技术特征：
技术总结
一种具有可调整临界电压的高压空乏型MOS元件及其制造方法，该具有可调整临界电压的高压空乏型MOS元件包含:第一导电型阱；第二导电型沟道区，用以于非空乏状态下使高压空乏型MOS元件导通操作，且于空乏状态下使高压空乏型MOS元件不导通操作；第二导电型连接区，邻接于第二型沟道区；第一导电型栅极，用以控制高压空乏型MOS元件的导通与不导通；第二导电型轻掺杂扩散区，邻接于第二导电型沟道区；第二导电型源极；第二导电型漏极，不与第一导电型栅极相邻接。其中第一导电型栅极具有第一导电型或/及第二导电型的杂质掺杂，且第一导电型栅极的净掺杂浓度根据目标临界电压而决定。
技术研发人员：黄宗义;杨清尧
受保护的技术使用者：立锜科技股份有限公司
技术研发日：2017.05.05
技术公布日：2018.11.13