一种显示面板及其制造方法与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术：

在有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体面板(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)低温多晶硅技术(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)生产过程中，由于电子压焊(bonding)的需要，pad(ti/al/ti)区的平坦化层(planarization，pla)(即，正性光刻胶)被曝光、显影已去除。在后续的阳极(ito/ag/ito)湿法刻蚀过程中，阳极与pad区-ti/al/ti直接接触而发生电化学反应生成黑色ag络合异物，该黑色ag络合异物在pad区内聚集，从而增大了后续bonding时的接触电阻。

技术实现要素：

本申请实施例提供一种显示面板制造方法，用于解决现有技术在后续的阳极湿法刻蚀过程中，刻蚀液的作用下阳极易发生化学反应的问题。

本申请实施例还提供一种显示面板，用于解决现有技术在后续的阳极湿法刻蚀过程中，刻蚀液的作用下阳极易发生化学反应的问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

第一方面，本申请提供了一种显示面板制造方法，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有电连接体；

在所述基板与所述电连接体上形成平坦化层；

图案化所述平坦化层，在所述基板的第一区域上的平坦化层厚度为第一厚度，在所述基板的第二区域上的平坦化层厚度为第二厚度，所述第一厚度小于第二厚度。

进一步的，在所述平坦化层上形成阳极层，并对所述阳极层进行刻蚀。

进一步的，为了便于在第一区域上形成第一厚度的平坦化层，所述平坦化层为正性光刻胶层；所述图案化所述平坦化层，具体包括：

采用掩膜板对所述平坦化层进行曝光显影处理；

所述掩膜板的半透射区域对应所述第一区域，所述掩膜板的非透射区域对应所述第二区域。

进一步的，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰度掩膜板；

进一步的，为了便于后续湿法刻蚀工序的正常进行且容易在刻蚀后被去除，所述预定厚度的范围为优选的，所述预定厚度为

进一步的，在对所述阳极层进行刻蚀之后，还包括：

去除所述基板的第一区域上的平坦化层。

进一步的，所述去除所述基板的第一区域上的平坦化层，具体包括：

采用灰化(ashing)工艺完全去除所述第一区域上的平坦化层。

进一步的，所述去除所述基板的第一区域上的平坦化层，具体包括：

采用紫外线照射法完全去除所述第一区域上的平坦化层。

进一步的，所述基板的第二区域上的平坦化层的厚度为2.1μm。

进一步的，所述阳极层为ito/ag/ito层，所述电连接体为ti/al/ti。

第二方面，本申请提供了一种显示面板，所述显示面板由上述权利要求1～9中任一项所述的显示面板制造方法制造而成。

本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例通过在基板的第一区域上的电连接体上形成第一厚度的平坦化层，使得在后续阳极湿法刻蚀的过程中，将电连接体与阳极层隔离，有效保护了电连接体，避免了在刻蚀液的作用下电连接体与阳极层接触发生化学反应产生黑色ag络合异物聚集在pad区的现象发生，进而有效的避免了增大后续电子压焊时的接触电阻。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例提供的显示面板制造方法的工艺流程图；

图2-图9为本申请实施例提供的显示面板采用显示面板制造方法制造过程中的器件结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，本申请实施例提供的显示面板制造方法，该方法包括：

步骤1、提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有电连接体，在所述基板与所述电连接体上形成平坦化层。

本步骤具体为，在形成电连接体的基板上形成覆盖电连接体的平坦化层。

本申请实施例采用的基板依次包括：基层、氮化硅(sinx)层、二氧化硅(sio2)层、p硅(p-si)层、栅极绝缘层(栅极绝缘层)、栅极(gate)16a、电容下极板、pad区走线、(capacityinsulator)、电容上极板、pad区走线、绝缘层(ild)、电连接体(pad)。

其中，该基层为透明材料制成，例如可以是玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或者金属箔等。在本申请实施例中该基板的选择及预处理为本领域技术人员所熟悉，在此不再详细叙述。

其中，该电连接体可以为ti/al/ti，该ti-al-ti可以是采用熔融金属浸镀得到ti-al层状板材，并利用浇铸复合的方法制备的ti-al-ti层状复合电极材料。

其中，该平坦化层可以为正性光刻胶层或负性光刻胶层，具体实施时，需要根据实际需求选取。

步骤2、图案化所述平坦化层，在所述基板的第一区域上的平坦化层厚度为第一厚度，在所述基板的第二区域上的平坦化层厚度为第二厚度，所述第一厚度小于第二厚度。

图案化所述平坦化层具体实现可以为，采用掩膜板对平坦化层进行曝光显影处理。经曝光显影后的平坦化层在基板的第一区域上的厚度为第一厚度，且小于在基板的第二区域上的第二厚度。在实际应用中，该第一区域可以为显示面板的非显示区域中的绑定区，该第二区域可以为显示面板的显示区域。

