电子封装件及其制法的制作方法

本发明关于一种电子封装件，特别是关于一种具有天线结构的电子封装件及其制法。

背景技术

随着近年來可携式电子产品的蓬勃发展，各類相关产品的开发亦朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势，为此，业界发展出各式整合多功能的封装态样，以期能符合电子产品轻薄短小与高密度的要求。例如，目前无线通信技术已广泛应用于各式各样的消费性电子产品，如手机(cellphone)、平板等，以藉由天线接收或发送各种无线射频(radiofrequency，简称rf)信号。

图1为悉知具天线结构的半导体封装件1的剖视示意图。该半导体封装件1的制法于一封装基板10的线路100上藉由多个导电凸块130设置一半导体组件13，且于该封装基板10上形成有一天线层14，再以封装胶体15包覆该半导体组件13与天线层14，以藉该天线层14辐射出电磁波。

然而，悉知半导体封装件1中，由于该天线层14形成于该封装基板10的表面上，使该天线层14的发射与接收电磁波的特性会对该封装基板10的内部线路100’及该半导体组件13造成电磁干扰(electromagneticinterference，简称emi)的问题。

因此，如何克服上述悉知技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现要素：

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种电子封装件及其制法，能减少该天线结构干涉该承载件的线路的信号传输。

本发明的电子封装件，包括：一具有线路的承载件；第一封装层，其形成于该承载件上；电子组件，其设于该第一封装层上；以及天线结构，其设于该第一封装层上。

本发明还提供一种电子封装件的制法，包括：形成第一封装层于一具有线路的承载件上；以及设置至少一电子组件与天线结构于该第一封装层上。

前述的电子封装件及其制法中，该第一封装层中形成有电性连接该电子组件与该线路的导电体。

前述的电子封装件及其制法中，该天线结构为平面式或立体式。

前述的电子封装件及其制法中，还包括形成第二封装层于该第一封装层上以包覆该电子组件，且该第二封装层具有相对的第一表面与第二表面，使该第二封装层以其第一表面结合至该第一封装层上。例如，该天线结构包含天线层与第一作用层，该天线层结合至该第一表面或第二表面，且该第一作用层结合至该第一表面。进一步地，该天线结构还包含结合该承载件的第二作用层。

另外，前述的电子封装件及其制法中，还包括形成屏蔽结构于该第一封装层上以遮盖该电子组件。进一步地，该屏蔽结构电性连接该天线结构。

由上可知，本发明的电子封装件及其制法中，主要藉由该承载件上形成第一封装层以隔离该天线结构与该承载件的线路，故相较于悉知技术，本发明能减少该天线结构于接收或发射电磁波时干涉该线路的信号传输。

此外，本发明的电子封装件可利用该屏蔽结构隔离该电子组件与该天线结构，以避免该天线结构对该电子组件的emi问题的发生。

附图说明

图1为悉知具天线结构的半导体封装件的剖面示意图；

图2a至图2d为本发明的电子封装件的制法的剖面示意图；

图2c’为对应图2c的另一实施例的剖面示意；

图2d’为对应图2d的另一实施例的剖面示意；以及

图3a及图3b为对应图2d的其它不同实施例的剖面示意图。

主要组件符号说明

1半导体封装件

10封装基板

100,100’线路

13半导体组件

130,230导电凸块

14天线层

15封装胶体

2,2’,2”,3,3’电子封装件

20承载件

20a第一侧

20b第二侧

200,200’线路

201介电材

21第一封装层

22导电体

22a表面

23电子组件

24,24’,34,34’天线结构

240,340天线层

241,241’,341,341’第一作用层

25第二封装层

25a第一表面

25b第二表面

26屏蔽结构

260支撑部

261遮蔽部

342第二作用层

d,t间隔。

具体实施方式

以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。

图2a至图2d为本发明的电子封装件的制法的剖面示意图。

如图2a所示，提供一具有相对的第一侧20a与第二侧20b的承载件20。

于本实施例中，该承载件20例如为具有核心层与线路结构的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构，其于介电材201上形成多个线路200,200’，如扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称rdl)。例如，该线路200,200’为如铜的金属材，且该介电材201为预浸材(prepreg，简称pp)、聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、苯并环丁烯(benezocy-clobutene，简称bcb)、聚对二唑苯(polybenzoxazole，简称pbo)或玻纤(glassfiber)。

