与第一导电层相同的层上，并且上电源线在显示区域中布置在与第二导电层相同的层上。下电源线和上电源线彼此电连接。

在示例性实施方式中，第一无机层设置在下电源线与上电源线之间。第一无机层包括附加开口，该附加开口暴露下电源线的表面的至少一部分，并且上电源线经由该附加开口接触下电源线。

根据本公开的示例性实施方式，显示设备包括：基板；设置在基板上的多个导电层；设置在基板上的多个无机层；以及像素电极，该像素电极设置在基板上并且电连接到导电层中的至少一个。每个导电层的底部表面接触设置在每个导电层下方的无机层中的对应无机层的顶部表面。

在示例性实施方式中，每个导电层的底部表面直接接触无机层中的对应无机层的顶部表面。

在示例性实施方式中，每个导电层直接设置在无机层中的对应无机层上方。

在示例性实施方式中，导电层包括第一导电层和设置在第一导电层上方的第二导电层。无机层包括层间绝缘层、第一无机层和第二无机层。层间绝缘层设置在第一导电层下方。第一无机层设置在第一导电层与第二导电层之间，并且包括第一开口，该第一开口暴露第一导电层的至少一部分。第二导电层经由第一开口接触第一导电层。第二无机层覆盖第二导电层，并且接触第二导电层外部的第一无机层。

在示例性实施方式中，第二无机层包括第二开口，该第二开口暴露第二导电层的至少一部分。

在示例性实施方式中，显示设备包括平整化层，该平整化层覆盖第二无机层并且包括与第二开口对应的接触孔。第二导电层的至少一部分通过接触孔和第二开口暴露，并且像素电极设置在平整化层之上并电连接到第二导电层。

附图说明

参考附图，通过详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他特征将变得更显而易见，在附图中：

图1是示出根据本公开的示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图。

图2是示出根据本公开的示例性实施方式的图1的显示设备中的一个子像素的等效电路图。

图3是示出根据本公开的示例性实施方式的图2的子像素中的多个薄膜晶体管(tft)和电容器的位置的布局视图。

图4到图8是根据本公开的示例性实施方式的图3的层的布局视图。

图9是根据本公开的示例性实施方式的沿着图3的线ix-ix得到的子像素的一部分的剖视图。

图10是根据本公开的示例性实施方式的沿着图3的线x-x得到的子像素的一部分的剖视图。

图11是根据本公开的示例性实施方式的图1的部分xi的剖视图。

图12是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的一部分的立体图。

图13是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的一部分的剖视图。

具体实施方式

下文将参考附图更全面地描述本公开的示例性实施方式。在附图中，为清楚起见，层和区的尺寸和相对尺寸可能被夸大。在全部附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。

应理解，当包括例如层、膜、区、板等的各种元件被称为在另一层、膜、区或板“之上”时，其可以直接位于该另一层、膜、区或板上，或者在它与另一层、膜、区或板之间可以插置有一个或多个介于中间的层、膜、区或板。

在下文中，应理解，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系上的三个轴。例如，x轴、y轴和z轴可以基本上彼此垂直，或者可以表明不基本上彼此垂直的不同方向。

当两个元件被描述为基本上彼此平行或垂直时，应理解，两个元件精确地彼此平行或垂直，或者如本领域普通技术人员将理解的大致彼此平行或垂直。此外，当两个或更多个事件被描述为基本上在同一时间发生或者基本上同时发生时，应理解，事件可以精确地在同一时间发生或者如本领域普通技术人员将理解的大约在同一时间发生。此外，当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本上相同或大约相等时，应理解，元件或值彼此相同、彼此无法区分，或者如本领域普通技术人员将理解的彼此可区分但功能上彼此相同。

为了便于描述，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等空间相关术语可以在本文中用来描述如附图所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相关术语旨在包含使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将取向成在其他元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方的两个取向。

将理解，当诸如膜、区、层或元件的部件被称为在另一部件“上”、“连接到”、“联接到”或“邻近”另一部件时，其可以直接在另一部件上、直接连接到、直接联接到或直接邻近另一部件，或者可以存在介于中间的部件。还将理解，当部件被称为在两个部件“之间”时，其可以是该两个部件之间的唯一部件，或者也可以存在一个或多个介于中间的部件。也将理解，当部件被称为“覆盖”另一部件时，其可以是覆盖该另一部件的唯一部件，或者一个或多个介于中间的部件也可以覆盖该另一部件。

还将理解，术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用来将一个元件与另一元件区分开，并且元件不被这些术语限制。因此，示例性实施方式中的“第一”元件在另一示例性实施方式中可以被描述为“第二”元件。

图1是示出了根据本公开的示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图。如图1所示，根据示例性实施方式的显示设备包括基板110。包括在根据如图1所示的示例性实施方式的显示设备中的基板110具有显示区域da和显示区域da外部的外围区域pa。在下文中，显示设备也可以被称为有机发光显示设备。诸如例如有机发光器件的多种显示器件可以安置在基板110的显示区域da中。用于传输待施加到显示区域da的电信号的多种导线可以安置在基板110的外围区域pa中。在下文中，假定显示设备包括有机发光器件作为显示器件。然而，本公开不限于此。

图2是示出了根据本公开的示例性实施方式的图1的显示设备的显示区域da中的一个子像素的等效电路图。图2示出了子像素包括有机发光器件oled的情况。

如图2所示，根据示例性实施方式的显示设备的一个子像素包括：多个信号线121、122、123、124和171；连接到信号线121、122、123、124和171的多个薄膜晶体管(tft)t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7；存储电容器cst；电源线172和178(关于电源线178，参考图3、图7和图8)；以及有机发光器件oled。信号线121、122、123、124和171和/或电源线172和178可以在多个子像素之间共享。

tftt1、t2、t3、t4、t5、t6和t7包括驱动tftt1、开关tftt2、补偿tftt3、初始化tftt4、驱动控制tftt5、发射控制tftt6和旁路tftt7。

