技术特征:
技术总结
本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法,所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介质层以及源漏欧姆接触和栅金属。在衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/GaN异质结材料,并在该结构上形成源极和漏极。本发明在AlGaN势垒层中插入一组AlN/GaN,插入的GaN层作为热氧化、湿法腐蚀的停止层,在栅极下方保留了完整的AlGaN/GaN异质结构,避免了腐蚀和淀积介质层对沟道的损伤,降低了导通电阻,同时可以精确控制栅极下方势垒层的厚度,可以提高工艺的准确性、可控性、一致性,有利于产业化大规模制备。
技术研发人员:王茂俊;沈波;陶明;刘少飞;郝一龙
受保护的技术使用者:北京大学
技术研发日:2017.03.29
技术公布日:2018.10.16