在本步骤中，若该平坦化层为正性光刻胶层，则掩膜板为半曝光掩膜板(half-tonemask)，例如，半色调掩膜板或灰度掩膜板，掩膜板的半透射区域对应第一区域，掩膜板的非透射区域对应第二区域，从而在基板的第一区域上形成第一厚度的平坦化层，在基板的第二区域上形成比第一厚度厚的第二厚度的平坦化层。

在本申请实施例中，为了便于后续湿法刻蚀工序的正常进行且容易在刻蚀后被去除，该第一厚度的范围可以为优选的，该第一厚度可以为该基板的第二区域的平坦化层的第二厚度可以为2.1μm。

步骤3、在平坦化层上形成阳极层，并对阳极层进行刻蚀。

该阳极层可以为金属氧化层和/或金属层，例如，阳极层可以为ito/ag/ito层，该ito/ag/ito层为底层ito膜、外层ito膜和中层ag膜的结构。该阳极层设置在平坦化层上的处理为本领域技术人员所熟悉的，本申请实施例不做详细叙述。

本步骤中，对阳极层进行刻蚀，具体为，对阳极层进行湿法刻蚀工序。该湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。因此，本申请实施例采用刻蚀液将基板的第一区域上的阳极层刻蚀掉，保留了平坦化层及基板。

这里需要补充的是，在对阳极层进行湿法刻蚀工序之前，在阳极层上设置光刻胶层，对该光刻胶层5进行曝光显影处理，其具体实现采用现有技术中的方式，本申请实施例不做限定。

这里需要补充的是，在对阳极层进行湿法刻蚀工序之后，对阳极层上的光刻胶层剥离，其具体实现采用现有技术中的方式，本申请实施例不做限定。

由于在基板的第一区域上的电连接体与阳极层之间形成第一厚度的平坦化层，将电连接体与阳极层隔离，在对阳极层进行湿法刻蚀工序时，避免了在刻蚀液的作用下电连接体与阳极层接触发生化学反应产生黑色ag络合异物聚集在pad区的现象发生，进而有效的避免了增大后续电子压焊时的接触电阻。

在执行步骤3之后，还可以执行以下步骤：

步骤4、去除基板的第一区域上的平坦化层。

去除基板的第一区域上的平坦化层的具体实现方式可以包括以下几种：

第一种，采用灰化工艺完全去除第一区域上的平坦化层。具体实现可以为，将基板的第一区域上的平坦化层通过等离子体活性基反应，将平坦化层的有机物破坏并去除。

该方法中，将基板的第一区域上的平坦化层至于气体成分为sf6+o2的环境下进行等离子体去除多余平坦化层光刻胶。

第二种，采用紫外线照射法完全去除第一区域上的平坦化层。具体实现可以为，通过对基板上的第一区域上的平坦化层进行紫外线照射。

第三种，采用高浓度的脱膜液完全去除第一区域上的平坦化层。具体实现可以为，采用高浓度的碱液做脱膜液，将基板的第一区域上的平坦化层剥离掉。

这里需要补充的是，在执行步骤4之后，还可以执行以下步骤：在基板的第二区域上形成像素限定(pdl)层后，在pdl层上形成垫片(spacer)。当然，还可以对基板进行其他处理，具体实施时需要根据实际需求选取，本申请实施例不做限定。

如图2-图9所示，本申请提供的一种显示面板，该显示面板采用显示面板制造方法制造而成。该显示面板制造方法包括：

步骤1、提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有电连接体，在所述基板与所述电连接体上形成平坦化层。

本步骤具体为，在形成电连接体的基板上形成覆盖电连接体的平坦化层。

如图2所示，本申请实施例采用的基板1依次包括：基层11、氮化硅(sinx)层12、二氧化硅(sio2)层13、p硅(p-si)层14、栅极绝缘层(栅极绝缘层)15、栅极(gate)16a、电容下极板16b、pad区走线16c、(capacityinsulator)17、电容上极板18a、pad区走线18b、绝缘层(，ild)19、电连接体(pad)110。

其中，该基层11为透明材料制成，例如可以是玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或者金属箔等。在本申请实施例中该基板的选择及预处理为本领域技术人员所熟悉，在此不再详细叙述。