参照信号线121、122、123、124和171，扫描线121传输扫描信号sn，前一扫描线122将前一扫描信号sn-1传输到初始化tftt4和旁路tftt7，发射控制信号线123将发射控制信号en传输到驱动控制tftt5和发射控制tftt6，数据线171与扫描线121交叉以传输数据信号dm，下电源线172传输驱动电压elvdd,并且基本上平行于数据线171，以及初始化电压线124传输初始化电压vint以用于将驱动tftt1初始化。

驱动tftt1的栅电极g1连接到存储电容器cst的第一存储电容板cst1，驱动tftt1的源电极s1经由驱动控制tftt5连接到下电源线172，并且驱动tftt1的漏电极d1经由发射控制tftt6电连接到有机发光器件oled的像素电极191(参考图9)。驱动tftt1根据开关tftt2的开关操作接收数据信号dm，并从而将驱动电流id供应到有机发光器件oled。

开关tftt2的栅电极g2连接到扫描线121，开关tftt2的源电极s2连接到数据线171，以及开关tftt2的漏电极d2连接到驱动tftt1的源电极s1并且经由驱动控制tftt5连接到下电源线172。开关tftt2根据经由扫描线121接收的扫描信号sn而导通，并且执行开关操作以将经由数据线171传输的数据信号dm传输到驱动tftt1的源电极s1。

补偿tftt3的栅电极g3连接到扫描线121，补偿tftt3的源电极s3连接到驱动tftt1的漏电极d1并且经由发射控制tftt6连接到有机发光器件oled的像素电极191(参考图9)，以及补偿tftt3的漏电极d3连接到存储电容器cst的第一存储电容板cst1、初始化tftt4的漏电极d4和驱动tftt1的栅电极g1。补偿tftt3根据经由扫描线121接收的扫描信号sn而导通，并且通过电连接驱动tftt1的栅电极g1和漏电极d1而二极管连接驱动tftt1。

初始化tftt4的栅电极g4连接到前一扫描线122，初始化tftt4的源电极s4连接到旁路tftt7的漏电极d7和初始化电压线124，以及初始化tftt4的漏电极d4连接到存储电容器cst的第一存储电容板cst1、补偿tftt3的漏电极d3和驱动tftt1的栅电极g1。初始化tftt4根据经由前一扫描线122接收的前一扫描信号sn-1而导通，并且将初始化电压vint传输到驱动tftt1的栅电极g1，以便执行用于将驱动tftt1的栅电极g1的电压初始化的初始化操作。

驱动控制tftt5的栅电极g5连接到发射控制信号线123，驱动控制tftt5的源电极s5连接到下电源线172，以及驱动控制tftt5的漏电极d5连接到驱动tftt1的源电极s1和开关tftt2的漏电极d2。

发射控制tftt6的栅电极g6连接到发射控制信号线123，发射控制tftt6的源电极s6连接到驱动tftt1的漏电极d1和补偿tftt3的源电极s3，以及发射控制tftt6的漏电极d6电连接到旁路tftt7的源电极s7和有机发光器件oled的像素电极191。驱动控制tftt5和发射控制tftt6根据经由发射控制信号线123接收的发射控制信号en基本上同时导通，以通过将驱动电压elvdd施加到有机发光器件oled来允许驱动电流id流至有机发光器件oled。

旁路tftt7的栅电极g7连接到前一扫描线122，旁路tftt7的源电极s7连接到发射控制tftt6的漏电极d6和有机发光器件oled的像素电极191(参考图9)，以及旁路tftt7的漏电极d7连接到初始化tftt4的源电极s4和初始化电压线124。旁路tftt7的栅电极g7接收经由前一扫描线122接收的前一扫描信号sn-1。当从前一扫描信号sn-1施加具有能够截止旁路tftt7的预定电压的电信号时，旁路tftt7截止并且驱动电流id的一部分作为旁路电流ibp经由旁路tftt7流动。

当驱动tftt1的最小电流作为用于显示黑色图像的驱动电流流动时，如果有机发光器件oled发光，则黑色图像不被适当地显示。此处，驱动tftt1的最小电流表示下列条件下的电流：驱动tftt1的栅源电压vgs小于阈值电压vth，使得驱动tftt1截止。因此，为了防止有机发光器件oled在最小电流作为驱动电流流动时发光，旁路tftt7可以将从驱动tftt1流出的驱动电流id的部分作为旁路电流ibp分配到除了朝向有机发光器件oled的电流路径之外的另一电流路径。通过这种方式，小于驱动tftt1截止条件下的最小驱动电流(例如，约等于或小于约10pa的电流)的电流被传输到有机发光器件oled，并且在有机发光器件oled不发光或发出少量光的同时，显示黑色图像。

当用来显示黑色图像的最小驱动电流流动时，因为旁路电流ibp从最小驱动电流分出，有机发光器件oled的发光或不发光或者发光水平可被显著影响。然而，当用来显示一般图像或白色图像的大驱动电流流动时，有机发光器件oled的发光水平可不受旁路电流ibp影响，或者可只轻微受旁路电流ibp影响。因此，通过旁路电流ibp减小的有机发光器件oled的发射电流ioled可以具有能够准确显示黑色图像的水平，其中，旁路电流ibp在用来显示黑色图像的驱动电流流动时经由旁路tftt7从驱动电流id中分出。因此，通过使用旁路tftt7来实现准确的黑色亮度图像，可以改善对比度。

