本公开至少一实施例涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前，小尺寸有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)面板主要是顶发射oled，阴极主要是mg/ag等半反射半透明的阴极，而这种半反射半透明的阴极的电阻较高，由于较明显的压降(irdrop)效应和较高的功耗，半反射半透明的阴极无法在大尺寸oled面板上实施。
技术实现要素：
本公开的至少一实施例涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置，以提高显示装置出光均一性，并可以降低功耗。
本公开的至少一实施例提供一种显示基板，包括：
衬底基板，
薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，
发光元件，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘，所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板，所述第一电极与所述薄膜晶体管电连接；
连接电极，设置在所述衬底基板和所述发光元件之间，所述连接电极与所述薄膜晶体管彼此绝缘；
导通部，被配置为使所述第二电极与所述连接电极电连接。
本公开的至少一实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成薄膜晶体管，
在所述薄膜晶体管上形成发光元件，所述发光元件包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘，所述第一电极比所述第二电极更靠近衬底基板，所述第一电极与所述薄膜晶体管电连接；
在所述衬底基板和所述发光元件之间形成连接电极，所述连接电极与所述薄膜晶体管彼此绝缘；
形成导通部，所述导通部被配置为使所述第二电极与所述连接电极电连接。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开的至少一实施例提供的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的显示基板及包含该显示基板的显示装置的示意图；
图2a为本公开一实施例提供的显示基板中子像素和导通部的平面示意图；
图2b为本公开另一实施例提供的显示基板中子像素和导通部的平面示意图；
图3a为本公开一实施例提供的显示基板中第一电极和导通部的平面示意图；
图3b为本公开另一实施例提供的显示基板中第一电极和导通部的平面示意图；
图4为本公开一实施例提供的显示基板中连接电极的平面示意图；
图5为本公开另一实施例提供的显示基板及包含该显示基板的显示装置的示意图；
图6a为本公开一实施例提供的显示基板中连接电极的平面示意图；
图6b为本公开另一实施例提供的显示基板中连接电极的平面示意图；
图7为本公开另一实施例提供的显示基板及包含该显示基板的显示装置的示意图；
图8为本公开另一实施例提供的显示基板及包含该显示基板的显示装置的示意图；
图9为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中形成过孔的示意图；
图10为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中在过孔中形成第二子导通部的示意图；
图11为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中第二子导通部上形成与其电连接的第一子导通部的示意图；
图12为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中形成过孔的示意图；
图13为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中在过孔中形成第二子导通部的示意图；
图14为本公开一实施例提供的显示基板的制作方法中第二子导通部上形成与其电连接的第一子导通部的示意图。
附图标记：
10-显示基板；20-显示装置；101-衬底基板；121-薄膜晶体管；1081-漏极；131-发光元件；1121-第一电极；115-第二电极；102-连接电极；141-导通部；111-第二子导通部；1122-第一子导通部；105-栅极；10201-镂空部；112101-过孔；107-刻蚀阻挡层；108-源漏极层；109-钝化层；110-平坦层；112-第一透明导电层；113-像素限定层；114-发光功能层；116-封装层；100-子像素；0100-非像素区。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前，主流的大尺寸有机发光二极管(oled)面板都是使用底发射oled，但底发射oled由于出光面在设有薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)的一侧，势必导致开口率的降低。同时，大尺寸oled面板的tft通常采用例如igzo的氧化物半导体材料，由于氧化物半导体材料对光非常敏感，底发射oled无法避免环境光和oled发出的光对氧化物半导体材料的影响。通常的顶发射模式的显示基板包括透明或者半透明电极以利于光出射。透明或者半透明电极具有较高电阻时，可导致亮度不均，且具有较高的功耗。
