宽波束高增益天线的制作方法

【技术领域】

本发明涉及一种移动通信基站天线设备与技术，特别是涉及宽波束高增益天线及其技术。

背景技术：

随着网络部署密度不断增大，移动通信已基本实现信号广域连续覆盖。然而，受限于工作频带和覆盖区域的限制，宏蜂窝难以满足高数据传输率和大系统容量的需求。相比之下，5.8g频段带宽宽、容量大、传播特性好、天线尺寸小，非常适合用户密集的局域高速数据业务。这类基站天线需要具备较大带宽(4.97-5.85ghz，bw＝16.27％)、高增益和宽(水平)波宽的特点，以覆盖较大区域、服务较多用户，从而获得良好的覆盖效果和较佳的经济性。除此之外，双极化和低剖面、平面化也是重要要求，以实现极化分集mimo效果和良好用户感受。宽带、低剖面和双极化天线，常用形式有微带贴片和半波振子，后者高度约四分之一波长。当工作于5.8g时，由于波长短，半波振子的剖面高度尚可接受。然而，两者的水平波宽仅60～70°，无法满足90°以上的超宽波宽要求，即使振子下垂也难以满足要求。而其他超宽波束天线，如小焦径比抛物面天线的介质辐射头，又不具备低剖面和超宽带特性，且馈电复杂、体积大。

鉴于半波阵子的诸多优点，只需克服波宽较窄的缺点，即可很好地满足应用需要。实现半波阵子波束展宽的常规方法是，振子两臂下垂和减小地板尺寸。然而，上述方法波宽展宽效果有限，仍不能满足整个带内90°以上的波宽要求。

技术实现要素：

本发明旨在为通讯领域提供一种宽带宽、高增益、超宽波宽、双极化、高隔离、低剖面、低成本、易生产的小型定向基站天线。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：

通过采用下垂pcb振子设计方案，将pcb振子末端朝下弯折，并且在振子上侧对称设置一对寄生单元，实现了上述设计目标。

具体地，本发明提供一种宽波束高增益天线，其包括设置在反射板上的多个组阵排列的交叉振子对，该交叉振子对包括分别印制在两块介质基板上的下垂宽带振子，两个下垂宽带振子交叉设置，该下垂宽带振子的两臂对称设置，该振子臂为倒l形片，包括竖直段，连接竖直段上端的水平段，水平段末端朝下成弯折段，该振子臂上侧设置寄生单元，该介质基板另一面设有微带线，该反射板正面或背面有两路印制馈电网络进行馈电。

本发明在常规pcb振子的基础上，通过在振子上侧设置寄生单元，实现了单振子在5.8g频段良好匹配(4.80-6.0ghz，bw＝22.22％)，带内波宽为95°～133°，交叉振子波宽85°～110°；组阵后水平波宽80°～114°，最高增益g＝16dbi，剖面高度小于0.26·λc(λc为中心波长)，xpd大于15db，隔离度优于-25db，前后比大于17.5db，sll低于-10.5db，达到了设计目标。另外，该方法还具有思路新颖、原理清晰、方法普适、实现简单、低成本、适合批量生产等特点，是取代常规宽波束微带贴片天线的优选方案，而且对于常规宽带、高增益振子天线的设计和改进也是适用和有效的。

优选的，竖直段与水平段拐角处外侧切斜角，竖直段上部分向内切出一平台。

优选的，振子臂的其中一臂的底端开有缺口。

优选的，该寄生单元在下垂宽带振子上部顺着振子两臂走向左右对称设置。

优选的，该寄生单元是从平台连接至弯折段尾段的细长条，与振子臂之间存有间隙。

优选的，该寄生单元是细线框，其下部中间位置处断开，在开口靠近振子臂外侧一端连接另一水平枝节，水平枝节末端朝下弯折，与振子切角边基本平行，然后连接平台。

优选的，该介质基板为厚度、介电常数和损耗角分别为t、εr和tanδ的介质基板，介质基板边缘与振子边走向基本平行。

优选的，该基质基板从底部两振子臂之间开设向上开槽，延伸至平台附近；或者，该基质基板从顶部两振子臂之间开设向下开槽，延伸至竖直段上部附近。

优选的，该微带线以该下垂振子竖直段为地平面，在介质基板另一面顺着其中心线方向设置，其线宽小于地平面宽度，且起始位置稍高于后者，微带线一臂底端向上延伸，微带线上部分稍窄，微带线竖直朝上延伸至振子竖直段上部平台处时，先朝振子臂水平段反向水平延伸，至靠近该臂平台时分出一路向下延伸的垂直支路；而水平延伸段则继续延伸至振子另一臂平台处，然后朝下直弯折并延伸一段长度，具体地是朝下顺着振子臂竖直段中心延伸至其中部后断开。

