基板处理方法及基板处理装置与流程

文档序号:14992573发布日期:2018-07-20 22:39阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供基板处理方法,包括:基板保持工序,使基板保持单元将基板保持为水平;密闭工序,在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间;液膜形成工序,对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液,在基板上形成处理液的液膜;加压工序,通过对内部空间供给气体,对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力;加热工序,加热基板,使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层;液膜排除工序,通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态,一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力,使处理液蒸发,从基板上排除液膜。

技术研发人员:阿部博史;奥谷学;吉原直彦
受保护的技术使用者:株式会社斯库林集团
技术研发日:2017.12.28
技术公布日:2018.07.20
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