闪存存储器存储单元的制作方法

本发明涉及闪存存储器技术领域，特别是涉及一种改良的分离栅极闪存存储器及其制作方法。

背景技术

已知，分离栅极存储器是一种非挥发性闪存存储器，其中选择栅极被设置在与存储器栅极相邻的位置。在分离栅极存储器的编程期间，选择栅极被施加一相对较低的偏压，而存储器栅极被施加一高电压以提供热载流子注入所需的垂直电场。

在选择栅极与存储器栅极间通常仅设置有一薄的氧化物-氮化物间隙壁。薄的氧化物-氮化物间隙壁可以帮助改善存储单元的饱和电流idsat或读取电流。然而，另一方面，薄的氧化物-氮化物间隙壁也同时会增加存储器栅极与选择栅极间的电容，影响存储单元的操作速度。

因此，该技术领域目前仍需要一种改良的闪存存储器结构，可以兼顾存储单元的饱和电流idsat以及存储单元的操作速度的改善。

技术实现要素：

为达上述目的，本发明提供一种改良的闪存存储器存储单元结构，能够兼顾存储单元的饱和电流idsat以及存储单元的操作速度的改善。

本发明一实施例公开一种闪存存储器存储单元，包含一基底、一存储器栅极，设于该基底上、一电荷存储层，介于该存储器栅极与该基底间、一选择栅极，邻近该存储器栅极、一选择栅极介电层，设于该选择栅极与该基底间、一第一氧化物-氮化物间隙壁，介于该存储器栅极与该选择栅极间，及一第二氧化物-氮化物间隙壁。选择栅极包含一上端部位及一下端部位。第二氧化物-氮化物间隙壁仅介于第一氧化物-氮化物间隙壁与选择栅极的上端部位间。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为依据本发明一实施例所绘示的一种闪存存储器的剖面示意图；

图2至图7为依据本发明一实施例所绘示的制作图1中闪存存储器的存储单元的方法示意图。

主要元件符号说明

1闪存存储器

10基底

11阵列区离子阱

12电荷存储层

22选择栅极介电层

30底切凹陷区域

40光致抗蚀剂图案

100a第一侧壁面

100b第二侧壁面

101介电盖层

111第一轻掺杂漏极

112第二轻掺杂漏极

121下氧化硅层

122中间氮化硅层

123上氧化硅层

201上端部位

202下端部位

411第一氧化硅层

412第一氮化硅层

421第二氧化硅层

422第二氮化硅层

431第三氧化硅层

432第三氮化硅层

441第四氧化硅层

442第四氮化硅层

c1存储单元

c2存储单元

s源极掺杂区

d漏极掺杂区

s1第一氧化物-氮化物间隙壁

s2第二氧化物-氮化物间隙壁

s3第一轻掺杂漏极间隙壁

s4第二轻掺杂漏极间隙壁

mg存储器栅极

sg选择栅极

h高度

具体实施方式

在下文中，将参照附图说明细节，该些附图中的内容也构成说明书细节描述的一部分，并且以可实行该实施例之特例描述方式来绘示。下文实施例已描述足够的细节使该领域的一般技术人士得以具以实施。

当然，也可采行其他的实施例，或是在不悖离文中所述实施例的前提下作出任何结构性、逻辑性、及电性上的改变。因此，下文之细节描述不应被视为是限制，反之，其中所包含的实施例将由随附的权利要求来加以界定。

请参阅图1，其为依据本发明一实施例所绘示的一种闪存存储器的剖面示意图。如图1所示，闪存存储器1包含一基底10，例如硅基底或p型硅基底。在基底10中可以形成有一阵列区离子阱11，例如，p型阱。

为简化说明，图1中的闪存存储器仅显示两个左、右互相对称的存储单元c1及c2。存储单元c1及c2可以通过中间共用的漏极掺杂区d构成串联，但本发明不限于此组态。以下将仅介绍存储单元c1的结构。

根据本发明一实施例，闪存存储器1的存储单元c1包含一存储器栅极mg，设于基底10上，以及一电荷存储层12，介于存储器栅极mg与基底10间。

根据本发明一实施例，存储器栅极包含多晶硅，电荷存储层12包含一氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide,ono)层。

例如，根据本发明一实施例，电荷存储层12包含一下氧化硅层121、一中间氮化硅层122及一上氧化硅层123，其中，中间氮化硅层122可以作为电荷存储媒介。

根据本发明一实施例，闪存存储器1的存储单元c1包含一选择栅极sg，邻近存储器栅极mg。根据本发明一实施例，选择栅极sg可以包含多晶硅，但不限于此。

根据本发明一实施例，存储器栅极mg具有一第一侧壁面100a及一相对于第一侧壁面100a的第二侧壁面100b。根据本发明一实施例，选择栅极sg仅位于第二侧壁面100b上。