优选的，两个交叉设置的下垂宽带振子，以±45°或h/v交叉对称，交叉处的两微带线水平延伸段上下排列，并在两介质基板中心线开互补槽，两槽总深度等于介质基板的高度。该反射板正面或背面有两路印制馈电网络，分别对阵列的两正交极化子阵进行馈电，网络的总输入端连接同轴电缆。

优选的，该反射板为金属板，用作地板兼反射板，其上开孔以固定直立的交叉振子对。优选的，该地板两侧边缘设置金属边界。

优选的，在地板左右两侧，对称设置一组至少由两种构形的金属薄片组成的复合体，且按周期方式排列于地板两侧边缘。

优选的，该多个交叉振子对排列长度顺着阵列延伸的方向。优选的，该多个交叉振子对排成直线阵或平面阵。

优选的，在振子阵列外设有天线罩，以保护天线辐射体及其他部件。优选的，该天线罩为abs、asa、pc、tp、pvc、玻璃钢等常见介质材料成形的薄壳腔体。

本发明的积极进步效果在于，通过采取下列措施：1)优化pcb振子形状和尺寸；2)选择合适的pcb基板参数，如介电常数、损耗角和厚度；3)优化振子微带馈线的几何参数，包括变换段节数及长宽、短路枝节尺寸等；4)优化振子寄生单元位置、形状及尺寸；5)两振子正交时，精调微带线参数；6)优化金属地板尺寸、位置，及边界形状、尺寸和排列方式，获得了较常规方案难以实现的：一、宽频带，完全覆盖5.8g频段(4.86-5.98ghzz，bw＝20.66％)；二、超宽水平波宽、高增益，五单元阵列水平波宽为hpbw＝80°～144°，增益最高达16dbi；三、±45°或h/v双线极化，高交叉极化比(xpd>15db)、高隔离度(|s21|<-25db)；四、较高前后比和较低旁瓣电平，ftbr大于17.5db，sll低于-10.5db。五、较低剖面，高度小于0.26·λc。另外，该方法还具有思路新颖、原理清晰、方法普适、加工容易、低成本、适合批量生产等特点，是实现宽波束高增益smallcell天线的优选方案，而且对于常规宽带交叉振子天线的设计和改进也是适用和有效的。

【附图说明】

图1为天线模型所采用的直角坐标系定义的示意图。

图2为下垂宽带振子单元模型的正视图。

图3为带长条形并联枝节的下垂宽带振子单元模型的正视图。

图4为带细线框并联枝节的下垂宽带振子单元模型的正视图。

图5为带长条形并联枝节的pcb交叉振子单元一模型的正视图。

图6为带长条形并联枝节的pcb交叉振子单元二模型的正视图。

图7为带长条形并联枝节的微带馈电pcb交叉振子单元一模型的正视图。

图8为带长条形并联枝节的微带馈电pcb交叉振子单元二模型的正视图。

图9为带长条形并联枝节的两正交组合、微带馈电的pcb振子单元模型的侧视图。

图10为带长条形并联枝节的垂直/水平正交、微带馈电的pcb交叉振子置于地板上的模型正视图。

图11为带长条形并联枝节的垂直/水平正交、微带馈电的pcb交叉振子置于地板上的模型俯视图。

图12为带复合边界方案一的±45°双极化pcb交叉振子阵列模型俯视图。

图13为带复合边界方案一的±45°双极化pcb交叉振子阵列模型正视图。

图14为带复合边界方案一的±45°双极化pcb交叉振子阵列模型侧视图。

图15为带复合边界方案二的±45°双极化pcb交叉振子阵列模型俯视图。

图16为带复合边界方案三的±45°双极化pcb交叉振子阵列模型俯视图。

图17表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的输入阻抗zin频率特性曲线。

图18表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的驻波比vswr曲线。

图19表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的半功率波束宽度hpbwvs.频率变化关系。

图20表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的增益gvs.频率变化关系。

图21表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的单元s参数曲线。

图22表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的单元驻波比vswr曲线。

图23表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f1＝5.15ghz增益方向图。

图24表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f1＝5.15ghz增益方向图。

图25表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f2＝5.50ghz增益方向图。

图26表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f2＝5.50ghz增益方向图。

图27表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f3＝5.85ghz增益方向图。

图28表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f3＝5.85ghz增益方向图。

图29表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的水平/垂直面半功率波束宽度hbpwvs.f变化特性。