本公开至少一实施例提供一种显示基板10，如图1所示，包括：
衬底基板101，例如，衬底基板101可以包括玻璃基板，但不限于此；
薄膜晶体管(tft)121，设置在衬底基板101上，
发光元件131，设置在薄膜晶体管121上，包括第一电极1121和第二电极115，第一电极1121和第二电极115彼此绝缘，第一电极1121比第二电极115更靠近衬底基板101(第一电极1121先于第二电极115形成在衬底基板101上)，第一电极1121与薄膜晶体管121电连接；第二电极115与薄膜晶体管121彼此绝缘；
连接电极102，设置在衬底基板101和发光元件131之间，连接电极102与薄膜晶体管121彼此绝缘；
导通部141，被配置为使第二电极115与连接电极102电连接。导通部141设置在第二电极115与连接电极102之间。导通部141与第一电极1121彼此绝缘，导通部141与薄膜晶体管121彼此绝缘。
本公开至少一实施例提供的显示基板，至少具有以下至少之一的有益效果：
(1)可采用顶发射的模式，顶发射模式的显示面板可具有较大的开口率，可明显提升产品亮度。
(2)利于形成大尺寸显示基板/显示面板。
(3)第二电极115与连接电极102通过导通部141电连接，第二电极115与连接电极102不同层设置，可以使得与第二电极115电连接的连接电极102可以采用不同于第二电极115的材料，可以使得第二电极115采用高透过率的材料，提高出光效率。进而，因设置了连接电极102，可以通过连接电极102向第二电极115施加电信号，可以减少压降，使得显示基板不同位置处因压降带来的电信号的差异减小，提高显示装置出光均一性，并可以降低功耗。
根据本公开一实施例提供的显示基板，第一电极1121可以为阳极，第二电极115可以为阴极，但不限于此。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图1所示，本公开实施例提供的显示基板10可应用于顶发射的显示装置，如图1所示，发光单元131发出的光从显示装置的顶面出射，连接电极102可不透明，以具有反射外界环境光的功能，从显示装置底面入射的光线可因设置的连接电极102而被反射。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图1所示，薄膜晶体管121可包括栅极104、有源层106、漏极1081和源极1082。第一电极1121可与漏极1081电连接。源极1082可被配置来施加电信号。栅极104可被配置来施加电信号以控制薄膜晶体管121的开启和关闭。第一电极1121与薄膜晶体管121电连接例如是指第一电极1121与薄膜晶体管121的漏极1081或源极1082电连接。本公开的实施例中，源极和漏极相对而言，可相互替换。本公开的实施例中，以第一电极1121与薄膜晶体管121的漏极1081电连接为例进行说明。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图1所示，显示基板10还包括设置在衬底基板101上的缓冲层103，栅极104设置在缓冲层103上，栅极104上设置栅极绝缘层105，栅极绝缘层105上设置有源层106，有源层106上设置刻蚀阻挡层107，刻蚀阻挡层107上设置源漏极层108，源漏极层108包括彼此分离且分别与有源层106相连的漏极1081和源极1082，源漏极层108上设置钝化层109，钝化层109上设置平坦层110，过孔11101贯穿缓冲层103、栅极绝缘层105、刻蚀阻挡层107、钝化层109和平坦层110，在过孔11101中形成有第二子导通部111，平坦层110上设置第一透明导电层112，第一透明导电层112包括第一电极1121和第一子导通部1122，第一子导通部1122和第二子导通部111构成导通部141。第一透明导电层112上形成像素限定层113，像素限定层113上设置发光功能层114，发光功能层114上形成第二电极115。第二电极115通过导通部141与连接电极102电连接。
例如，发光功能层114例如至少包括发光层，还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层等至少之一，当然，还可以包括其他的层结构，在此不做限定。
例如，缓冲层103、栅极绝缘层105、刻蚀阻挡层107和钝化层109中任一个的材质可采用siox，siny，和sinxoy中的至少一个，平坦层110可采用树脂材料。平坦层可具有基本平坦的表面，以利于制作第一电极。
需要说明的是，本公开实施例提供的显示基板的构造不限于图1中所示，本公开的实施例以图1所示的显示基板为例进行说明。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图2a所示，包括多个子像素100，多个子像素100呈阵列排布。子像素100可通过像素限定层113来限定。显示基板除了子像素100所在的像素区外，还包括非像素区0100。如图2a和2b所示，导通部141可设置在非像素区0100内。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图3a和3b所示，每个子像素100可对应一个发光元件131。发光元件131的数量为多个，各发光元件131的第一电极1121之间彼此绝缘。如图3a和3b所示，导通部141可设置在非像素区0100内。导通部141可位于相邻的第一电极1121之间。例如，如图3a所示，导通部141位于相邻两个第一电极1121之间。例如，如图3b所示，导通部141位于相邻四个第一电极1121之间。