参考图2，在示例性实施方式中，初始化tftt4和旁路tftt7连接到前一扫描线122。然而，本公开不限于此。例如，在示例性实施方式中，初始化tftt4可以连接到前一扫描线122并且可以根据前一扫描信号sn-1驱动，以及旁路tftt7可连接到单独的导线并且可以根据经由该导线传输的信号驱动。

存储电容器cst的第二存储电容板cst2连接到下电源线172，并且有机发光器件oled的相对电极连接到公共电极elvss。因此，有机发光器件oled可以通过接收来自驱动tftt1的驱动电流id的一部分来发光，并因此可以显示图像。

参考图2，在示例性实施方式中，补偿tftt3和初始化tftt4中的每个具有双栅电极。然而，本公开不限于此。例如，在示例性实施方式中，补偿tftt3和初始化tftt4中的每个可以具有一个栅电极。或者，本公开的示例性实施方式可以以各种方式改变，使得除补偿tftt3和初始化tftt4之外的其他tftt1、t2、t5、t6和t7中至少一个可以具有两个栅电极。

在下文中，以下描述根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示设备的一个子像素的操作。

首先，在初始化周期期间，经由前一扫描线122供应具有低电平的前一扫描信号sn-1。然后，初始化tftt4响应于具有低电平的前一扫描信号sn-1而导通。因此，来自初始化电压线124的初始化电压vint经由初始化tftt4传输到驱动tftt1的栅电极g1。因此，驱动tftt1由于初始化电压vint而被初始化。

然后，在数据编程周期期间，经由扫描线121供应具有低电平的扫描信号sn。然后，响应于具有低电平的扫描信号sn，开关tftt2和补偿tftt3导通。因此，驱动tftt1通过导通的补偿tftt3被二极管连接，并且在正向上偏置。然后，将补偿电压dm+vth(其中vth是负值)施加到驱动tftt1的栅电极g1，所述补偿电压dm+vth是通过从经由数据线171供应的数据信号dm中减去驱动tftt1的阈值电压vth的绝对值而获取的。然后，将驱动电压elvdd和补偿电压dm+vth施加到存储电容器cst的两个端子，使得与两个端子之间的电压差对应的电荷储存在存储电容器cst中。

然后，在发射周期期间，从发射控制信号线123供应的发射控制信号en从高电平变成低电平。然后，在发射周期期间，驱动控制tftt5和发射控制tftt6响应于具有低电平的发射控制信号en而导通。然后，根据驱动tftt1的栅电极g1的电压与驱动电压elvdd的电压之间的差确定的驱动电流id被生成，并且然后驱动电流id经由发射控制tftt6被供应到有机发光器件oled。在发射周期期间，驱动tftt1的栅源电压vgs因存储电容器cst而维持在‘(dm+vth)-elvdd’，并且根据驱动tftt1的电流电压关系，驱动电流id与通过从栅源电压vgs中减去阈值电压vth而获得的值的平方‘(dm-elvdd)²’成比例。因此，根据示例性实施方式，驱动电流id与驱动tftt1的阈值电压vth无关地被确定。

在下文中，参考图3到图10描述根据本公开的示例性实施方式的图2中示出的有机发光显示设备的一个子像素的详细结构。

图3是示出根据本公开的示例性实施方式的图2的子像素中的多个tft和电容器的位置的布局视图。图3的布局视图示出一个子像素的布置。根据示例性实施方式，各自具有相同或类似配置的多个子像素可以在水平方向和竖直方向上邻近该一个子像素布置(例如，布置成矩阵配置)。图4到图8是图3的层的布局视图，所述层中的每个具有诸如多个tft、电容器等的元件。图4到图8中的每个示出相同层的导线或者半导体层的布置以及绝缘层可以插置在层结构之间的示例性实施方式。例如，第一栅极绝缘层141(参考图9)可以插置在图4的层与图5的层之间，第二栅极绝缘层142(参考图9)可以插置在图5的层与图6的层之间，以及第一无机层151(参考图9)可以插置在图7的层与图8的层之间。接触孔可以在上述绝缘层中形成，使得图4到图8中示出的层结构可以在大体竖直方向上彼此电连接。通过这种方式，根据示例性实施方式的显示设备具有电路单元，所述电路单元布置在显示区域da中并且包括导电层。电路单元在本文中也可以被称为电路。像素电极191布置在电路单元之上(例如，设置在电路单元上)，并且电连接到电路单元的导电层中的至少一个。

根据示例性实施方式的有机发光显示设备的子像素包括沿着行方向延伸并且分别将扫描信号sn、前一扫描信号sn-1、发射控制信号en和初始化电压vint施加到子像素的扫描线121、前一扫描线122、发射控制信号线123和初始化电压线124。根据示例性实施方式的显示设备的子像素可以包括数据线171以及电源线172和178，所述数据线171以及电源线172和178与扫描线121、前一扫描线122、发射控制信号线123和初始化电压线124交叉，分别将数据信号dm和驱动电压elvdd施加到子像素。

此外，子像素可以包括驱动tftt1、开关tftt2、补偿tftt3、初始化tftt4、驱动控制tftt5、发射控制tftt6、旁路tftt7、存储电容器cst和有机发光器件。