图30表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的增益gvs.f变化特性。

图31表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的前后比ftbrvs.f变化特性。

图32表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的归一化旁瓣电平sllvs.f变化特性。

本文附图是用来对本发明的进一步阐述和理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的具体实施例一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制或限定。

【具体实施方式】

下面结合附图给出发明专利的较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。这里，将给出相应附图对本发明进行详细说明。需要特别说明的是，这里所描述的优选实施例子仅用于说明和解释本发明，并不用于限制或限定本本发明。

请参阅图1～16，所述宽波束高增益天线的设计方法包括以下步骤：

步骤一，建立空间直角坐标系，见图1；

步骤二，构造下垂宽带振子。首先，在xoz平面，顺着+z轴方向构建一倒l形片，其下部为竖直段10，顶部为水平段11，其末端朝下成弯折段12；竖直段10与水平段11拐角处外侧切斜角13，竖直段10上部分向内切出一平台14，这样构成振子的一臂。然后，将倒l形片以z轴为对称轴左右镜像复制，得到振子的另一臂；其中一臂的底端开一小缺口16，靠近轴线部分保留，见图2的部分10～16；

步骤三，附设振子并联枝节。在步骤二的下垂宽带振子上部，顺着振子两臂走向，设置一对左右对称的寄生单元，枝节有两种构造形式，第一种为细长条20，见图3，从平台14连接至弯折段12尾段，与振子臂之间存有间隙23；另一种为细线框21，其下部中间位置处断开，在开口靠近振子臂外侧一端连接另一水平枝节22，其末端也朝下弯折，与步骤二的振子切角边基本平行，然后连接平台14，见图4；

步骤四，设置振子衬底基板。在步骤二、步骤三的下垂振子和寄生单元的一侧，设置一层厚度、介电常数和损耗角分别为t、εr和tanδ的介质基板30、40，介质基板边缘与振子边走向基本平行，一种实施方式见图5，基质基板30从底部两振子臂之间开设向上开槽31，延伸至平台14附近；另一种实施方式如图6所示，基质基板40从顶部两振子臂之间开设向下开槽41，延伸至竖直段10上部附近；

步骤五，振子平衡馈电。见图7和图8，以步骤二下垂振子竖直段为地平面，在介质基板另一面顺着其中心线方向设置一条微带线50、60，其线宽小于地平面宽度，且起始位置稍高于后者，微带线50、60一臂底端向上延伸，微带线上部分51、61稍窄，微带线竖直朝上延伸至振子竖直段上部平台处时，先朝振子臂水平段反向有水平延伸段52、62，靠近该臂平台向下延伸出垂直支路53、63，而水平延伸段则继续延伸至振子另一臂平台处之后，然后朝下有直弯折段54、64，并顺着振子臂竖直段中心延伸至其中部后断开。

步骤六，构造交叉振子对。将步骤五的下垂宽带振子，以其对称中心为轴线旋转+/-90°，构成一个±45°或h/v交叉振子对，为避免两振子的馈线相交，交叉处的两微带线水平延伸段52、62上下排列，并在两pcb介质基板中心线开互补槽，两槽总深度等于pcb介质基板的高度，见图9、图10和图11；

步骤七，设置底部反射板。在步骤六的交叉振子对底端，设置一块金属板，用作地板兼反射板，其上开孔以固定直立的交叉振子对。地板两侧边缘设置金属边界80，多个交叉振子对排列，长度顺着阵列延伸的方向；在地板左右两侧，对称设置一组至少由两种构形的金属薄片组成的复合体70、71，且按周期方式排列于地板两侧边缘，其中一种复合体为如图所示的门状复合体71，另一种为隔板状复合体70，见图12、13、14、15和16；

