量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件与流程

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量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件与制造工艺

本发明涉及发光器件制作领域,特别是涉及一种量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件。



背景技术:

量子点发光器件因具有广色域,制作成本低,发光谱线可调以及光照下稳定性好而受到广泛关注,因此很可能取代OLED成为下一代的核心显示器件。

其中量子点发光器件包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层(其同时具备阻挡空穴、传输电子以及注入电子的作用)以及阴极。

ZnO材料由于能起到较好的空穴阻挡作用,同时又与阴极具有良好的能级匹配,而常作为电子传输层的材料。但是其电子传输能力较差,从而会对相应的量子点发光器件的发光效率造成影响。

故,有必要提供一种量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件,以解决现有技术所存在的问题。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种可加强量子点发光器件的发光效率的量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件;以解决现有的量子点发光器件的发光效率较低的技术问题。

本发明实施例提供一种量子点发光器件的制作方法,其包括:

提供一基板,在所述基板上通过溅射沉积制作阳极;

通过悬涂,雾化法或喷墨打印工艺,在所述阳极上制作空穴注入层;

通过悬涂,喷墨打印或雾化工艺,将空穴传输层涂布到所述空穴注入层上;

通过悬涂,喷墨打印或雾化工艺,将量子点发光层涂布到所述空穴传输层;

通过溅射沉积或溶液法,将IZO电子传输层沉积到所述量子点发光层;以及

通过热蒸镀工艺,在所述IZO电子传输层上制作阴极,以得到相应的量子点发光器件。

在本发明所述的量子点发光器件的制作方法中,所述IZO电子传输层中的铟掺杂比例为0.01%至20%。

在本发明所述的量子点发光器件的制作方法中,所述阳极的材料为氧化铟锡;

所述空穴注入层的材料为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT);

所述空穴传输层的材料为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3);

所述量子点发光层的材料为硒化镉;

所述阴极的材料为镁银合金。

在本发明所述的量子点发光器件的制作方法中,所述量子点发光层包括发光层以及保护壳层,所述发光层的材料为硒化镉,所述保护壳层的材料为硫化锌。

在本发明所述的量子点发光器件的制作方法中,所述发光层分散配合基为油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。

在本发明所述的量子点发光器件的制作方法中,所述通过悬涂,喷墨打印或雾化工艺,将量子点发光层涂布到所述空穴传输层的步骤之前包括:

对所述空穴传输层进行溶剂烘干操作,以使得所述空穴传输层与所述量子点发光层产生相分离。

本发明实施例还提供一种量子点发光器件,其包括依次设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极,其中所述电子传输层为铟掺杂比例为0.01%至20%的IZO电子传输层。

在本发明所述的量子点发光器件中,所述阳极的材料为氧化铟锡;

所述空穴注入层的材料为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT);

所述空穴传输层的材料为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3);

所述量子点发光层的材料为硒化镉;

所述阴极的材料为镁银合金。

在本发明所述的量子点发光器件中,所述量子点发光层包括发光层以及保护壳层,所述发光层的材料为硒化镉,所述保护壳层的材料为硫化锌。

在本发明所述的量子点发光器件中,所述发光层分散配合基为油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。

相较于现有的量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件,本发明的量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件使用铟掺杂比例为0.01%至20%的IZO材料作为电子传输层,提高了量子点发光器件的发光效率;解决了现有的量子点发光器件的发光效率较低的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:

附图说明

图1为本发明的量子点发光器件的制作方法的优选实施例的流程图;

图2为本发明的量子点发光器件的优选实施例的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。

在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。

本发明的量子点发光器件可作为平面显示器的显示元件,由于该量子点发光器件具有较高的发光效率,因此可较好的提高相应的平面显示器的画面显示品质。

请参照图1,图1为本发明的量子点发光器件的制作方法的优选实施例的流程图。本优选实施例的量子点发光器件的制作方法包括:

步骤S101,提供一基板,在基板上通过溅射沉积制作阳极;

步骤S102,通过悬涂、雾化法或喷墨打印工艺,在阳极上制作空穴注入层;

步骤S103,通过悬涂、喷墨打印或雾化工艺,将空穴传输层涂布到空穴注入层上;

步骤S104,对空穴传输层进行溶剂烘干操作,以使得空穴传输层与量子点发光层产生相分离;

步骤S105,通过悬涂,喷墨打印或雾化工艺,将量子点发光层涂布到空穴传输层;

