技术特征：
技术总结
本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件形成于一半导体基板，包含：第一深阱区、横向轻掺杂区、高压阱区、绝缘区、本体区、栅极、源极、漏极与第一隔绝阱区。其中，第一深阱区与第一隔绝阱区以将该高压元件，于半导体基板上表面下，与邻近元件电性隔绝。该横向轻掺杂区于纵向上介于第一深阱区与高压阱区之间，且该横向轻掺杂区上下邻接于第一深阱区与高压阱区。其中，该横向轻掺杂区用以于该高压元件操作时，降低该高压元件内部的电容，改善瞬时响应。
技术研发人员：黄宗义
受保护的技术使用者：立锜科技股份有限公司
技术研发日：2017.09.08
技术公布日：2019.03.15