各发光元件131的第二电极115可彼此连通并被配置为给多个发光元件131提供电信号。因连接电极102的设置，可使得不同位置处的电信号差异减小，信号延迟减小，从而提高显示效果。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图4所示，连接电极102的形状可包括面状。面状的连接电极102可设置在衬底基板101和薄膜晶体管121之间。如图4示出了图1所示的显示基板中的连接电极的平面示意图。面状的连接电极102利于反射发光单元131照射到其上的光，利于提高光的利用率。但连接电极102的形状并不限于面状。还可采用网格状等其他形状。面状的连接电极102更利于减小压降。
根据本公开一实施例提供的显示基板，连接电极102的方阻低于第二电极115的方阻。即，连接电极102可具有低方阻。例如，第二电极115可只提供相邻子像素的电信号，无需很低的方阻，可以制备成很高穿透率的透明电极，以提高出光效率。
例如，第一电极1121和第二电极115可采用金属(薄金属层)或透明导电氧化物材料，例如，薄金属层可以是mg/ag层，透明导电氧化物包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)等金属氧化物透明导电材料，还可以为叠层结构，例如ito/ag/ito。例如，连接电极102的材质包括金属，导通部141的材质包括金属，透明导电氧化物至少之一，透明导电氧化物例如包括ito。金属材质的连接电极102可具有低方阻且不透明。
根据本公开一实施例提供的显示基板，为了节省制作工艺，如图5所示，连接电极102与漏极同层设置，可使得导通部141与第一电极1121同层设置。导通部141与第一电极1121彼此绝缘。从而，可以同层形成导通部141与第一电极1121，省去单独制作导通部141的步骤。同样，导通部141与第一电极1121的平面示意图可参照图3a和3b所示。如图5所示，连接电极102包括镂空部10201，连接电极102的平面图可参照图6a和6b。例如，如图6a所示，连接电极102的形状包括含有镂空结构10201的面状。镂空结构10201形状可包括圆形、矩形等形状。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图7所示，连接电极102可设置在薄膜晶体管121和发光元件131之间，并且连接电极102包括镂空部10201以使得连接电极102和第一电极1121彼此绝缘。第一电极1121通过贯穿平坦层110和钝化层109的过孔112101与漏极1081电连接，在垂直于衬底基板101的方向上过孔112101位于镂空结构10201的范围内，且过孔112101小于镂空结构10201，从而，可使得连接电极102和第一电极1121电绝缘，避免电连接。
根据本公开一实施例提供的显示基板，如图8所示，连接电极102可与薄膜晶体管121的栅极105同层设置，并且连接电极102包括镂空部10201以使连接电极102和薄膜晶体管121的栅极105彼此绝缘。连接电极102的平面图可参照图6a和6b。
本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制作方法，如图1、5、7和8所示，包括：
在衬底基板101上形成薄膜晶体管121，
在薄膜晶体管121上形成发光元件131，发光元件131包括第一电极1121和第二电极115，第一电极1121和第二电极115彼此绝缘，第一电极1121比第二电极115更靠近衬底基板101，第一电极1121与薄膜晶体管121电连接；
在衬底基板101和发光元件131之间形成连接电极102，连接电极102与薄膜晶体管121彼此绝缘；
形成导通部141，导通部141被配置为使第二电极115与连接电极102电连接。导通部141设置在第二电极115与连接电极102之间。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，连接电极102的方阻低于第二电极115的方阻。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，如图1所示，可在衬底基板101和薄膜晶体管121之间形成连接电极102。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，可如图2a、2b、3a和3b所示，发光元件131的数量为多个，各发光元件131的第一电极1121之间彼此绝缘，各发光元件131的第二电极115彼此连通并被配置为给多个发光元件131提供电信号。从而，可利于减少信号传输时的压降。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，如图3a和3b所示，导通部141可位于相邻的第一电极1121之间。