技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其包括介质腔体块、信号屏蔽金属片和PCB基板，介质腔体块与PCB基板焊接，信号屏蔽金属片一端与介质腔体块焊接、另一端与PCB基板焊接，介质腔体块上设置有谐振孔，谐振孔的内壁上镀有银层，银层的深度小于谐振孔的深度的2/3。本发明结构简单、制造方便，其通过在现有TEM全介质滤波器的谐振孔内镀一定深度的银层，并根据孔的形腔体材料和大小以及谐振孔的孔径控制上银高度从而实现了在满足TEM全介质滤波器的频率需求有效地提高滤波器的Q值，其通过控制上银高度和谐振孔高度的比例使得使用了本发明的TEM全介质滤波器相对于传统TEM滤波器Q值至少提高20％以上。
技术研发人员：孟庆南;朱晖
受保护的技术使用者：香港凡谷發展有限公司
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2019.07.02