应可理解地，该承载件20亦可为其它可供承载如芯片等电子组件的承载单元，例如导线架(leadframe)或如硅中介板(siliconinterposer)的半导体板材等。

如图2b所示，形成一第一封装层21于该承载件20的第一侧20a上，且于该第一封装层21中形成有多个电性连接该线路200的导电体22。

于本实施例中，该第一封装层21透过模压制程或压合薄膜制程形成，且形成该第一封装层21的材质例如为预浸材(pp)、聚酰亚胺(pi)、苯并环丁烯(bcb)、聚对二唑苯(pbo)、干膜(dryfilm)、环氧树脂(epoxy)或封装材(moldingcompound)，但不限于上述。

此外，该导电体22例如为柱状、线状或块状，例如金属柱(如铜柱)、焊线段、焊球(solderball)或其它型式。

又，该导电体22的制作方式繁多。例如，先形成该导电体22于该线路200上，再形成该第一封装层21于该承载件20的第一侧20a上，以包覆该导电体22，使该导电体22的部分表面22a外露于该第一封装层21。或者，先形成该第一封装层21于该承载件20的第一侧20a上，再于该第一封装层21中形成穿孔，之后形成该导电体22于该穿孔中，且该导电体22的部分表面22a外露出该第一封装层21。

如图2c所示，接置至少一电子组件23于该第一封装层21上，且形成一天线结构24于该第一封装层21上，其中，该电子组件23与该天线结构24相分离。

于本实施例中，该电子组件23为主动组件、被动组件或其二者组合等，其中，该主动组件例如为半导体芯片，且该被动组件例如为电阻、电容及电感。例如，该电子组件23为半导体芯片，其藉由多个如焊锡材料的导电凸块230以覆晶方式设于该导电体22的外露表面22a上并电性连接该导电体22；或者，该电子组件23可藉由多个焊线(图略)以打线方式电性连接该导电体22；亦或，该电子组件23可直接接触该导电体22。然而，有关该电子组件23电性连接该导电体22的方式不限于上述。

此外，该天线结构24包含相互通讯连接的一天线层240与一第一作用层241，且该第一作用层241自该天线层240延伸。具体地，如图2c所示，该天线结构24为平面式，使该第一作用层241与该天线层240均结合至该第一封装层21，其可藉由溅镀(sputtering)、蒸镀(vaporing)、电镀、化镀或贴膜(foiling)等方式形成。或者，如图2c’所示，该天线结构24’为立体式，使该第一作用层241’立设于该第一封装层21上而将该天线层240架设于该第一封装层21上方，其可藉由将金属片折成金属架的方式形成。

又，进一步地，如图2d所示的电子封装件2’，可形成一第二封装层25于该第一封装层21上以包覆该电子组件23、导电凸块230与该天线结构24，且该第二封装层25具有相对的第一表面25a与第二表面25b，使该第二封装层25以其第一表面25a结合至该第一封装层21，且该第一作用层241与该天线层240位于同一侧(即该第一表面25a之侧)而未外露出该第二封装层25的第二表面25b。

具体地，该第二封装层25透过模压制程或压合薄膜制程形成，且形成该第二封装层25的材质为预浸材、聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对二唑苯、干膜、环氧树脂或封装材等，但不限于上述，故该第一与第二封装层21,25的材质可依需求相同或不相同。应可理解地，亦可于该第一封装层21与该电子组件23之间形成底胶(图未示)，以包覆该些导电凸块230，再使该第二封装层25包覆该底胶。

另外，还可于该电子组件23周围形成一屏蔽(shielding)结构26，且该屏蔽结构26电性连接该天线结构24，其中，该屏蔽结构26包含至少一环绕该电子组件23且立设于该第一封装层21上并电性连接该第一作用层241的支撑部260、及对应设于该电子组件23上方的遮蔽部261，且该遮蔽部261外露出该第二封装层25的第二表面25b。