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，如图5和8所示，薄膜晶体管121包括栅极105和漏极1081，第一电极1121可与漏极1081电连接。连接电极102可与薄膜晶体管121的栅极105或漏极1081之一同层形成，并且连接电极102包括镂空部以使连接电极102和薄膜晶体管121彼此绝缘。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，为了减少制作工艺，可如图5所示，同层形成导通部141和第一电极1121，并且导通部141与第一电极1121彼此绝缘。此时，漏极1081可以与连接电极102同层设置。以利于减少制作工艺。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，为了节省制作工艺，如图8所示，连接电极102还可与栅极104同层设置，连接电极102包括镂空部10201以使连接电极102和薄膜晶体管121的栅极105彼此绝缘。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，如图7所示，连接电极102设置在薄膜晶体管121和发光元件131之间，并且连接电极102包括镂空部以使得连接电极102和第一电极1121彼此绝缘。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，导通部141可单独制作，也可以与第一电极1121同层形成，连接电极102可形成在衬底基板101和薄膜晶体管121之间，也可以形成在薄膜晶体管121和发光单元131之间，还可以和薄膜晶体管121中的栅极104或源漏极层108同层形成。
以形成如图1所示的显示基板为例，如图9所示，连接电极102形成在衬底基板101和薄膜晶体管121之间，形成平坦层110后，可形成贯穿缓冲层103、栅极绝缘层105、刻蚀阻挡层107、钝化层109和平坦层110过孔11101，如图10所示，形成过孔11101后，可形成第二子导通部111，第二子导通部111形成在对应过孔11101的位置处，第二子导通部111与连接电极102电连接。如图11所示，再形成第一透明导电层112，第一透明导电层112包括与第一电极1121绝缘的第一子导通部1122。第一子导通部1122与第二子导通部111电连接，再进行后续步骤，在后续形成第二电极115的过程中，使其与第一子导通部1122电连接。
以形成如图7所示的显示基板为例，如图12所示，连接电极102形成在薄膜晶体管121和发光单元131之间，形成平坦层110后，可形成贯穿平坦层110的过孔1101，如图13所示，形成过孔1101后，可形成第二子导通部111，第二子导通部111形成在对应过孔1101的位置处，第二子导通部111与连接电极102电连接。如图14所示，再形成第一透明导电层112，第一透明导电层112包括与第一电极1121绝缘的第一子导通部1122。第一子导通部1122与第二子导通部111电连接，再进行后续步骤，在后续形成第二电极115的过程中，使其与第一子导通部1122电连接。
以形成如图5所示的显示基板为例，连接电极102与薄膜晶体管121的漏极1081同层形成，在源漏极层108上形成钝化层109和平坦层110后，制作对应连接电极102和漏极1081的过孔，在形成第一透明导电层112时，同层形成彼此绝缘的导通部141和第一电极1121。该种制作方法可节省单独形成连接电极102和单独形成导通部141的步骤，利于工艺的节省。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，过孔的形成可采用刻蚀的方法，例如，形成过孔时，可刻蚀到连接电极102，裸露一部分连接电极102，可通过沉积或者印刷等方式在过孔中形成导通部141或形成第二子导通部111。
根据本公开一实施例提供的显示基板的制作方法，可使用精细金属掩模(finemetalmask)制备发光功能层，再采用开口掩模板(openmask)制备第二电极115和光提取层，再进行封装等工艺。形成发光功能层114时，可以采用蒸镀或者打印制备的rgboled器件或者白光oeld器件，制备有机发光功能层时，可遮住导通部141，从而，在制作第二电极115时，可使得第二电极115与导通部141电连接。
本公开至少一实施例提供的显示基板的制作方法和本公开至少一实施例提供的显示基板相同或相似之处可互相参见，在此不再赘述。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，包括本公开实施例提供的任一显示基板。
如图1、5、7和8所示，显示装置还可包括封装层116。例如，封装层116可采用薄膜或衬底基板，例如，可采用玻璃基板，但不限于此。
在本公开的实施例中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
有以下几点需要说明：
(1)除非另作定义，本公开实施例以及附图中，同一附图标记代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(4)在不冲突的情况下，本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。