本发明涉及半导体硅片领域，尤其涉及一种半导体硅片的清洗方法。
背景技术：
在半导体制造工艺中，在硅片的背面会需要形成一层或者多层结构的含金成分的金属(背面金属，简称背金)。但是如果背面金属的表面出现异常，例如出现金属氧化物、污染物等，则会影响后道封装和器件的可靠性，导致在线报废率很高。
故此，亟需一种改进的半导体硅片的清洗方法，以克服以上的缺陷。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种半导体硅片的清洗方法，其能高效去除半导体硅片上异常的背面金属，从而提高半导体硅片的重复利用率，提高半导体产品的成品率。
为实现上述目的，本发明的半导体硅片的清洗方法，依次包括以下步骤：
将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；
将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；
将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及
采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。
与现有技术相比，本发明的半导体硅片的清洗方法依次采用氢氟酸和双氧水的混合液、异丙醇溶剂，氨水、双氧水和去离子的混合液，臭氧水和氢氟酸溶液进行浸泡清洗，可有效去除半导体硅片的有缺陷的背面金属，从而可重新形成品质良好的背面金属，因此节省半导体材料成本，且提高半导体产品的成品率。
较佳地，在所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中，所述氢氟酸和所述双氧水的比例为3：1。
较佳地，在所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中，所述氢氟酸的浓度为4％-8％。
较佳地，半导体硅片置于所述氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡的温度为20-30℃。
较佳地，在所述氨水、双氧水和去离子水的混合液中，所述氨水、所述双氧水和所述去离子水的比例为1：1：5。
较佳地，半导体硅片置于所述氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡的温度为45-55℃，时间为10-15分钟。
较佳地，在采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片的步骤之后，还包括采用去离子水冲洗该半导体硅片。
较佳地，采用去离子水冲洗该半导体硅片的步骤之后，还包括将该半导体烘干。
较佳地，在该半导体在异丙醇溶剂中浸泡和在氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡前，分别采用去离子水冲洗该半导体硅片的表面。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的半导体硅片的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的半导体硅片的清洗方法的一个实施例依次包括以下步骤：
将半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡；
将该半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡；
将该半导体硅片置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；以及
采用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片。
具体地，将具有异常背金的半导体硅片置于氢氟酸和双氧水的混合溶液中浸泡，浸泡温度为20-30℃，浸泡时间为5-10分钟。较佳地，氢氟酸和双氧水的比例为2:1-4:1，更优地，比例为3：1。氢氟酸的浓度为4％-8％，更优为5％。
继而，采用去离子水冲洗该半导体硅片表面，然后将半导体硅片置于异丙醇溶剂进行浸泡，浸泡温度为20-25℃，浸泡时间为30-40分钟为宜。
接着，半导体硅片在异丙醇溶剂中浸泡后，采用去离子水冲洗，然后置于氨水、双氧水和去离子水的混合液中进行浸泡。较佳地，氨水、双氧水和去离子水的比例为1：1：5，浸泡温度为45-55℃，浸泡时间为10-15分钟。
接着，用臭氧水和氢氟酸溶液冲洗该半导体硅片，从而在硅片表面形成氧化膜。
更佳地，接着用去离子水冲洗硅片表面，将残留物清除。
更佳地，经过去离子水冲洗后的半导体硅片基本清洗完毕，可将该半导体硅片置于烘炉中进行烘干，时间为0.1-1小时，温度为120℃。
与现有技术相比，本发明的半导体硅片的清洗方法依次采用氢氟酸和双氧水的混合液、异丙醇溶剂，氨水、双氧水和去离子的混合液，臭氧水和氢氟酸溶液进行浸泡清洗，可有效去除半导体硅片的有缺陷的背面金属，从而可重新形成品质良好的背面金属，因此节省半导体材料成本，且提高半导体产品的成品率。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。