其中，该电连接体110可以为ti/al/ti，该ti-al-ti可以是采用熔融金属浸镀得到ti-al层状板材，并利用浇铸复合的方法制备的ti-al-ti层状复合电极材料。

其中，该平坦化层2可以为正性光刻胶层或负性光刻胶层，具体实施时，需要根据实际需求选取。

步骤2、图案化所述平坦化层，在所述基板的第一区域上的平坦化层厚度为第一厚度，在所述基板的第二区域上的平坦化层厚度为第二厚度，所述第一厚度小于第二厚度。

图案化所述平坦化层具体实现可以为，采用掩膜板3对平坦化层2进行曝光显影处理。经曝光显影后的平坦化层2在基板1的第一区域1a上的厚度为第一厚度，且小于在基板1的第二区域1b上的第二厚度。在实际应用中，该第一区域1a可以为显示面板的非显示区域中的绑定区，该第二区域1b可以为显示面板的显示区域。

在本步骤中，若该平坦化层2为正性光刻胶层，则掩膜板3为半曝光掩膜板(half-tonemask)，例如，半色调掩膜板或灰度掩膜板，掩膜板3的半透射区域对应第一区域1a，掩膜板3的非透射区域对应第二区域1b(如图3所示)，从而在基板1的第一区域1a上形成第一厚度的平坦化层2，在基板1的第二区域1b上形成比第一厚度厚的第二厚度的平坦化层2(如图4所示)。

在本申请实施例中，为了便于后续湿法刻蚀工序的正常进行且容易在刻蚀后被去除，该第一厚度的范围可以为优选的，该第一厚度可以为该基板1的第二区域1b的平坦化层2的第二厚度可以为2.1μm。

步骤3、在平坦化层2上形成阳极层4，并对阳极层4进行刻蚀。

该阳极层4可以为金属氧化层和/或金属层，例如，阳极层4可以为ito/ag/ito层，该ito/ag/ito层为底层ito膜、外层ito膜和中层ag膜的结构。该阳极层4设置在平坦化层2上的处理为本领域技术人员所熟悉的，本申请实施例不做详细叙述。

本步骤中，对阳极层进行刻蚀，具体为，对阳极层进行湿法刻蚀工序。该湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。因此，本申请实施例采用刻蚀液将基板1的第一区域1a上的阳极层4刻蚀掉，只保留平坦化层2及其下方的基板1(如图6所示)。

这里需要补充的是，如图5所示，对阳极层4进行湿法刻蚀工序之前，在阳极层4上设置光刻胶层5，对该光刻胶层5进行曝光显影处理，其具体实现采用现有技术中的方式，本申请实施例不做限定。

这里需要补充的是，如图8所示，在对阳极层4进行湿法刻蚀工序之后，对阳极层4上的光刻胶层5剥离，其具体实现采用现有技术中的方式，本申请实施例不做限定。

在执行步骤3之后，如图7所示，还可以执行以下步骤：

步骤4、去除基板1的第一区域1a上的平坦化层2。

去除基板1的第一区域1a上的平坦化层2的具体实现方式可以包括以下几种：

第一种，采用灰化工艺完全去除第一区域1a上的平坦化层2。具体实现可以为，将基板1的第一区域1a上的平坦化层2通过等离子体活性基反应，将平坦化层2的有机物破坏并去除。

该方法中，将基板1的第一区域1a上的平坦化层2至于气体成分为sf6+o2的环境下进行等离子体去除多余平坦化层光刻胶。

第二种，采用紫外线照射法完全去除第一区域1a上的平坦化层2。具体实现可以为，通过对基板1上的第一区域1a上的平坦化层2进行紫外线照射。

第三种，采用高浓度的脱膜液完全去除第一区域1a上的平坦化层2。具体实现可以为，采用高浓度的碱液做脱膜液，将基板1的第一区域1a上的平坦化层2剥离掉。

这里需要补充的是，在执行步骤4之后，还可以执行以下步骤：如图9所示，在基板1的第二区域1b上形成像素限定(pdl)层6后，在pdl层上形成垫片(spacer)7。当然，还可以对基板1进行其他处理，具体实施时需要根据实际需求选取，本申请实施例不做限定。

本申请实施例通过在基板的第一区域上的电连接体与阳极层之间形成预定厚度的平坦化层，使平坦化层将电连接体与阳极层隔离，在对阳极层进行湿法刻蚀工序时，有效避免了在刻蚀液的作用下电连接体与阳极层接触发生化学反应产生黑色ag络合异物聚集在pad区的现象发生，进而有效的避免了增大后续电子压焊时的接触电阻。

以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。