如图4所示，驱动tftt1、开关tftt2、补偿tftt3、初始化tftt4、驱动控制tftt5、发射控制tftt6和旁路tftt7可以沿着半导体层形成。半导体层可以具有在多个方向上弯曲的形状。半导体层可以包括与驱动tftt1对应的驱动沟道区131a、与开关tftt2对应的开关沟道区131b、与补偿tftt3对应的补偿沟道区131c1、131c2和131c3、与初始化tftt4对应的初始化沟道区131d1、131d2和131d3、与驱动控制tftt5对应的操作控制沟道区131e、与发射控制tftt6对应的发射控制沟道区131f和与旁路tftt7对应的旁路沟道区131g。换言之，根据本公开的示例性实施方式，如图4所示，驱动沟道区131a、开关沟道区131b、补偿沟道区131c1、131c2和131c3、初始化沟道区131d1、131d2和131d3、操作控制沟道区131e、发射控制沟道区131f和旁路沟道区131g可以是半导体层的一些区。

半导体层可以包括例如多晶硅。此外，半导体层可以包括没有掺杂杂质的上述沟道区以及设置在沟道区的两侧并且掺杂有杂质的源极区和漏极区。杂质类型可以根据tft的类型而改变，并且可以包括例如n型杂质或p型杂质。沟道区、沟道区的一侧处的源极区和沟道区的另一侧处的漏极区可以统称为有源层。换言之，tft可以具有包括沟道区、源极区和漏极区的有源层。

经掺杂的源极区或经掺杂的漏极区可以对应于tft的源电极或漏电极。例如，驱动源电极可以与如图4所示的半导体层的驱动沟道区131a的外围中的掺杂有杂质的驱动源极区176a对应，并且驱动漏电极可以与如图4所示的半导体层的驱动沟道区131a的外围中的掺杂有杂质的驱动漏极区177a对应。在下文中，为便于描述，诸如源极区和漏极区的术语可以用来代替源电极和漏电极。此外，如图4所示的半导体层的在tft之间的部分可以对应于掺杂有杂质的导线，并因此用来电连接tft。这个特性也适用于下文描述的示例性实施方式，下文描述的示例性实施方式包括修改的示例性实施方式。

存储电容器cst可以包括第一存储电容板125a和第二存储电容板127，其中第一存储电容板125a和第二存储电容板127被安置为具有插置于它们之间的第二栅极绝缘层142。此处，第一存储电容板125a也可以用作驱动tftt1的驱动栅电极125a。也就是说，驱动栅电极125a和第一存储电容板125a可以是一体。在下文中，为便于描述，当提及驱动栅电极时，驱动栅电极的附图标记可以与第一存储电容板125a的附图标记相同。

如图5所示，第一存储电容板125a可以具有与相邻子像素分隔开的岛形式。如图5所示，在示例性实施方式中，第一存储电容板125a可以由与扫描线121、前一扫描线122和发射控制信号线123相同的材料层形成。

开关栅电极125b以及补偿栅电极125c1和125c2可以是扫描线121的部分，或者可以是与半导体层相交的扫描线121的突出部。初始化栅电极125d1和125d2以及旁路栅电极125g可以是前一扫描线122的部分，或者可以是与半导体层相交的前一扫描线122的突出部。操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f可以是发射控制信号线123的部分，或者可以是与半导体层相交的发射控制信号线123的突出部。

第二存储电容板127可以在相邻子像素上延伸，使得相邻子像素中的第二存储电容板127整体形成。如图6所示，第二存储电容板127可以由与初始化电压线124和/或屏蔽层126相同的材料层形成。存储开口27可以形成于第二存储电容板127中。因此，第一存储电容板125a和补偿tftt3的补偿漏极区177c可以使用连接构件174经由存储开口27彼此电连接，这在下文中描述。第二存储电容板127可以经由在层间绝缘层143(参考图9)中形成的接触孔168连接到下电源线172。

驱动tftt1包括驱动沟道区131a、驱动栅电极125a、驱动源极区176a和驱动漏极区177a。如上文所述，驱动栅电极125a也可以用作第一存储电容板125a。驱动源极区176a表示驱动栅电极125a外部的(在图4的-x方向上的)部分，以及驱动漏极区177a表示驱动栅电极125a外部的(在图4的+x方向上的)部分并且通过将驱动栅电极125a布置在驱动源极区176a和驱动漏电极177a之间而安置在驱动源极区176a的相对侧。

驱动tftt1的驱动源极区176a连接到开关漏极区177b和操作控制漏极区177e，这在下文中描述。驱动漏极区177a连接到补偿源极区176c和发射控制源极区176f，这在下文中描述。

开关tftt2包括开关沟道区131b、开关栅电极125b、开关源极区176b和开关漏极区177b。开关源极区176b可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔164电连接到数据线171。根据示例性实施方式，数据线171的接触孔164的外围可以是开关tftt2的源极区。开关漏极区177b表示半导体层的一部分，该一部分掺杂有杂质并且通过将开关沟道区131b布置在开关源极区176b和开关漏极区177b之间而安置在开关源极区176b的相对侧处。

开关tftt2用作配置成选择发光目标子像素的开关器件。开关栅电极125b如上文所述连接到扫描线121，开关源极区176b连接到数据线171，以及开关漏极区177b连接到驱动tftt1和驱动控制tftt5。

补偿tftt3包括补偿沟道区131c1、131c2和131c3、补偿栅电极125c1和125c2、补偿源极区176c以及补偿漏极区177c。补偿源极区176c是半导体层的掺杂有杂质并且设置在补偿沟道区131c1、131c2和131c3外部的一部分。补偿漏极区177c设置在补偿沟道区131c1、131c2和131c3的外部并且掺杂有杂质。补偿栅电极125c1和125c2是包括第一栅电极125c1和第二栅电极125c2的双栅电极，并且可以布置成防止或减少泄漏电流的发生。补偿tftt3的补偿漏极区177c可以经由连接构件174连接到第一存储电容板125a。补偿沟道区131c1、131c2和131c3可以包括与第一栅电极125c1对应的部分131c1、与第二栅电极125c2对应的部分131c3，以及在部分131c1与部分131c3之间的部分131c2。

