一种轴向分裂单侧四出线头的箔式浇注绕组的制作方法

本实用新型涉及环氧浇注变压器的制造，具体涉及一种轴向分裂单侧四出线头的箔式浇注绕组。

背景技术：

常规的三相配电变压器中，每相只有一个低压绕组，出线端子数是2个。特殊用途的变压器要求其低压绕组由两个绕组组成，例如，具有两组独立输入绕组的光伏发电变压器，接法是Dy11 y11或Dy11-Dy11，低压有两组y接法的绕组，每相有二个低压绕组，每相出线端子数是四个。又如，具有两组低压绕组的六脉波以上整流变压器，接法是Dy11-Dy11或Dd0- Dd0，其低压绕组是轴向分裂成两组接法（y或d）的绕组，每相有二个低压绕组，其每相出线端子数是四个，且要求在绕组的同一侧布置。见图1出线头a1、x1、 a2、x2。

特别是十二脉波以上的大功率桥式整流变压器，为了克服因整流变压器二次电流很大，致使二次引线电抗及电抗压降增大，功率因数降低，并可能引起引线及出线端子周围产生局部过热现象，及整流元件之间的电流分配不平衡现象，通常采用同相逆并联的方法，要求低压绕组轴向分裂成两个绕组后，每个分裂绕组还必须再分出两个相同的支路，相当于低压绕组有四个分裂绕组，此时，出线端子数增加到8个，分别在上、下两侧布置，每侧出线端子数也是四个，见图2出线头a11、x11、a21、x21和出线头a12、x12、 a22、x22。

上述变压器的高压绕组通常都带有分接调压，甚至是多分接的有载调压。基于高压侧引线结构和降低变压器制造成本的原因，高压绕组一般为外线圈，低压绕组一般为内线圈。特别是环氧浇注的变压器，高压侧带有分接调压或有载调压，如将高压绕组作为内线圈，分接头的引出结构和绝缘距离的要求，需要在辐向占有很大的空间，导致变压器的体积增大很多，造成制造成本增大很多和损耗超标，因而，对于环氧浇注的变压器，高压绕组只能作为外线圈布置，低压绕组则只能为内线圈布置。

当低压绕组作内线圈布置，四个出线端子数在绕组的同一侧出线时，采用箔式材料，这就提出了单侧四出线头的箔式浇注绕组制造问题。八个出线端子数在绕组的上下两侧出线时，也提出了单侧四出线头的箔式浇注绕组制造问题。

因此，每侧有四个出线头的低压箔式浇注绕组，是该类变压器制造技术的关键。

有的生产厂家采用低压箔式辐向分裂布置，将铜/铝箔上下迭放的办法并绕，四个出线头迭起来出线，虽可解决毎相低压绕组一侧四个出线头的问题，但出线头的迭放使出线铜排总厚度过大，挤占了铁心外接园的空间，降低了铁心外接园的填充系数，迫使不得不放大铁心直径，这样造成制造成本增加。

技术实现要素：

于是，就有了本实用新型的目的在于提供一种轴向分裂单侧四出线头的箔式浇注绕组，研制出既可解决毎相低压绕组一侧四个出线头的问题，又不放大铁心直径的一种轴向分裂单侧四出线头的低压内线圈箔式浇注绕组。

同时，必须解决以下技术问题。当绕制图1（图2同理）两分裂绕组具有相同匝数的的分裂绕组时，即两分裂绕组具有相同的接法，均为 d或均为y，两分裂绕组绕制时，匝数可同步完成。但是，当两分裂绕组具有不同匝数的的分裂绕组时，即两分裂绕组具有不相同的接法，一个为d接法，一个为 y接法，d接法是 y接法匝数的倍，且在绕制到一半匝数时，需要设置通风气道，这样，同时绕制，就存在匝数不能同步完成的问题，也是该技术解决的关键。

本实用新型技术方案之一：

一种轴向分裂单侧四出线头的低压内线圈箔式浇注绕组，绕组包括两对共四个成型出线头、定位块、上下两组铜/铝箔和隔块，再用环氧树脂在真空中进行浇注，并形成散热气道，组成上下两轴向分裂绕成一整体的低压箔式浇注绕组，两对成型出线头分别是上下两分裂绕组各自的岀线头。

进一步，两对成型出线头左右并列放置，通过定位块隔离定位，在整体低压箔式浇注绕组的同一侧的同一方向左右并列引出。

进一步，上下两组铜/铝箔分别是上下两分裂绕组各自的导体，上下并列放置，通过隔块隔离定位，组成上半分裂绕组和下半分裂绕组。

进一步，上下两分裂绕组，根据绕组温升限值的要求，在一半匝数处设置通风散热的气道。

本实用新型技术方案之二：

一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组的制造方法，其特征在于，绕制线圈时，绕线模具呈水平状态放置，在绕线的模具上，先放置一层预浸树脂的玻璃丝网格，将分别焊接有铜/铝箔的上下两分裂绕组中的成型出线头并列固定在玻璃丝网格上，同时放置定位块对成型出线头定位，上下两组分裂绕圈同时并行绕制，并放置隔块对上下两组铜/铝箔定位，层或匝间放置绝缘层，绕到一半匝数时放置气道模，绕完后焊接各自的成型出线头，再在外表放置一层预浸树脂的玻璃丝网格，在真空中浇注环氧树脂，形成两分裂绕组成一整体、且同一侧的同一方向出头的低压箔式浇注绕组。

