单层平板电容器结构的制作方法

本实用新型为有关于一种单层平板电容器结构，尤指一种包括有第一内极板及第二内极板的单层平板电容器结构。

背景技术：

单层平板电容器结构广泛应用在各种电子装置中作为消除高频杂讯、阻抗匹配的功能。目前所使用的单层平板电容器结构主要为在一陶瓷介电层的顶面及底面分别形成一表面极板而构成一具有电容效应的电容器。而该电容器的电容值是由该陶瓷介电层所使用的陶瓷材料的介电常数、陶瓷材料的厚度、表面极板的相对应面积所决定。

在现行作法中，若需要不同电容值的电容器时，一般作法是选用具有不同介电常数的陶瓷材料作为该陶瓷介电层。然而，此一已知作法需依据不同的电容值需求而使用多种具有不同介电常数的陶瓷材料作为该陶瓷介电层，其材料成本很高，且不同的陶瓷材料在高频特性、绝缘特性、阻抗特性各方面皆为不同，故所制成的电容器的电特性往往难以掌握。

已知技术中，亦有采用改变陶瓷材料的厚度、表面极板的相对应面积来改变电容值的作法，但此种作法将会改变元件尺寸，将不利于元件制作的制程及日后的规格化元件需求。

技术实现要素：

因此，本实用新型的一目的即是提供一种单层平板电容器结构的改良，在不变更元件尺寸的状况下，只需利用一般的元件制程技术及简单的结构改变即可制作出具有不同电容值的单层平板电容器。

本实用新型提供的单层平板电容器结构包括一陶瓷介电层、一第一表面极板、一第二表面极板。一第一内极板，由该陶瓷介电层的第一端面延伸至该陶瓷介电层中；一第二内极板，由该陶瓷介电层的相对于该第一端面的第二端面延伸至该陶瓷介电层中，该第二内极板与该第一内极板在该陶瓷介电层中面对面相对应且间隔一距离；一第一端面导电层，形成在该陶瓷介电层的该第一端面，并导电连接该第一表面极板与该第一内极板；一第二端面导电层，形成在该陶瓷介电层的该第二端面，并导电连接该第二表面极板与该第二内极板。

可选的，该陶瓷介电层的该第一端面形成一第一端面凹部，而该第一端面导电层形成在该第一端面凹部中，该陶瓷介电层的该第二端面形成一第二端面凹部，而该第二端面导电层形成在该第二端面凹部中。

可选的，该第一内极板及该第二内极板为圆形图型、方形图型、矩形图型之一。

本实用新型的单层平板电容器结构，陶瓷介电层内部增设了相对应的一对内极板，并以导电层各别连接位在陶瓷介电层顶面及底面的表面极板，利用该陶瓷介电层内部的内极板而构成电容器。在制作时，只要简易改变该两个内极板间的距离及对应面积，即可在不变更电容器的元件尺寸状况下，容易地改变电容器的电容值，且该内极板及该导电层的制作只要沿用目前所使用的设备及一般制程即可完成，故本实用新型极具产业利用价值。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例单层平板电容器的立体图。

图2为图1中A-A断面的剖视图。

图3为本实用新型第二实施例单层平板电容器的立体图。

图4为图3中B-B断面的剖视图。

图5为本实用新型第三实施例单层平板电容器的立体图。

图6为图5中C-C断面的剖视图。

附图标号

100、100a、100b 单层平板电容器

1 陶瓷介电层

11 第一端面

12 第二端面

21 第一表面极板

22 第二表面极板

31 第一内极板

32 第二内极板

41 第一端面导电层

42 第二端面导电层

51 第一端面内缩区域

52 第二端面内缩区域

61 第一端面凹部

62 第二端面凹部

具体实施方式

请同时参阅图1、图2所示，其中图1为本实用新型第一实施例单层平板电容器的立体图，而图2为图1中A-A断面的剖视图。如图1、图2所示，本实用新型第一实施例的单层平板电容器100包括一陶瓷介电层1、一第一表面极板21、一第二表面极板22，其中第一表面极板21是形成在该陶瓷介电层1的顶面，第二表面极板22是形成在该陶瓷介电层1的底面。陶瓷介电层1为以陶瓷材料制成的介电材料层。第一表面极板21与第二表面极板22是以镍、铜、银、金、铂、钯等导电材料所制成。

陶瓷介电层1的内部形成有一第一内极板31，第一内极板31是由陶瓷介电层1的第一端面11延伸至该陶瓷介电层1中。第一内极板31的面积大小、轮廓形状可依实际产品化时所需的电容量大小、制程工件而可制成圆形图型、方形图型、矩形图型之一。

陶瓷介电层1的内部另形成有一第二内极板32，第二内极板32是由陶瓷介电层1的第二端面12延伸至该陶瓷介电层1中。第二内极板32与第一内极板31在该陶瓷介电层1中彼此水平地面对面相对应，且间隔一距离。第二内极板32的面积大小、轮廓形状一般是制成与第一内极板31的面积大小、轮廓形状相对应。

陶瓷介电层1的第一端面11形成一第一端面导电层41，且第一端面导电层41导电连接该第一表面极板21与该第一内极板31。第一端面导电层41与第二表面极板22之间具有一绝缘间隔，以使两者相互绝缘不致导通。

陶瓷介电层1的第二端面12形成一第二端面导电层42，且第二端面导电层42导电连接该第二表面极板22与该第二内极板32。第二端面导电层42与第一表面极板21之间具有一绝缘间隔，以使两者相互绝缘不致导通。

请同时参阅图3、图4所示，其中图3为本实用新型第二实施例单层平板电容器的立体图，而图4为图3中B-B断面的剖视图。本实施例的组成构件与第一实施例大致相同，故相同元件乃标示相同的元件编号，以资对应。在本实施例的单层平板电容器100a中，同样包括一陶瓷介电层1、一第一表面极板21、一第二表面极板22、一第一内极板31、一第二内极板32、一第一端面导电层41、一第二端面导电层42等构件，其差异在于陶瓷介电层1的第一端面11更形成一第一端面内缩区域51，该陶瓷介电层1的该第二端面12更形成一第二端面内缩区域52，如此可以调节第一端面导电层41与第一表面极板21间的绝缘特性或高频信号特性。

请同时参阅图5、图6所示，其中图5为本实用新型第三实施例单层平板电容器的立体图，而图6为图5中C-C断面的剖视图。本实施例的组成构件与第一实施例大致相同，故相同元件乃标示相同的元件编号，以资对应。在本实施例的单层平板电容器100c中，同样包括一陶瓷介电层1、一第一表面极板21、一第二表面极板22、一第一内极板31、一第二内极板32、一第一端面导电层41、一第二端面导电层42等构件，其差异在于陶瓷介电层1的第一端面11更形成一第一端面凹部61，而该第一端面导电层41形成在该第一端面凹部61中，该陶瓷介电层1的该第二端面12更形成一第二端面凹部62，而该第二端面导电层42形成在该第二端面凹部62中，如此可以维持单层平板电容器100c在一预设的外型尺寸。

以上实施例仅为例示性说明本实用新型的结构设计，而非用于限制本实用新型。任何熟于此项技艺的人士均可在本实用新型的结构设计及精神下，对上述实施例进行修改及变化，唯这些改变仍属本实用新型的精神及以下所界定的专利范围中。因此本实用新型的权利保护范围应如后述的申请专利范围所列。