如图7所示，连接构件174可以由与数据线171相同的材料层形成。连接构件174的一端经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔166连接到补偿漏极区177c和初始化漏极区177d。连接构件174的另一端经由在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔167连接到第一存储电容板125a。就这点而言，连接构件174的所述另一端经由在第二存储电容板127中形成的存储开口27连接到第一存储电容板125a。

初始化tftt4包括初始化沟道区131d1、131d2和131d3、初始化栅电极125d、初始化源极区176d和初始化漏极区177d。初始化源极区176d经由初始化连接线173连接到初始化电压线124。初始化连接线173的一端可以经由在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔161连接到初始化电压线124，并且初始化连接线173的另一端可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔162连接到初始化源极区176d。初始化漏极区177d表示半导体层的一部分，该一部分掺杂有杂质并且通过将初始化沟道区131d1、131d2和131d3布置在初始化源极区176d和初始化漏极区177d之间而安置在初始化源电极176d的相对侧处。

驱动控制tftt5包括操作控制沟道区131e、操作控制栅电极125e、操作控制源极区176e和操作控制漏极区177e。操作控制源极区176e可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔165电连接到下电源线172。根据示例性实施方式，下电源线172的接触孔165的外围可以是驱动控制tftt5的源极区。操作控制漏极区177e表示半导体层的一部分，该一部分掺杂有杂质并且通过将操作控制沟道区131e布置在操作控制源极区176e和操作控制漏极区177e之间而安置在操作控制源极区176e的相对侧处。

发射控制tftt6包括发射控制沟道区131f、发射控制栅电极125f、发射控制源极区176f和发射控制漏极区177f。发射控制漏极区177f可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中形成的接触孔163连接到层间绝缘层143之上的中间连接层175。如图7所示，中间连接层175、数据线171和下电源线172可以安置在层间绝缘层143之上。发射控制源极区176f表示半导体层的一部分，该一部分掺杂有杂质并且通过将发射控制沟道区131f布置在发射控制源极区176f和发射控制漏极区177f之间而安置在发射控制漏极区177f的相对侧处。中间连接层175可以电连接到下文描述的辅助连接层179，并且因此可以电连接到有机发光器件的像素电极191。

旁路tftt7包括旁路沟道区131g、旁路栅电极125g、旁路源极区176g和旁路漏极区177g。由于旁路漏极区177g连接到初始化tftt4的初始化源极区176d，因此，旁路漏极区177g经由初始化连接线173连接到初始化电压线124。旁路源极区176g电连接到(在+y方向上的)子像素的有机发光器件的像素电极。例如，旁路源极区176g连接到(在+y方向上的)子像素的发射控制漏极区177f，使得旁路源极区176g可以经由接触孔163连接到层间绝缘层143之上的中间连接层175。如上文所述，中间连接层175电连接到辅助连接层179，并因此电连接到有机发光器件的像素电极191。

如上文所述，屏蔽层126可以由与第二存储电容板127和初始化电压线124相同的材料层形成。图6左侧处的屏蔽层126布置成在对应的子像素和(在-x方向上的)相邻子像素上延伸的一体，并且图6右侧处的屏蔽层126布置成在对应的子像素和(在+x方向上的)相邻子像素上延伸的一体。屏蔽层126至少与补偿沟道区131c1、131c2和131c3之中的部分131c1与131c3之间的部分131c2重叠。由于屏蔽层126经由在层间绝缘层143中形成的接触孔169电连接到下电源线172，因此，屏蔽层126的电势大约恒定。

数据线171存在于如图3所示的子像素附近的子像素(例如，在+x方向上的子像素)中。为便于描述，当如图3所示的子像素被称为像素p1并且像素p1附近的子像素(例如，在+x方向上的子像素)被称为像素p2时，数据线171将数据信号传输到像素p2以及传输到在像素p2的+y方向和-y方向上布置的多个子像素。就这点而言，传输的数据信号可以根据将在沿像素p2的+y和-y方向布置的多个子像素中的每个中实现的亮度而改变。因此，当像素p1发光时，像素p2的在像素p1的半导体层的部分131c2附近的数据线171随着时间的推移传输不同的电信号。

如果不存在屏蔽层126，则可能在像素p2的数据线171与像素p1的补偿沟道区131c1、131c2和131c3之中的部分131c2之间生成寄生电容。因此，随着时间的推移，在像素p1发光期间，像素p1的补偿tftt3的部分131c2的电势受到由像素p2的数据线171传输的不同电信号影响。补偿tftt3电连接到驱动tftt1。因此，如果像素p1的补偿tftt3的部分131c2的电势受到由像素p2的数据线171传输的不同电信号影响，则有机发光器件的亮度(其亮度由驱动tftt1确定)可能变得不同于最初水平，从而导致有机发光显示设备显示的图像的质量降低。

然而，在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示设备中，屏蔽层126设置在像素p1的补偿tftt3的部分131c2与像素p2的数据线171之间。因此，与不存在屏蔽层126的比较示例相比，像素p2的数据线171对补偿tftt3的部分131c2的影响被消除或减少，从而导致有机发光显示设备能够显示具有改善亮度的高质量图像(例如，亮度具有改善的与最初水平相应的精度)。

例如，在示例性实施方式中，由于屏蔽层126经由在层间绝缘层143中形成的接触孔169电连接到下电源线172，因此，屏蔽层126的电势大约恒定。因此，可以消除或减少由部分131c2附近的电信号引起的对补偿tftt3的部分131c2的影响。

