底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置的制造方法

文档序号:8262476阅读:361来源:国知局
底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域,尤指一种底发射型有机电致发光显示器件、其制作方 法及显示装置。
【背景技术】
[0002] 目前,有机电致发光显示器件(OLED,OrganicLight-EmittingDisplay)是指 有机半导体发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。其发光原理 是利用铟锡金属氧化物(ITO,IndiumTinOxides)透明电极和金属电极分别作为器件的阳 极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电 子和空穴分别经过电子和空穴传输层迀移到发光层,并在发光层中相遇形成激子使发光分 子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。0LED具有更薄更轻、主动发光(不需要背光源)、 无视角问题、高清晰、高亮度、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、成本低和可 实现柔软显示等优点。
[0003] 0LED按照光的取出方式可以分为底发射型和顶发射型两大类,底发射型0LED中 的光取出来自于衬底基板一侧,而顶发射型0LED中的光取出来自顶端;按照驱动方式可以 分为无源驱动和有源驱动两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor) 矩阵寻址两类,其中,有源驱动也称为有源矩阵(AM)型中的每个发光单元都由TFT寻址独 立控制。对于大屏幕高分辨率显示,通常采用有源矩阵驱动方式。
[0004] 对于AM0LED显示屏,TFT包含中的金属层,例如栅极层、源漏极层等结构,都是由 金属材料制备而成,而金属材料具有很高的反射率,当AM0LED显示屏为底发射型结构时, 由于TFT包含的金属层具有很高的反射率,外界环境光会在金属层表面形成强烈的反射, 会造成了显示屏在暗态会有很强的反射影像存在,即使在显示状态也会有反射影像,这会 降低显示屏的画面质量和观瞻效果。为了解决这个问题,现有的方法是在显示屏的发光面 贴敷偏光片,这种方法可以有效地降低反射,但同时会导致显示屏的亮度下降50%,S卩贴敷 偏光片会造成了像素区出射光线的大量损耗,可达到50%,进一步会造成显示屏的功耗上 升很大。
[0005] 因此,如何选用一种新的方法,既可以降低金属层表面的反射率,又可以减小出射 光线的损耗率,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

【发明内容】

[0006] 有鉴于此,本发明实施例提供一种底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法 及显示装置,可以降低薄膜晶体管中包含的金属层表面的反射率,又可以减小出射光线的 损耗率,从而提尚画面质量和显不效果。
[0007] 因此,本发明实施例提供了一种底发射型有机电致发光显示器件,包括:衬底基 板,依次设置在所述衬底基板上的至少一组介质薄膜层组和薄膜晶体管;各所述介质薄膜 层组包括层叠设置的折射率从所述衬底基板指向所述薄膜晶体管依次递增的至少两层介 质薄膜层。
[0008] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,各所述介质薄膜层组包括:第一介质薄膜层和位于所述第一介质薄膜层上的第 二介质薄膜层;
[0009] 所述第二介质薄膜层的折射率大于所述第一介质薄膜层的折射率。
[0010] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,所述第一介质薄膜层与所述第二介质薄膜层的折射率之比为0. 4至0. 6。
[0011] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,所述第一介质薄膜层的材料为SiOx、LiF、MgF、MgO其中之一或组合;
[0012] 所述第二介质薄膜层的材料为SiNx、CdS、Ce02、Hf02、Nb205、PbCl3、Sb2S3其中之一 或组合。
[0013] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,各所述介质薄膜层组中包含的各介质薄膜层的光学厚度相同。
[0014] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,各所述介质薄膜层组中包含的各介质薄膜层的光学厚度均为基准波长的四分之 一;其中,所述基准波长为550纳米。
[0015] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,最上层的介质薄膜层组中的最上层介质薄膜层与薄膜晶体管中包含的金属层相 互接触。
[0016] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件中,所述薄膜晶体管为底栅型结构时,所述金属层为栅极层。
[0017] 所述薄膜晶体管为顶栅型结构时,所述金属层为源漏极层。
[0018] 本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述底发射型有 机电致发光显示器件。
[0019] 本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述底发射型有机电致发光显 示器件的制作方法,包括:
[0020] 在衬底基板上依次形成至少一组介质薄膜层组和薄膜晶体管的图案;其中,形成 各所述介质薄膜层组的过程具体包括:
[0021] 在衬底基板上形成折射率从所述衬底基板指向所述薄膜晶体管依次递增的至少 两层介质薄膜层。
[0022] 本发明实施例的有益效果包括:
[0023] 本发明实施例提供的一种底发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装 置,包括:衬底基板,依次设置在衬底基板上的至少一组介质薄膜层组和薄膜晶体管;各介 质薄膜层组包括层叠设置的折射率从衬底基板指向薄膜晶体管依次递增的至少两层介质 薄膜层,由于在衬底基板和薄膜晶体管之间增加了至少一组层叠设置的折射率从衬底基板 指向薄膜晶体管依次递增的至少两层介质薄膜层,这样通过引入至少一组从低到高的折射 率搭配的多层介质薄膜层的介质薄膜层组,借助薄膜光学理论,既可以降低薄膜晶体管中 包含的金属层表面的反射率,又可以减小出射光线的损耗率,从而提高画面质量和显示效 果。
【附图说明】
[0024] 图la至图Id分别为本发明实施例提供的底发射型有机电致发光显示器件的结构 示意图;
[0025]图2为本发明实施例提
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