一种改进型强散热三极管的制作方法

技术领域：

本发明涉及电梯设备技术领域，更具体的说涉及一种改进型强散热三极管。

背景技术：
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三极管是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。

申请号201420590308.1的中国实用新型专利公开了一种带有散热面的三极管，其主要通过底板上设置突出部进行散热，然而其部位处于绝缘导热片的一侧，并不是正下方，其散热效果相对降低。

技术实现要素：
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本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种改进型强散热三极管，它通过绝缘导热片的底面成型有的多个条形凸起插套并卡置在连接凹槽中，从而增加与底板的接触面积，通过底板进行散热，而绝缘导热片的正下方的底板的底面具有的凹槽的底面成型有多个散热凸点，从而增加散热面积同时，可以通过空气流动，大大提高散热效果，提高其使用寿命。

本发明解决所述技术问题的方案是：

一种改进型强散热三极管，包括半导体芯片、绝缘导热片和底板，所述半导体芯片上设有三个引脚，所述三个引脚分别与半导体芯片的集电区、基区、发射区连接，所述绝缘导热片固定在半导体芯片的底面上，所述绝缘导热片的底面成型有多个条形凸起，绝缘导热片的底面固定在底板上，底板的顶面具有多个连接凹槽，条形凸起插套并卡置在连接凹槽中。

所述底板的左侧设有连接固定通孔。

所述半导体芯片、绝缘导热片和部分引脚塑封在热固性塑料中。

所述底板上设有四个通孔，两个通孔处于绝缘导热片的一侧，另两个通孔处于绝缘导热片的另一侧。

所述通孔为上端直径大小端直径小的圆台形。

所述底板处于绝缘导热片的正下方的底面具有凹槽，凹槽的底面成型有多个散热凸点，散热凸点的底面与底板的底面相平。

本发明的突出效果是：与现有技术相比，它通过绝缘导热片的底面成型有的多个条形凸起插套并卡置在连接凹槽中，从而增加与底板的接触面积，通过底板进行散热，而绝缘导热片的正下方的底板的底面具有的凹槽的底面成型有多个散热凸点，从而增加散热面积同时，可以通过空气流动，大大提高散热效果，提高其使用寿命。

附图说明：

图1是本发明的局部俯视图；

图2是本发明的局部剖视图。

具体实施方式：

实施例，见如图1至图2所示，一种改进型强散热三极管，包括半导体芯片10、绝缘导热片20和底板30，所述半导体芯片10上设有三个引脚11，所述三个引脚11分别与半导体芯片10的集电区、基区、发射区连接，所述绝缘导热片20固定在半导体芯片10的底面上，所述绝缘导热片20的底面成型有多个条形凸起21，绝缘导热片20的底面固定在底板30上，底板30的顶面具有多个连接凹槽31，条形凸起21插套并卡置在连接凹槽31中。

进一步的说，所述底板30的左侧设有连接固定通孔32。

进一步的说，所述半导体芯片10、绝缘导热片20和部分引脚11塑封在热固性塑料40中。

进一步的说，所述底板30上设有四个通孔33，两个通孔33处于绝缘导热片20的一侧，另两个通孔33处于绝缘导热片20的另一侧。

进一步的说，所述通孔33为上端直径大小端直径小的圆台形。

进一步的说，所述底板30处于绝缘导热片20的正下方的底面具有凹槽34，凹槽34的底面成型有多个散热凸点35，散热凸点35的底面与底板30的底面相平。

本实施例中，其绝缘导热片20可以为白石墨，白石墨具有类似石墨的层状结构，有良好的润滑性，电绝缘性导热性和耐化学腐蚀性，具有中子吸收能力，白石墨具有良好的电绝缘性，是热的良好导体。

而底板30可以为铜或铝等材质，其散热效果好。

而通孔33在进行塑封的时候可以将热固性塑料进入通孔33中，提高固定封装效果。

最后，以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种改进型强散热三极管，包括半导体芯片、绝缘导热片和底板，所述半导体芯片上设有三个引脚，所述三个引脚分别与半导体芯片的集电区、基区、发射区连接，所述绝缘导热片固定在半导体芯片的底面上，所述绝缘导热片的底面成型有多个条形凸起，绝缘导热片的底面固定在底板上，底板的顶面具有多个连接凹槽，条形凸起插套并卡置在连接凹槽中。本发明通过绝缘导热片的底面成型有的多个条形凸起插套并卡置在连接凹槽中，从而增加与底板的接触面积，通过底板进行散热，而绝缘导热片的正下方的底板的底面具有的凹槽的底面成型有多个散热凸点，从而增加散热面积同时，可以通过空气流动，大大提高散热效果，提高其使用寿命。

技术研发人员：徐亚维
受保护的技术使用者：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
技术研发日：2017.05.12
技术公布日：2017.08.22