具体地，该屏蔽结构26的制作方式可先将如金属框架构造的屏蔽结构26架设于该第一封装层21上，如图2d’所示，再形成该第二封装层25，其中，该支撑部260为金属柱或金属墙，且该遮蔽部261为金属片。或者，先形成该第二封装层25，再以雷射形成穿孔(via)于该第二封装层25上，之后可藉由溅镀、蒸镀、电镀、化镀等方式形成该支撑部260于该穿孔中，且藉由溅镀、蒸镀、电镀、化镀或贴膜等方式形成该遮蔽部261于该第二封装层25的第二表面25b上，以完成该屏蔽结构26的制作，其中，该支撑部260为导电穿孔型式，且该遮蔽部261为金属层型式。有关该屏蔽结构26的制作并不限于上述。

于另一实施例中，如图2d’所示的电子封装件2”，可省略该第二封装层25的制作，而仅制作该屏蔽结构26。

于其它实施例中，如图3a及图3b所示的电子封装件3,3’，该天线结构34,34’可外露于该第二封装层25的第二表面25b。具体地，如图3a所示，该天线结构34的天线层340为天线本体，其形成于该第二封装层25的第二表面25b上以外露于该第二封装层25的第二表面25b，且该第一作用层341作为信号线，其位于该第二封装层25的第一表面25a上(或该第一封装层21上)并电性连接该屏蔽结构26的支撑部260及电子组件23，使该天线层340与该第一作用层341相对迭设并于两者之间具有一间隔t，以令该第一作用层341与该天线层340藉由电磁耦合方式传输信号，故天线层的形状及排列设计因无其它组件占据空间而具有较高的自由度。

或者，如图3b所示，该天线结构34’还包括一作为信号线的第二作用层342，其形成于该承载件20的第一侧20a上并电性连接该线路200，且该第一作用层341’作为转接线，用以转传该第二作用层342的信号至该天线层340，其未接触及未电性连接该屏蔽结构26，并于该第二作用层342与该第一作用层341’之间具有另一间隔d，以令该第二作用层342与该第一作用层341’藉由电磁耦合方式传输信号。

本发明的制法藉由该承载件20的第一侧20a上形成第一封装层21以隔离该天线结构24,24’,34,34’与该承载件20的线路200,200’，故相较于悉知技术，本发明能减少该天线层240,340于接收或发射电磁波时干涉该承载件20的线路200,200’的信号传输。

此外，本发明的电子封装件2’,2”,3,3’可利用该屏蔽结构26隔离该电子组件23与该天线结构24,34,34’，以避免该天线层240,340对该电子组件23的串音干扰(crosstalking)、噪音干涉(noiseinterfering)及辐射干扰(radiationinterference)等emi问题的发生。

本发明还提供一种电子封装件2,2’,2”,3,3’，其包括：一具有线路200,200’的承载件20、形成于该承载件20上的第一封装层21、至少一设于该第一封装层21上的电子组件23、以及一形成于该第一封装层21上的天线结构24,24’,34,34’。

于一实施例中，该第一封装层21中形成有多个导电体22，其电性连接该电子组件23与该线路200。

于一实施例中，该天线结构24,34,34’为平面式；或者，该天线结构24’为立体式。

于一实施例中，该电子封装件2’,3,3’还包括一第二封装层25，形成于该第一封装层21上以包覆该电子组件23，且该第二封装层25具有相对的第一表面25a与第二表面25b，使该第二封装层25以其第一表面25a结合至该第一封装层21上。例如，该天线结构24,24’,34,34’包含一天线层240,340与一第一作用层241,241’,341,341’，该天线层240,340形成于该第一表面25a或第二表面25b，且该第一作用层241,341,341’结合该第一表面25a。或者，该天线结构34’还包含一结合该承载件20的第二作用层342。

于一实施例中，该电子封装件2’,2”,3,3’还包括一屏蔽结构26，形成于该第一封装层21上以遮盖该电子组件23。进一步地，该屏蔽结构26电性连接该天线结构24,34。

综上所述，本发明的电子封装件及其制法，藉由在承载件上形成封装层，再于该封装层上形成天线结构，以隔离该天线结构与该承载件的线路，故能减少该天线结构于接收或发射电磁波时干涉该线路的信号传输。

此外，利用在电子组件外形成屏蔽结构隔离该电子组件与该天线结构，以防止该天线结构对该电子组件的电磁干扰。

上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改，且前述各实施例的内容可再相互组合应用。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。