换言之，在存储器栅极mg的第一侧壁面100a上没有选择栅极。因此，闪存存储器1的存储单元c1本身是一个左、右不对称的结构。

根据本发明一实施例，选择栅极sg包含一上端部位201及一下端部位202。根据本发明一实施例，上端部位201及下端部位202为结构上连续且在结构上为一体的。

根据本发明一实施例，闪存存储器1的存储单元c1包含一选择栅极介电层22，设于选择栅极sg与基底10间。根据本发明一实施例，选择栅极介电层22可以是氧化硅层，但不限于此。在进行读、写操作时，选择栅极介电层22下方的通道可以被打开，让电流通过。

根据本发明一实施例，闪存存储器1的存储单元c1包含一第一氧化物-氮化物(oxide-nitride)间隙壁s1，介于存储器栅极mg与选择栅极sg之间。

根据本发明一实施例，闪存存储器1的存储单元c1包含一第二氧化物-氮化物间隙壁s2，介于第一氧化物-氮化物间隙壁s1与选择栅极sg的上端部位201之间。

根据本发明一实施例，第二氧化物-氮化物间隙壁s2仅位于第一氧化物-氮化物间隙壁s1及选择栅极sg的上端部位201中间。换言之，第一氧化物-氮化物间隙壁s1及选择栅极sg的下端部位202中间不会有第二氧化物-氮化物间隙壁s2。

根据本发明一实施例，于第二氧化物-氮化物间隙壁s2正下方与基底10之间设置有一底切凹陷区域30。根据本发明一实施例，选择栅极sg的下端部位202延伸至底切凹陷区域30内。根据本发明一实施例，选择栅极sg的下端部位202填满底切凹陷区域30。

根据本发明一实施例，第一氧化物-氮化物层s1包含一第一氧化硅层411及一第一氮化硅层412，第二氧化物-氮化物层s2包含一第二氧化硅层421及一第二氮化硅层422。

根据本发明一实施例，其中第二氧化硅层421直接接触第一氮化硅层412。第一氮化硅层412的底部可以直接接触到基底10。

根据本发明一实施例，第一氧化硅层411具有一第一厚度，第二氧化硅层421具有一第二厚度，其中第二厚度比第一厚度厚。例如，第一厚度可以小于10纳米，而第二厚度可以介于10至30纳米。底切凹陷区域30具有一高度h，而所述高度h等于第二厚度。

根据本发明一实施例，位于第二氧化物-氮化物层s2正下方，延伸至底切凹陷区域30内的选择栅极sg的下端部位202，仅会接触到第一氮化硅层412，而不会接触到第一氧化硅层411。

根据本发明一实施例，存储器栅极mg、第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2具有约略共面的上表面，而选择栅极sg的上端部位201会稍微凸出于存储器栅极mg、第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2的上表面。

根据本发明一实施例，在存储器栅极mg的第一侧壁面100a上设置有一第一轻掺杂漏极间隙壁s3，其中，在第一轻掺杂漏极间隙壁s3正下方的基底10中设置有一第一轻掺杂漏极(lightlydopeddrain,ldd)111。

根据本发明一实施例，第一轻掺杂漏极间隙壁s3可以包括一第三氧化硅层431及一第三氮化硅层432，其中，第三氧化硅层431可以具有一l形剖面轮廓，而第三氮化硅层432位于第三氧化硅层431上，不会与基底10接触。

根据本发明一实施例，在邻近第一轻掺杂漏极111的基底10中设置有一源极掺杂区s。源极掺杂区s与第一轻掺杂漏极111邻接。

根据本发明一实施例，在选择栅极sg上设置有一第二轻掺杂漏极间隙壁s4，其中，在第二轻掺杂漏极间隙壁s4正下方的基底10中设置有一第二轻掺杂漏极112。

根据本发明一实施例，在邻近第二轻掺杂漏极112的基底10中设置有一漏极掺杂区d。漏极掺杂区d与第二轻掺杂漏极112邻接。在第一轻掺杂漏极111与第二轻掺杂漏极112间的基底10中还包括一通道区域。

根据本发明一实施例，第一轻掺杂漏极111及第二轻掺杂漏极112可以是n型ldd。根据本发明一实施例，源极掺杂区s及漏极掺杂区d可以是n⁺掺杂区。

根据本发明一实施例，第二轻掺杂漏极间隙壁s4可以包括一第四氧化硅层441及一第四氮化硅层442，其中，第四氧化硅层441可以具有一l形剖面轮廓，而第四氮化硅层442位于第四氧化硅层441上，不会与基底10接触。