如图7所示，数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175可以包括相同的材料，并且可以安置在相同层(例如，层间绝缘层143)上。下电源线172将恒定电信号供应到多个子像素。防止在下电源线172中发生电压降允许了显示高质量图像的显示设备的实现。然而，如图7所示，在示例性实施方式中，由于下电源线172、数据线171、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175安置在相同层上，因此，在扩大其面积方面有限制。

因此，在示例性实施方式中，如图8所示，为了考虑下电源线172中的电压降，上电源线178安置在数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175上方，并且经由接触孔181电连接到下电源线172。如图8所示，在示例性实施方式中，上电源线178在子像素中可以具有“+”形状，并且因此，在显示区域da的更大部分(例如，整个部分)中，上电源线178可以具有格子形状。然而，本公开的示例性实施方式不限于此。

此外，为了将发射控制漏极区177f电连接到有机发光器件的像素电极191，包括与上电源线178相同材料的辅助连接层179可以安置在与上电源线178相同的层上，并且可以经由接触孔183电连接到中间连接层175，所述中间连接层175经由接触孔163电连接到发射控制漏极区177f。通过经由上部层中形成的接触孔185将辅助连接层179与有机发光器件的像素电极191电连接，辅助连接层179可以允许发射控制漏极区177f与有机发光器件的像素电极191电连接。

图9是根据本公开的示例性实施方式的沿着图3的线ix-ix得到的子像素的一部分的剖视图。图10是沿着图3的线x-x得到的子像素的一部分的剖视图。如图9和图10所示，上述各种元件可以安置在基板110之上。基板110可以包括多种材料，诸如，例如，玻璃材料、金属材料、塑料材料等。在示例性实施方式中，缓冲层111可以安置在基板110之上。缓冲层111可以使基板110的表面平整，和/或可以防止杂质渗透到其上的半导体层中。缓冲层111可以具有包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的单层结构或多层结构。

如图4所示的驱动沟道区131a、开关沟道区131b、补偿沟道区131c1、131c2和131c3等可以布置在缓冲层111之上。包括例如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的第一栅极绝缘层141可以布置在驱动沟道区131a、开关沟道区131b、补偿沟道区131c1、131c2和131c3等之上。

如图5所示的诸如驱动栅电极125a、扫描线121、开关栅电极125b、补偿栅电极125c、包括初始化栅电极125d和旁路栅电极125g的前一扫描线122、包括操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f的发射控制信号线123等的导线可以布置在第一栅极绝缘层141之上。驱动栅电极125a、扫描线121、前一扫描线122和发射控制信号线123可以统称为第一栅极布线。

第二栅极绝缘层142可以覆盖第一栅极布线。第二栅极绝缘层142可以包括例如氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。如图6所示的第二存储电容板127、屏蔽层126和初始化电压线124可以布置在第二栅极绝缘层142之上。第二存储电容板127、屏蔽层126和初始化电压线124可以统称为第二栅极布线。

层间绝缘层143布置在第二栅极布线之上。层间绝缘层143可以包括例如氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

如图7所示的数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175可以布置在层间绝缘层143之上。数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175可以统称为第一导电层。如上文所述，数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143的至少部分中形成的接触孔161、162、163、164、165、166、167、168和169电连接到下方的半导体层。

第一无机层151安置在第一导电层之上。第一无机层151可以包括例如氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

如图8所示的上电源线178和辅助连接层179可以布置在第一无机层151之上。上电源线178和辅助连接层179可以统称为第二导电层。上电源线178和辅助连接层179可以经由在第一无机层151中形成的接触孔181和183电连接到第一导电层。例如，如图10所示，在示例性实施方式中，第一无机层151具有用于接触孔181的附加开口，并且因此暴露第一无机层151下方的下电源线172的第一顶部表面的至少一部分。因此，上电源线178可以经由附加开口接触下电源线172。如图9所示，第一无机层151具有用于接触孔183的第一开口，从而允许上方的辅助连接层179接触中间连接层175。

如上文所述，作为第一导电层的一部分的中间连接层175可以经由在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143的至少部分中形成的接触孔163连接到下方的半导体层，例如，发射控制漏极区177f。因此，经由接触孔183电连接到中间连接层175的第二导电层的辅助连接层179也可以电连接到下方的半导体层，例如，发射控制漏极区177f。然而，本公开不限于此。例如，根据示例性实施方式，在具有与图2不同的等效电路图的显示设备中，第二导电层可以电连接到半导体层的各种源极区或漏极区。这个特性也适用于下文将描述的示例性实施方式及其修改的示例性实施方式。

第二无机层153安置在第二导电层之上。第二无机层153可以包括例如氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。第二无机层153覆盖第二导电层，并且接触第二导电层外部的第一无机层151。参考图9，第二无机层153覆盖辅助连接层179，并且因此接触辅助连接层179外部的第一无机层151。参考图10，第二无机层153覆盖上电源线178，并因此接触上电源线178外部的第一无机层151。

平整化层154可以布置在第二无机层153之上，并且有机发光器件的像素电极191可以安置在平整化层154之上。像素电极191可以经由在第二无机层153中形成的第二开口和与第二开口对应并且在平整化层154中形成的接触孔185连接到辅助连接层179，使得像素电极191可以电连接到发射控制漏极区177f。

参考图9，在示例性实施方式中，在第二无机层153中形成的第二开口的内表面与在平整化层154中形成的接触孔185的内表面大约齐平。因此，在第二无机层153中形成的第二开口和在平整化层154中形成的接触孔185可以统称为接触孔185。然而，本公开不限于此。例如，在示例性实施方式中，在第二无机层153中形成的第二开口的内表面可以不与在平整化层154中形成的接触孔185的内表面大约齐平。例如，在第二无机层153中形成的第二开口的面积可以大于在平整化层154中形成的接触孔185的面积。平整化层154可以包括有机材料，诸如，例如压克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(hmdso)等。

