技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超结器件，超结结构的沟槽为侧面倾斜结构，N型外延层的掺杂浓度为阶梯分布结构，P型柱由形成于沟槽的底部的P型离子注入区叠加P型外延层组成。保护环氧化膜环绕在电流流动区的周侧；在保护环氧化膜和终端区的N型外延层的氧化膜外延层界面处的N型外延层中包括有一个N型掺杂浓度降低的顶部区域，能增强氧化膜外延层界面处的N型柱的横向耗尽能力。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能改善具有倾斜沟槽的超结结构的P型柱和N型柱之间的电荷平衡，提高器件的纵向耐压能力，提高器件的源漏击穿电压；还能提高器件终端的承受横向电压的能力，提高器件的可靠性。
技术研发人员：肖胜安
受保护的技术使用者：深圳尚阳通科技有限公司
技术研发日：2017.11.08
技术公布日：2019.05.14