顶发射显示器件的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种顶发射显示器件。

背景技术：

在信息社会，作为可视信息传输媒介的显示器件正在快速发展，并且正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED显示器和QLED显示器的工艺具有成本低、产能高、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。同时，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

目前，在印刷工艺中，通常将相邻像素并具有相同颜色的子像素集中在一起，然后通过像素界定结构10的优化，如图1所示，在基板11上布设有驱动TFT阵列12、钝化平坦层13、底电极14、第一像素界定层15及第二像素界定层16等，该优化的像素界定结构可扩大墨水的沉积区域，从而实现高分辨率显示器的制备。但是，当采用顶发射的显示器件结构时，由于相邻相同颜色的子像素间的界定较薄，因此相互之间会存在一定干扰现象，导致显示器的显示效果下降。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种能够防止相邻子像素相互干扰的顶发射显示器件。

一种顶发射显示器件，包括基板、第一电极层、发光功能层、第一像素界定层、第二像素界定层、第二电极层、隔离缓冲功能层和封装盖板；

所述第一电极层、所述发光功能层、所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述第二电极层在所述基板上构成多个像素单元，且每个所述像素单元内包含多个子像素单元，相邻的所述像素单元之间或相邻的所述子像素单元之间均通过所述第一像素界定层隔开，且相邻的所述像素单元之间还通过设于所述第一像素界定层之上的所述第二像素界定层隔开；

所述隔离缓冲功能层设在所述封装盖板上且朝向所述像素单元设置，所述隔离缓冲层具有多个隔离凸起，所述隔离凸起与所述第一像素界定层和所述第二像素界定层相配合进一步将相邻的所述像素单元和相邻的所述子像素单元隔开。

在其中一个实施例中，所述顶发射显示器件还包括辅助电极层，所述辅助电极层设于所述隔离凸起上，且位于所述隔离凸起端部的辅助电极层与相应的所述像素界定层之上的所述第二电极层相连接。

在其中一个实施例中，所述顶发射显示器件还包括柔性导电层，所述柔性导电层设于所述辅助电极层和所述第二电极层之间。

在其中一个实施例中，所述柔性导电层为有机导电薄膜层。

在其中一个实施例中，所述基板上具有驱动TFT阵列，所述第一电极层与所述驱动TFT阵列相连接。

在其中一个实施例中，所述发光功能层为有机电致发光功能层、量子点发光功能层或者所述有机电致发光功能层和所述量子点发光功能层相结合形成的混合发光功能层。

在其中一个实施例中，每个所述像素单元内的发光功能层整体覆盖在所述第一电极层及该像素单元内的所述第一像素界定层之上；

所述第二电极层整体覆盖在所述发光功能层和所述第二像素界定层之上。

在其中一个实施例中，所述辅助电极层为不透明金属薄膜层。

在其中一个实施例中，所述第二电极层为半透明的导电金属薄膜层或透明的导电金属氧化物薄膜层。

在其中一个实施例中，所述顶发射显示器件还包括封装胶框，所述封装胶框设于所述基板和所述封装盖板之间，用于密封整个器件。

上述顶发射显示器件通过在封装盖板上且朝向像素单元的一侧设置包括与第一像素界定层和第二像素界定层相配合进一步将相邻的像素单元和相邻的子像素单元隔开的多个隔离凸起，从而能够整体上有效隔断顶发射显示器件中相邻相同颜色子像素间的发光干扰，提高显示器的显示效果。

进一步地，上述顶发射显示器件还在隔离凸起的表面上设有辅助电极层，辅助电极层与相应的像素界定层之上的第二电极层相连接，该辅助电极层的设置能够与隔离凸起相配合进一步有效隔断顶发射显示器件中相邻相同颜色的子像素间的发光干扰，提高显示器的显示效果。同时，该辅助电极层的设置能够使电流流过第二电极层时产生的压降减小，对于大面积的显示器而言，能够提高显示器件的显示亮度均匀性。

进一步地，上述顶发射显示器件还在辅助电极层和第二电极层之间设置柔性导电层，该柔性导电层可以作为应力缓冲层，减小封装盖板与基板贴合时对第二电极层的损伤，辅助电极层通过该柔性导电层与第二电极层连接，可进一步提高第二电极层的导电性，进一步提高显示器的显示亮度均匀性。

附图说明

图1为常规优化的像素界定结构示意图；

图2为一实施方式的顶发射显示器件的结构示意简图；

图3为图2中的顶发射显示器件的局部放大结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请结合图2和图3，一实施方式的顶发射显示器件20，包括基板100、第一电极层110、第一像素界定层121、第二像素界定层122、发光功能层130、第二电极层140、封装盖板200和隔离缓冲功能层。

在本实施方式中，基板100上具有驱动TFT阵列。TFT阵列可以包括非晶硅TFT阵列、多晶TFT阵列以及金属氧化物TFT阵列等。

在本实施方式中，第一电极层110、第一像素界定层121、第二像素界定层122、发光功能层130及第二电极层140在基板100上构成多个像素单元，且每个像素单元内包含多个子像素单元，相邻的像素单元之间或相邻的子像素单元之间均通过第一像素界定层121隔开，且相邻的像素单元之间还通过设于第一像素界定层121之上的第二像素界定层122隔开。每个像素单元内的发光功能层130整体覆盖在第一电极层110及该像素单元内的第一像素界定层121之上，第二电极层140整体覆盖在发光功能层130和第二像素界定层122之上。