在根据示例性实施方式的显示设备中，显示区域da中的电路单元中包括的导电层中的每个安置成接触布置在对应导电层下方(例如，直接在对应导电层下方)的对应无机层。例如，在示例性实施方式中，每个导电层与其对应的无机层之间不存在介于中间的层，并且每个导电层接触(例如，直接接触)直接设置在对应导电层下方的对应无机层(例如，每个导电层直接设置在其对应的无机层上方，而不存在介于中间的层)。例如，如上文所述，如图5所示的包括驱动栅电极125a、扫描线121、前一扫描线122和发射控制信号线123的第一栅极布线安置在第一栅极绝缘层141上。此外，如图6所示的包括第二存储电容板127、屏蔽层126和初始化电压线124的第二栅极布线安置在第二栅极绝缘层142上。此外，如图7所示的包括数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175的第一导电层安置在层间绝缘层143上。此外，如图8所示的包括上电源线178和辅助连接层179的第二导电层安置在第一无机层151上。就这点而言，第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143和第一无机层151可以是无机层。

当导线以不同方式进行图案化时，导电层布置在基板110的表面(例如，整个表面)之上，进行图案化，并然后被部分移除。如果用来移除的部分没有适当地移除，那么不应彼此电连接的元件可能连接，导致发生短路。因此，显示设备中可能出现缺陷。

当导电层在有机层上形成、进行图案化、并且然后被部分移除时，用来移除的部分可能没有适当地移除。例如，如果导电层包括钛，那么钛可以与导电层下方的有机材料反应，从而导致在导电层与有机层之间的界面上形成氧化钛层。例如，在图案化过程期间，导电层的用来移除的包括钛的一部分可以被移除，但下方的氧化钛层可能没有移除并且可能在图案化过程之后残留下来。因此，不应彼此电连接的元件可能连接，导致发生短路。因此，显示设备中可以出现缺陷。

例如，由于电子器件(诸如，每个子像素中包括的tft)的数量增加以实现显示高质量图像的显示设备，或者每个子像素的面积减小以实现高分辨率显示设备，因此，显示区域da中的各种类型导线之间的间隙可能变得小于根据比较示例的显示设备的显示区域中导线之间的间隙。在这种情况下，因残留的氧化钛层造成的缺陷率可能陡然增加。

然而，在根据示例性实施方式的显示设备中，如上文所述，显示区域da中的导电层布置成分别接触设置于导电层下方(例如，直接位于导电层下方)的无机层。例如，在示例性实施方式中，导电层中的每个的底部表面安置成与布置在对应底部表面下方(例如，直接位于对应底部表面下方)的无机层面面接触。换言之，在示例性实施方式中，导电层中的每个的底部表面安置成直接接触其对应的无机层(例如，每个导电层的底部表面直接接触设置在导电层下方的其对应的无机层的顶部表面)。因此，在示例性实施方式中，可以防止或减少在将导电层图案化的过程期间可能出现的缺陷。

如上文所述，第二导电层之上的第二无机层153覆盖第二导电层，并且接触第二导电层外围中的第一无机层151。参考图9，第二无机层153覆盖辅助连接层179，并因此接触辅助连接层179外围中的第一无机层151。参考图10，第二无机层153覆盖上电源线178，并因此接触上电源线178外围中的第一无机层151。平整化层154布置在第二无机层153之上，并且有机发光器件的像素电极191安置在平整化层154之上。

当制造显示设备或在制造之后使用显示设备时，诸如气体的杂质可能从包括有机材料的平整化层154中产生。杂质可损坏tft。然而，在根据示例性实施方式的显示设备中，如上文所述，第一无机层151覆盖第一导电层，第二无机层153覆盖第二导电层，并且第一无机层151和第二无机层153彼此接触。此结构中的第一无机层151和第二无机层153可以起到保护层的作用，这可以防止或减少从平整化层154中产生的杂质(例如，气体)的出现损坏平整化层154下方的tft。

图11是根据本公开的示例性实施方式的图1的位于外围区域pa中的部分xi的剖视图。

如图11所示，缓冲层111、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143可以在显示区域da和外围区域pa上延伸。可以由与第一导电层相同的材料层、与第一导电层基本上同时形成的第一导线175a可以布置在外围区域pa中的层间绝缘层143上，所述第一导电层包括数据线171、下电源线172、初始化连接线173、连接构件174和中间连接层175。第一无机层151也可以从显示区域da延伸到外围区域pa，并因此可以通过覆盖包括与第一导电层相同材料的第一导线175a来保护第一导线175a。

有机材料层152可以布置在外围区域pa中的第一无机层151之上。有机材料层152可以包括例如压克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(hmdso)等。有机材料层152可以具有基本上平坦的顶部表面。可以由与第二导电层相同的材料层、与第二导电层基本上同时形成的第二导线179a可以安置在有机材料层152之上，所述第二导电层包括上电源线178和辅助连接层179。第二无机层153可以从显示区域da延伸到外围区域pa，并因此可以通过覆盖包括与第二导电层相同材料的第二导线179a来保护第二导线179a。

如图11所示，第一导线175a和第二导线179a可以布置在不同的层上，并且可以彼此部分重叠。关于图11的坐标轴，表示x-y平面的轴可以被解释为图1的x轴。在这种情况下，第一导线175a和第二导线179a可以被解释为在图1的平面图中的-y方向上延伸的导线。或者，由于第一导线175a和第二导线179a在不同方向上延伸，因此，第一导线175a和第二导线179a可以在不同的层上彼此交叉。例如，参考图1的平面图，第一导线175a可以在-y方向上延伸并且第二导线179a可以以相对于y轴约45度延伸，使得第一导线175a和第二导线179a可以在不同的层上彼此交叉。