步骤八，交叉振子对组阵。将上述交叉振子对，作为一个基本辐射单元排成直线阵或平面阵，然后，在步骤七的地板正面或背面设计两路印制馈电网络，分别对阵列的两正交极化子阵进行馈电，网络的总输入端连接同轴电缆，见图13、14、15、16；

步骤九，添加天线罩。设计一个薄壳介质腔体作为天线罩810，将上述pcb振子、金属地板、印制馈电网络包覆住，作为天线罩以保护天线辐射体及其他部件，见图14。

由上述方法构建所得的本发明宽波束高增益天线，其包括设置在反射板上的多个组阵排列的交叉振子对，该交叉振子对包括印制在两个介质基板上的下垂宽带振子，两个下垂宽带振子交叉设置，该下垂宽带振子的两臂对称设置，该振子臂为倒l形片，包括竖直段10，连接竖直段上端的水平段11，水平段末端朝下成弯折段12，该介质基板另一面设有微带线，该反射板正面或背面有两路印制馈电网络进行馈电。该多个交叉振子对排列长度顺着阵列延伸的方向。

该振子臂的竖直段10与水平段11拐角处外侧切斜角13，竖直段10上部分向内切出一平台14，振子两臂的竖直段之间存有间隙15。振子臂的其中一臂的底端开有缺口16。

该寄生单元在下垂宽带振子上部顺着振子两臂走向左右对称设置。其中一种实施方式，该寄生单元是从平台14连接至弯折段12尾段的细长条20，与振子臂之间存有间隙23。另一种实施方式，该寄生单元是细线框21，其下部中间位置处断开，在开口靠近振子臂外侧一端连接另一水平枝节22，水平枝节22末端朝下弯折，与振子切角边基本平行，然后连接平台14。

该介质基板30、40设置在下垂振子和寄生单元的一侧，厚度、介电常数和损耗角分别为t、εr和tanδ，介质基板边缘与振子边走向基本平行。

两个交叉设置的下垂宽带振子，以±45°或h/v交叉对称，交叉处的两微带线水平延伸段52、62上下排列，并在两介质基板中心线开互补槽，两槽总深度等于介质基板的高度。具体地，在交叉振子对中的两个基质基板30其中一个从底部两振子臂之间开设向上开槽31，延伸至平台14附近，另一个基质基板40从顶部两振子臂之间开设向下开槽41，延伸至竖直段10上部附近，两个介质基板相互配合交叉设置。该反射板正面或背面有两路印制馈电网络，分别对阵列的两正交极化子阵进行馈电，网络的总输入端连接同轴电缆。

该微带线50、60以该下垂振子竖直段为地平面，在介质基板另一面顺着其中心线方向设置，其线宽小于地平面宽度，且起始位置稍高于后者，微带线50、60一臂底端向上延伸，微带线上部分51、61稍窄，微带线竖直朝上延伸至振子竖直段上部平台处时，先朝振子臂水平段反向有水平延伸段52、62，靠近该臂平台向下延伸垂直支路53、63，水平延伸段继续延伸至振子另一臂平台处之后，然后朝下有直弯折段54、64，并顺着振子臂竖直段中心延伸至其中部后断开。

该反射板为金属板，用作地板兼反射板，其上开孔以固定直立的交叉振子对。

该地板两侧边缘设置金属边界80。在地板左右两侧，对称设置一组至少由两种构形的金属薄片组成的复合体70、71，且按周期方式排列于地板两侧边缘。

在振子阵列外设有天线罩，以保护天线辐射体及其他部件。该天线罩为abs、asa、pc、tp、pvc、玻璃钢等常见介质材料成形的薄壳腔体。

本发明通过：1)优化pcb振子形状和尺寸；2)选择合适的pcb基板参数，如介电常数、损耗角和厚度；3)优化振子微带馈线的几何参数，包括变换段节数及长宽、短路枝节尺寸等；4)优化振子寄生单元位置、形状及尺寸；5)两振子正交时，精调微带线参数；6)优化金属地板尺寸、位置，及边界形状、尺寸和排列方式，获得了较常规方案难以实现的：一、宽频带，完全覆盖5.8g频段(4.86-5.98ghzz，bw＝20.66％)；二、超宽水平波宽、高增益，五单元阵列水平波宽为hpbw＝80°～144°，增益最高达16dbi；三、±45°或h/v双线极化，高交叉极化比(xpd>15db)、高隔离度(|s21|<-25db)；四、较高前后比和旁瓣电平，ftbr大于17.5db，sll低于-10.5db。五、较低剖面，高度小于0.26·λc。具体参数请参阅图17～32。

