1.一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成，桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接，桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初次绕组一端通过导线连接，稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初次绕组另一端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接，高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接，光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接，多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接，桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地，桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部，发生器外壳安装在机体外壳内部。
2.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于桥式整流输入电路由硅整流二极管和保险丝、电解电容组成，硅整流二极管有四只，保险丝一端和第一只硅整流二极管负极、第二只硅整流二极管正极通过导线连接，第三只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管正极通过导线连接，第二只硅整流二极管正极和第四只硅整流二极管正极、电解电容正极通过导线连接，第一只硅整流二极管负极和第三只硅整流二极管正极、电解电容负极通过导线接地。
3.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于稳压集成控制电路由AC-DC转换开关电路、电解电容、瞬变二极管、电阻和瓷片电容组成稳压集成控制电路，AC-DC转换开关管型号是TOP223YN，电阻一端和瓷片电容一端通过导线连接，电阻另一端和瞬变二极管负极、瓷片电容另一端通过导线连接，瞬变二极管正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接，AC-DC转换开关管的控制端2脚和电解电容正极通过导线连接，AC-DC转换开关管的输入端1脚和电解电容负极、第二只瓷片电容一端通过导线接地，第二只瓷片电容另一端和第三只瓷片电容一端通过导线连接，第三只瓷片电容另一端通过导线接地。
4.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于光耦电压控制电路由硅整流二极管、瓷片电容、电阻、光耦和三端并联稳压二极管组成，瓷片电容和硅整流二极管各有两只，电阻有三只，第一只硅整流二极管负极和第一只电阻一端、光耦内藏的光电三极管集电极通过导线连接，第一只电阻另一端和光耦内藏的发光二极管正极通过导线连接，三端并联稳压二极管的阳极和光耦内藏的发光二极管负极通过导线连接，第一只瓷片电容另一端和三端并联稳压二极管的阴极、第二只瓷片电容一端、第三只电阻一端、第二只硅整流二级管正极通过导线接地，第三只电阻另一端和第二只瓷片电容另一端、第二只电阻一端、三端并联稳压二极管的参考电压输入端通过导线连接。
5.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于多倍整流电路由电容和硅整流二极管组成，电容是CBB高频电容，电容有十只，硅整流二极管有九只，第一只电容一端和第一只硅整流二极管负极通过导线连接，第一只电容另一端和第二只电容一端通过导线连接，第二只电容另一端和第二只硅整流二极管正极、第三只硅整流二极负极、第三只电容一端通过导线连接，第三只电容另一端和第四只硅整流二极管正极、第五只硅整流二极管负极、第四只电容一端通过导线连接，第四只解电容另一端和第六只硅整流二极管正极、第七只硅整流二极管负极、第五只电容一端通过导线连接，第五只电容另一端和第八只硅整流二极管正极、第九只硅整流二极管负极通过导线连接，第六只电容一端和第一只硅整流二极管正极、第二只硅整流二极管负极、第七只电容一端通过导线连接，第七只电容一端和第三只硅整流二极管正极、第四只硅整流二极管负极、第八只电容一端通过导线连接，第八只电容另一端和第五只硅整流二极管正极、第六只硅整流二极管负极、第九只电容一端通过导线连接，第九只电容另一端和第七只硅整流二极管正极、第八只硅整流二极管负极、第十只电容一端通过导线连接，第十只电容另一端和第九只硅整流二极管正极通过导线连接。
6.根据权利要求1所述的一种大空间使用的负离子发生器，其特征在于负离子释放单元由滤波电阻和富勒烯负离子释放电极组成，滤波电阻一端分别和富勒烯负离子释放电极一端通过导线连接。