技术特征：
技术总结
本发明提供一种肖特基器件的制备方法及结构，该方法包括：在衬底上形成沟槽；用高密度等离子体气相沉积法在沟槽底部填充底部氧化层；在沟槽内填满光阻后去除沟槽外的氧化层；在沟槽侧壁上生长栅氧层并于沟槽内填充导电材料；去除沟槽上部的部分导电材料及栅氧层，在沟槽中部保留栅氧层及导电材料；在衬底表面、沟槽上部沉积肖特基金属层；在肖特金属层上形成电极层和金属引线层；电极层下凹填满沟槽的上部空间。本发明有利于在保持器件低漏电、耐压的基础上增加器件的抗反向浪涌能力，有效的降低相同器件面积下的沟槽型肖特基器件的正向导通电压，可缩小沟槽间距，减小特征尺寸，提高芯片集成度，并易于实现，成本可控。
技术研发人员：陈茜;余俊良;杨月星
受保护的技术使用者：华润微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2017.09.30
技术公布日：2019.04.09