其中，第一电极层110可以称为底电极或像素电极，第一电极层110呈图案化设置在基板100上，并通过连接孔与驱动TFT阵列连接。第一像素界定层121定义了各子像素的发光区域，其厚度可以为100-500nm，呈亲液性，保证印刷工艺墨水沉积后在此区域后具有良好的铺展性，从而形成均匀液膜。第二像素界定层122定义了各色子像素的墨水沉积区域，厚度可以为1000-5000nm，呈疏液性，防止出现墨水溢出造成不同颜色子像素混色的情况，提高印刷工艺制备的产品良率。优选地，第二像素界定层122从与第一像素界定层121相接触的底部至顶部逐渐收窄，可扩大墨水的沉积区域，提高显示器件的显示效果。

发光功能层130可以为有机电致发光功能层，至少包含发光层即可。发光层可以为一层或多层功能薄膜层。优选地，发光功能层130包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、激子限定层、空穴阻挡层和电子注入层。在其他实施方式中，发光功能层130还可以为量子点发光功能层或者有机电致发光功能层和量子点发光功能层相结合形成的混合发光功能层。

第二电极层140也可称为顶电极，第二电极层140整体覆盖在第二像素界定区域122和发光功能层130上。第二电极层140可以为透明顶电极或半透明顶电极。当第二电极层140可以为铝、银、镁银合金和铝银合金等材质制作形成的导电金属薄膜，半透明，厚度可以为15-25nm。当可以为ITO、IZO、AZO等材质制作形成的导电金属氧化物薄膜，呈透明态。

在本实施方式中，封装盖板200可以采用盖板玻璃。封装盖板200上设有隔离缓冲功能层。隔离缓冲功能层包括隔离凸起210、辅助电极层220和柔性导电层230。

隔离凸起210设在封装盖板200的一侧表面上。多个隔离凸起210与第一像素界定层121和第二像素界定层122相配合进一步将相邻的像素单元和相邻的子像素单元隔开，从而能够有效隔断顶发射显示器件20中相邻相同颜色子像素间的发光干扰，提高显示器的显示效果。可以理解，在不同区域的隔离凸起210的高度与对应区域的像素界定层的高度一一对应，仅具有第一像素界定层121所对应的隔离凸起210的厚度大于对应第二像素界定层122的隔离凸起210的厚度，其厚度差等于第二像素界定层122的厚度。优选地，隔离凸起210从与封装盖板200相接触的底部至顶部逐渐收窄。隔离凸起210的厚度范围可以为2-10μm。另外，隔离凸起210的材质为有机聚合物，如但不限于PI、PEI、PEN、PMMA、FEP、EVA、EMA、PVB及PSI等材质。

在本实施方式中，优选地，辅助电极层220设于隔离凸起210上，且位于隔离凸起210端部的辅助电极层220与相应的像素界定层之上的第二电极层140相连接。辅助电极层220覆盖隔离凸起210的表面上。辅助电极层220为不透明金属薄膜层，其材质可以为但不限于Al、Ag或它们的合金，也可以为Al与Mo、Nb、Ti等材质的叠层。该辅助电极层220的设置能够与隔离凸起210相配合进一步有效隔断顶发射显示器件20中相邻相同颜色子像素间的发光干扰，提高显示器的显示效果。同时，该辅助电极层220的设置能够使电流流过第二电极层140时产生的压降减小，对于大面积的显示器而言，能够提高显示器件的显示亮度均匀性。在其他实施方式中，当第二电极层140中的方阻不大，电流流过该第二电极层140使的压降不大且显示器件的显示效果好时，可无需设置辅助电极层220。

在本实施方式中，柔性导电层230为有机导电层，如但不限于石墨烯、导电碳纳米管、PEDOT等有机导电薄膜。柔性导电层230设于辅助电极层220与第二电极层140之间，使辅助电极层220与第二电极层140相连接。柔性导电层230作为缓冲层，在封装盖板200与发光功能层130封装贴合时起到缓冲、应力释放作用，从而减小贴合过程中对第二电极层140的损伤。可以理解，柔性导电层230属于进一步优选的情况，在其他实施方式中，可以省略。

在本实施方式中，封装胶框300设于封装胶框设于基板和封装盖板，并位于边缘部位，用于连接基板100和封装盖板200，密封整个器件。其中，封装胶框300内的薄膜封装层可以为无机化合物薄膜或无机/有机/无机等多层薄膜的叠合层，对整个器件进行封装，隔绝水氧，提高器件长期稳定性。

本实施方式的顶发射显示器件20的制作流程包括如下步骤：

S1、提供基板100，基板上具有驱动TFT阵列。

S2、在驱动TFT阵列上制作第一电极层110、第一像素界定层121、第二像素界定层122、发光功能层130和第二电极层140。

S3、提供封装盖板玻璃200，在封装盖板玻璃200上通过黄光工艺制作图案化的隔离凸起210。

S4、在隔离凸起210上通过黄光工艺制作图案化的辅助电极层220。

S5、在辅助电极层220上通过转印或压印工艺制作柔性导电层230。

S6、将封装盖板200与基板100对位贴合，并通过封装胶框300密封。

S7、固化封装胶框300，即得。

本实施方式的顶发射显示器件20，在封装盖板200上设置包含隔离凸起210、辅助电极层220和柔性导电层230的隔离缓冲功能层，隔离凸起210以及覆盖隔离凸起210上的辅助电极层220能有效隔断顶发射显示器件中相邻相同颜色的子像素间发光干扰，而柔性导电层230可以应力缓冲层，减小封装盖板200与显示基板100贴合时对第二电极层140的损伤，辅助电极层220通过柔性导电层230与第二电极层140连接提高透明顶电极的导电性进而提高了整个顶发射印刷显示器的显示效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。