第一导线175a和第二导线179a可以是用来传输待施加到显示设备的位移寄存器的电信号的导线，可以是用来传输待施加到显示区域da的数据线171的电信号的导线，或者可以是用来传输待施加到显示区域da的下电源线172或上电源线178的电信号的导线。

由于显示设备的分辨率增加，因此，像素的数量增加。因此，待连接到像素的数据线等的数量也增加。因此，外围区域pa中的导线的数量也增加，以将电信号从集成电路装置或印刷电路板传输到显示区域da。

在根据示例性实施方式的显示设备中，如图11所示，第一导线175a和第二导线179a安置在外围区域pa中的不同层中。如此，第一导线175a和第二导线179a中的每个的线宽度可以足够大，使得第一导线175a和第二导线179a的电阻可不增加。因此，可以避免由有限空间中每个导线的线宽度减小造成的电阻增加的情况。

根据示例性实施方式，即使第二导线179a安置在有机材料层152上，第二导线179a也可以足够远离有机材料层152上的其他导线。这是因为，由于第一导线175a和第二导线179a安置在外围区域pa中的不同层中，有机材料层152上的导线之间的间隙不需要小。因此，即使第二导线179a安置在有机材料层152上，由于第二导线179a足够远离有机材料层152上的其他导线，也可防止发生因图案化误差造成的第二导线179a与其他导线之间的短路。

通过这种方式，通过将有机材料层152安置在第一导线175a与第二导线179a之间，可以实现基板110的一部分在外围区域pa中弯曲的显示设备。例如，如图12所示，图12是根据示例性实施方式的显示设备的一部分的立体图，基板110可以具有在第一方向(例如，+x方向)上延伸的弯曲区域ba。在与第一方向交叉的第二方向(例如，+y方向)上，弯曲区域ba位于第一区域1a与第二区域2a之间。如图12所示，基板110相对于在第一方向(例如，+x方向)上延伸的弯曲轴线bax弯曲。基板110可以包括具有柔性或可弯曲特性的多种材料。基板110可以包括例如聚合树脂，诸如，聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)，或者醋酸丙酸纤维素(cap)。参考图12，尽管只将基板110示为弯曲，但应理解，设置在基板110之上的各种结构也以与基板110相同的方式弯曲。

第一区域1a包括如上文所述的显示区域da。第一区域1a还可以包括显示区域da外部的外围区域pa的一部分。第二区域2a也包括外围区域pa。

在于弯曲区域ba中弯曲的显示设备的情况中，当基板110在弯曲区域ba中弯曲时，应力可施加到弯曲区域ba中的导线，因而损坏导线。然而，在根据示例性实施方式的显示设备中，可以在弯曲过程中防止或减少第一导线175a和第二导线179a中出现缺陷。例如，在根据示例性实施方式的显示设备中，有机材料层152安置在第一导线175a与第二导线179a之间。就这点而言，由于有机材料层152的硬度低于无机材料层的硬度，因此，因基板110的弯曲而在第一无机层151或有机材料层152中产生并此外在第一导线175a或第二导线179a中产生的应力可以被有机材料层152吸收。因此，可以减少或防止对第一导线175a或第二导线179a的损坏。

为了获得由有机材料层152实现的应力吸收，有机材料层152的厚度可以大于第一无机层151和/或第二无机层153的厚度。例如，第一无机层151和/或第二无机层153的厚度可以在约0.5μm到约0.6μm，并且有机材料层152的厚度可以在约1.6μm到约1.8μm。换言之，在示例性实施方式中，有机材料层152的厚度可以比第一无机层151和/或第二无机层153的厚度大至少约两倍。

如图13所示，图13是根据示例性实施方式的显示设备的弯曲区域ba的一部分的剖视图，不同于图11中示出的示例性实施方式，第一无机层151和第二无机层153没有布置在弯曲区域ba中，并且只有有机材料层152和平整化层154布置在弯曲区域ba中。

换言之，第一无机层151可以具有与弯曲区域ba对应的开口部分，第二无机层153可以具有与第一无机层151的开口部分对应的附加开口部分，并且有机材料层152可以填充第一无机层151的开口部分。

在这种情况下，第一导线175a和第二导线179a通过有机材料层152彼此绝缘。通过这种方式，由于第一无机层151或第二无机层153没有布置在弯曲区域ba中，因此，可以降低在弯曲基板110的过程期间因无机层而造成的应力的水平。此外，由于因弯曲基板110的过程产生的弯曲区域ba中的应力被有机材料层152或平整化层154吸收，因此，可以减少或防止对第一导线175a或第二导线179a的损坏。

参考图13，在示例性实施方式中，由无机材料形成的缓冲层111、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143布置在弯曲区域ba中。然而，本公开不限于此。例如，缓冲层111、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层143中的至少一些可以具有与弯曲区域ba对应的开口部分。因此，可以降低在弯曲基板110的过程期间的弯曲区域ba中的应力的水平。

根据本公开的示例性实施方式，提供了防止导电层之间短路的显示设备。

在根据比较示例的显示设备中，为了实现具有减小的尺寸和/或高分辨率的显示设备，tft的元件之间的间隙和/或显示设备中包括的导线之间的间隙可以减小。在减小间隙时，导电层在制造过程期间可能没有正确地图案化，从而导致相邻导电图案之间发生短路。如上文所述，本公开的示例性实施方式提供了可以防止导电层之间发生短路的显示设备。

尽管已参考本公开的示例性实施方式具体示出并描述了本公开，但本领域普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求书限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对形式和细节做出各种改变。