进一步，当上下两分裂绕组的匝数不同时，所述上下两组铜/铝箔分别为y和d接法时，d接法是 y接法匝数的倍，放置气道模存在匝数不同步的现象，应将上半部的分裂线圈铜/铝箔为匝数少的y接法位置，下半部的分裂线圈铜/铝箔为匝数多的d接法位置；当上下两组铜/铝箔绕至二分之一y接法匝数时，将整根气道模的一半长度放入上半部的分裂线圈铜/铝箔内，两分裂线圈同时继续并行绕制；

当两铜/铝箔绕至二分之一d接法匝数时，将放入上半部分裂线圈铜/铝箔4内的一半长度气道模打入到下半部的分裂线圈铜/铝箔5内，整根气道模则全部进入两分裂线圈，直至绕完两分裂线圈各自的匝数，分别焊接各自的成型出线头。

本实用新型解决毎相低压绕组一侧四个出线头的问题，特别是解决了两分裂线圈分别为y接法和d接法，d接法是 y接法匝数的倍，放置气道模存在匝数不同步的问题，且结构紧凑，体积小，便于变压器低压侧引出线，适应于低压分裂线圈要求同侧同方向出线的变压器制造，特别适应同相逆并联的桥式整流变压器制造。

附图说明

图1是与本实用新型有关的低压轴向分裂成两组绕组的变压器原理图；

图2是与本实用新型有关的低压轴向分裂成四个绕组的变压器原理图；

图3是本实用新型一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组结构正视图；

图4是本实用新型一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组结构侧视图；

图5是本实用新型一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组结构俯视图；

图6是本实用新型一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组绕向示意图；

图7是本实用新型一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组绕制时水平状态放置示意图。

图中：成型出线头1，成型出线头2，定位块3，铜/铝箔4，铜/铝箔5，隔块6，环氧树脂7，散热气道8，气道模9。

具体实施方式

本实用新型通过下面的实施例可以对本实用新型作进一步的描述，然而，本实用新型的范围并不限于下述实施例。

实施例1：

参考图3——6。成型出线头1分为成型出线头a1、成型出线头x1，其它实施例中也可分为成型出线头a11、成型出线头x11、成型出线头a12、成型出线头x12；成型出线头2分为成型出线头a2、成型出线头x2，其它实施例中也可分为成型出线头a21、成型出线x21、成型出线a22、成型出线x22。

一种轴向分裂单侧四出线头的低压内线圈箔式浇注绕组，绕组包括两对共四个成型出线头a1、成型出线头x1、成型出线头a2、成型出线头x2，定位块3、上下两组铜/铝箔4、5和隔块6，再用环氧树脂7在真空中进行浇注，并形成散热气道8，组成上下两轴向分裂绕成一整体的低压箔式浇注绕组，两对成型出线头1、2分别是上下两分裂绕组各自的岀线头。

两对成型出线头1、2左右并列放置，通过定位块3隔离定位，在整体低压箔式浇注绕组的同一侧的同一方向左右并列引出。

上下两组铜/铝箔4、5分别是上下两分裂绕组各自的导体，上下并列放置，通过隔块6隔离定位，组成上半分裂绕组和下半分裂绕组。

上下两分裂绕组，根据绕组温升限值的要求，在一半匝数处设置通风散热的气道8。

一种轴向分裂单侧出线的低压内线圈箔式浇注绕组制造方法，绕制线圈时，绕线模具呈水平状态放置（见图7），在绕线的模具上，先放置一层预浸树脂的玻璃丝网格，将分别焊接有铜/铝箔4、铜/铝箔5的上下两分裂绕组的成型出线头1（x1）、成型出线头2（x2）并列固定在玻璃丝网格上，同时放置定位块3对两成型出线头定位，两分裂绕圈同时并行绕制，并放置隔块6对两铜/铝箔定位，层或匝间放置绝缘层，绕到一半匝数时放置气道模9，绕完后焊接各自的成型出线头1（a1）、成型出线头2（a2），再在外表放置一层预浸树脂的玻璃丝网格，在真空中浇注环氧树脂7，形成两分裂绕组成一整体、且同一侧的同一方向出头的低压箔式浇注绕组。

当所述铜/铝箔4与铜/铝箔5分别为y接法和d接法时，d接法是 y接法匝数的倍，放置气道模9存在匝数不同步的现象，应将上半部的分裂线圈铜/铝箔4为匝数少的y接法位置，下半部的分裂线圈铜/铝箔5为匝数多的d接法位置，当两铜/铝箔绕至二分之一y接法匝数时，将整根气道模9的一半长度放入上半部的分裂线圈铜/铝箔4内，两分裂线圈同时继续并行绕制，当两铜/铝箔绕至二分之一d接法匝数时，将放入上半部分裂线圈铜/铝箔4内的一半长度气道模9打入到下半部的分裂线圈铜/铝箔5内，整根气道模9则全部进入两分裂线圈，直至绕完两分裂线圈各自的匝数，分别焊接各自的成型出线头1（a1）、成型出线头2（a2）。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。