步骤S106,通过溅射沉积或溶液法,将IZO电子传输层沉积到量子点发光层;

步骤S107,通过热蒸镀工艺,在IZO电子传输层上制作阴极,以得到相应的量子点发光器件。

下面详细说明本优选实施例的量子点发光器件的制作方法的各步骤的具体流程。

在步骤S101中,提供一基板,在基板上通过溅射沉积阳极材料来制作阳极,这里阳极材料优选为氧化铟锡(ITO),以便从底端进行出光操作。随后转到步骤S102。

在步骤S102中,通过悬涂,雾化法或喷墨打印工艺,在阳极上制作空穴注入层,这里的空穴输入层的材料优选为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT)。随后转到步骤S103。

在步骤S103中,通过悬涂、喷墨打印或雾化工艺,将空穴传输层涂布到空穴注入层上,这里的空穴传输层的材料优选为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。随后转到步骤S104。

在步骤S104中,对空穴传输层进行溶剂烘干操作,以使得空穴传输层与量子点发光层产生相分离。由于后续需要涂布量子点发光层,这里为了使涂布后的空穴传输层与量子点发光层自动产生相分离,在本步骤中,先对空穴传输层进行溶剂烘干操作。随后转到步骤S105。

在步骤S105中,通过悬涂,喷墨打印或雾化工艺,将量子点发光层涂布到空穴传输层。这里的量子点发光层的材料优选为硒化镉(CdSe)。具体的,量子点发光层包括发光层以及保护壳层,发光层的材料为硒化镉,保护壳层的材料为硫化锌(ZnS)。发光层分散配合基可为油酸、三辛基氧化膦(TOPO)或三辛基膦(TOP)等具有长碳链结构的分子。随后转到步骤S106。

在步骤S106中,通过溅射沉积或溶液法,将IZO电子传输层沉积到量子点发光层。这里的IZO电子传输层可为铟掺杂比例为0.01%至20%,即IZO电子传输层的铟材料和锌材料的比例为0.01%至20%。铟掺入氧化锌后,能多提供一个电子,从而使得量子点发光层的电子传输特性提高。此外掺杂后的IZO电子传输层的电子浓度增大,空穴经过IZO电子传输层时,更加容易与电子复合,提高IZO电子传输层的空穴阻挡能力。随后转到步骤S107。

在步骤S107中,通过热蒸镀工艺,在IZO电子传输层上制作阴极,以得到相应的量子点发光器件。这里的阴极材料优选为镁银合金。

这样即完成了本优选实施例的量子点发光器件的制作方法的制作过程。

本优选实施例的量子点发光器件的制作方法使用铟掺杂比例为0.01%至20%的IZO材料作为电子传输层,提高了量子点发光器件的发光效率。

本发明还提供一种量子点发光器件,请参照图2,图2为本发明的量子点发光器件的优选实施例的结构示意图。本优选实施例的量子点发光器件20包括依次设置的基板21、阳极22、空穴注入层23、空穴传输层24、量子点发光层25、电子传输层26以及阴极27。

其中阳极22的材料为氧化铟锡;

空穴注入层23的材料为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT);

空穴传输层24的材料为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3);

量子点发光层25的材料为硒化镉;

电子传输层26为铟掺杂比例为0.01%至20%的IZO电子传输层;

阴极27的材料为镁银合金。

其中量子点发光层26包括发光层以及保护壳层,发光层的材料为硒化镉,保护壳层的材料为硫化锌(ZnS)。发光层分散配合基可为油酸、三辛基氧化膦(TOPO)或三辛基膦(TOP)等具有长碳链结构的分子。

本优选实施例的量子点发光器件20中的IZO电子传输层中的铟掺杂比例为0.01%至20%,即IZO电子传输层的铟原子和锌原子的数量比例为0.01%至20%。铟掺入氧化锌后,能多提供一个电子,从而使得量子点发光层的电子传输特性提高。此外掺杂后的IZO电子传输层的电子浓度增大,空穴经过IZO电子传输层时,更加容易与电子复合,提高IZO电子传输层的空穴阻挡能力。

本优选实施例的量子点发光器件20的制作流程可参照上述量子点发光器件的制作方法的优选实施例中的相关描述。

本发明的量子点发光器件的制作方法及量子点发光器件使用铟掺杂比例为0.01%至20%的IZO材料作为电子传输层,提高了量子点发光器件的发光效率;解决了现有的量子点发光器件的发光效率较低的技术问题。

综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

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