本发明的优点在于：通过提供第二氧化物-氮化物间隙壁s2正下方的一底切凹陷区域30，使得选择栅极sg的下端部位202可以延伸至底切凹陷区域30内。如此，选择栅极sg的下端部位202与存储器栅极mg中间仅有第一氧化物-氮化物层s1，故在读取操作时，不会影响到存储单元的饱和电流idsat或读取电流。

另一方面，由于选择栅极sg的上端部位201与存储器栅极mg中间除了第一氧化物-氮化物层s1，还有第二氧化物-氮化物间隙壁s2，使得选择栅极sg的上端部位201与存储器栅极mg距离可以较远，降低寄生电容，因而能改善操作速度。

请参阅图2至图7，其为依据本发明一实施例所绘示的制作图1中闪存存储器1的存储单元c1及c2的方法示意图，其中相同的元件、层或区域仍沿用相同的符号来表示。

如图2所示，首先提供一基底10，例如，硅基底或p型硅基底。在基底10中可以形成有一阵列区离子阱11，例如，p型阱。接着形成一存储器栅极mg，设于基底10上。在存储器栅极mg与基底10间，形成有一电荷存储层12。在存储器栅极mg上，可以有一介电盖层101。

接着，在存储器栅极mg的第一侧壁面100a及第二侧壁面100b上形成第一氧化物-氮化物间隙壁s1。第一氧化物-氮化物层s1包含一第一氧化硅层411及一第一氮化硅层412。

根据本发明一实施例，形成第一氧化物-氮化物层s1的方法可以包含两个步骤。例如，先沉积第一氧化硅层411，回蚀刻第一氧化硅层411，然后沉积第一氮化硅层412，再回蚀刻第一氮化硅层412。因此，第一氮化硅层412下端会直接接触到基底10。

如图3所示，接着在第一氧化物-氮化物层s1上形成第二氧化物-氮化物层s2。第二氧化物-氮化物层s2包含一第二氧化硅层421及一第二氮化硅层422。在其它实施例中，第二氮化硅层422可以是其它与第二氧化硅层421具有蚀刻选择比的材料，例如，sion、sicn、sicon或sic等。

值得注意的是，此处与第一氧化物-氮化物层s1的作法稍有不同，第二氧化物-氮化物层s2的作法是先沉积第二氧化硅层421及第二氮化硅层422之后，再一起回蚀刻第二氧化硅层421及第二氮化硅层422，因此，第二氮化硅层422下端不会直接接触到基底10，而第二氧化硅层421会有l形轮廓。

如图4所示，接着在基底10上形成一光致抗蚀剂图案40，仅覆盖住各个存储单元c1及c2的单一边的第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2。再以蚀刻制作工艺，将未被光致抗蚀剂图案40覆盖的各个存储单元c1及c2的另一边的第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2去除。接着去除光致抗蚀剂图案40。在其它实施例中，也可以仅去除未被光致抗蚀剂图案40覆盖的第二氧化物-氮化物层s2，而留下第一氧化物-氮化物层s1。

如图5所示，接着进行一选择性蚀刻制作工艺，仅蚀刻未被第二氮化硅层422覆盖住，而显露出来的第二氧化硅层421，如此在第二氧化物-氮化物层s2正下方形成底切凹陷区域30，具有一高度h，而所述高度h等于第二氧化硅层421的厚度。

在其它实施例中，图4及图5中的步骤是可以互相对调的，也就是说，可以先形成底切凹陷区域30，再去除各个存储单元c1及c2的单一边的第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2。

如图6所示，接着于基底10的表面上形成选择栅极介电层22，例如，氧化硅层，然后共形的沉积多晶硅层(图未示)，例如，利用化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)制作工艺或原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)制作工艺，使多晶硅层填入底切凹陷区域30。然后，回蚀刻多晶硅层，形成选择栅极sg。

接着，进行一轻掺杂漏极(ldd)离子注入制作工艺，于存储器栅极mg的一侧的基底10中形成第一轻掺杂漏极111，于选择栅极sg的一侧的基底10中形成第二轻掺杂漏极112。

然后，如图7所示，在存储器栅极mg的一侧形成第一轻掺杂漏极间隙壁s3，并于选择栅极sg上形成第二轻掺杂漏极间隙壁s4。随后进行漏极源极离子注入制作工艺，在基底10中形成源极掺杂区s及漏极掺杂区d。最后，选择性的蚀刻掉介电盖层101及部分的第一氧化物-氮化物层s1及第二氧化物-氮化物层s2。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。