图17表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的输入阻抗zin频率特性曲线。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是阻抗zin，单位为ω；黑线表示+45°极化，灰线表示-45°极化；实线表示实部rin，虚线表示虚部xin。由图知，在4.80-6.0ghz频段，两极化的实部和虚部变化范围分别为：+43～+70ω、-28～-5ω和+34～+63ω、-35～0ω，具有较好的超宽带阻抗特性。

图18表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的驻波比vswr曲线。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是vswr；实线表示+45°极化，虚线表示-45°。由图知，单元天线在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)，实现了较好的阻抗匹配，驻波比vswr≤2.0，最低达1.04；相对带宽分别为22.2％，接近超宽带。

图19表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的半功率波束宽度hpbwvs.频率变化关系。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是波束宽度，单位为deg；实线表示水平面，虚线表示竖直面；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°极化。由图知，两极化在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)频段，水平面和竖直面半功率波束宽度hpbw分别为85～108°/6066°、94～110°/64～78°，两极化在水平面波宽hpbw最大超过100°，竖直面波宽超过60°。

图20表示带长条形并联枝节的两±45°正交组合、微带馈电的pcb振子单元的增益gvs.频率变化关系。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是增益，单位为dbi；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°极化。由图知，两极化在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)频段，增益分别为6.90～8.54dbi、6.80～8.25dbi，两极化的增益一致性很好。

图21表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的单元s参数曲线。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是s参数幅度，单位db；实线为反射系数|s11|/|s22|，虚线为隔离度|s22|；光滑线为，实点线为+45°极化，虚线为-45°极化。由图知，单元天线在4.86-5.98ghz频段(bw＝1.12ghz，20.66％)，实现了较好的阻抗匹配，反射系数|s11|/|s22|≤-10db，最低达-45db，相对带宽分别为20.66％，与孤立情形差异很小。而且，±45°极化端口隔离度小于-25db，隔离度比较理想。

图22表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的单元驻波比vswr曲线。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是vswr；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°。由图知，单元天线在4.86-5.98ghz频段(bw＝1.12ghz，20.66％)，实现了较好的阻抗匹配，驻波比vswr≤2.0，最低达1.02；相对带宽分别为20.66％，接近超宽带。

图23表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f1＝5.15ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>15db，极化纯度较好。

图24表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f1＝5.15ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>18db，极化纯度较好。

图25表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f2＝5.50ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>15db，极化纯度较好。

图26表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f2＝5.50ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>18db，极化纯度较好。

图27表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的+45°极化在f3＝5.85ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>15db，极化纯度较好。

图28表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的-45°极化在f3＝5.85ghz增益方向图。其中，实线为主极化，虚线为交叉极化；光滑线为水平面，点线为竖直面。由图知，水平面波宽较宽、竖直面波宽较窄，主瓣内交叉极化xpd>18db，极化纯度较好。

图29表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的水平/垂直面半功率波束宽度hbpwvs.f变化特性。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是波束宽度，单位是度(deg)；实线为水平面，虚线为竖直面；光滑线为+45°极化，点线为-45°极化。由图知，在4.86～6.0ghz频带内，±45°两极化的水平/垂直面半功率波宽分别为：hpbw＝80～114°/11.8～14.8°，两极化的波宽一致性较好。

图30表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的增益gvs.

f变化特性。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是增益，单位为dbi；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°极化。由图知，两极化在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)频段，增益分别为13.65～15.80dbi、13.85～16.35dbi，两极化的增益一致性很好。

图31表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的前后比ftbrvs.

f变化特性。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是ftbr，单位为db；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°极化。由图知，两极化在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)频段，ftbr分别为17.5～22.0dbi、18.5～23.0dbi，两极化的前后比较高。

图32表示带复合边界方案一的五单元±45°双极化pcb交叉振子阵列的归一化旁瓣电平sllvs.

f变化特性。其中，横轴(x轴)是频率f，单位为ghz；纵轴(y轴)是归一化sll，单位为db；光滑线表示+45°极化，点线表示-45°极化。由图知，两极化在4.80-6.0ghz频段(bw＝1.2ghz，22.2％)频段，归一化sll分别为-11.25～16.50db、10.5～17.5db，两极化的sll较好。

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