一种增强空穴注入的异质结构LED器件的制作方法

本实用新型涉及半导体照明技术领域，具体是涉及一种增强空穴注入的异质结构LED器件。

背景技术：

GaN基发光二极管（LED）具有体积小、寿命长、高效节能、绿色环保等优点，是传统白炽灯、荧光灯的理想替代光源，是引领新一代照明革命的核心关键器件。近十余年来，LED照明市场规模不断扩大，取得了巨大的成功，同时可见光通信、微显示、可穿戴智能眼镜等LED新型应用不断发展，对器件性能提出了更高要求。当前在学术界和产业界，仍面临的重要挑战之一是如何解决大注入电流下LED的发光效率骤降（Efficiency Droop）问题。导致器件出现效率骤降的原因众说纷纭，可能包括缺陷相关的非辐射复合、俄歇复合、载流子解局域化、空穴注入效率限制或载流子泄漏等多种因素。其中，空穴注入效率限制或载流子泄漏是其中最重要的因素之一，这是因为对GaN基材料体系而言，n型和p型材料存在显著的导电性差异，例如：n型GaN基材料掺杂容易实现，电子浓度可远大于1×10¹⁸ cm^-3，且迁移率可＞300 cm²/V/s；而p型GaN基材料缺乏合适的受主掺杂剂（通常用Mg），空穴浓度很难做到1×10¹⁸cm^-3以上，且迁移率通常＜10 cm²/V/s。因此，LED器件中n区和p区载流子存在显著的不平衡，从而导致内量子效率较低或者大注入电流下电子泄漏严重，导致器件发光效率下降。在Mg受主激活能高达150-250meV的限制条件下，现有技术通常在量子阱发光有源区和p-GaN漂移区之间引入p-AlGaN、AlGaN/GaN短周期超晶格、或者渐变组分p-AlGaN等电子阻挡层结构来阻挡电子泄漏。这些电子阻挡层在一定程度上缓解了效率骤降，但仍存在厚度较大导致器件工作电压增大、外延生长条件较为苛刻、或者制备工艺复杂等一系列问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对上述存在问题和不足，提供一种结构可靠，能够实现阻挡层中价带能带结构和电场强度分布的局部调节，有效地增强空穴注入，发光效率高的异质结构LED器件。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特点是：包括衬底及衬底上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层、非故意掺杂层、n型电子漂移层、多量子阱发光有源区、p型电子阻挡层、p型空穴漂移层和p型接触层，所述n型电子漂移层上设置有n型欧姆接触电极，所述p型接触层上设置有p型欧姆接触电极，所述p型电子阻挡层由沿外延生长方向依次设置的p-Al_xGa_1-xN层、p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层及p-Al_zGa_1-zN层构成，其中所述p-Al_xGa_1-xN层用于阻挡电子，所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层用于调整价带和电场强度，使价带更接近空穴的准费米能级而提高空穴浓度，并使空穴在更大的电场下加速获得更高速率，所述p-Al_zGa_1-zN层用于辅助增强阻挡电子。

其中，所述p-Al_xGa_1-xN层的Al组分x为0.07≤x≤1。而且，所述p-Al_xGa_1-xN层的厚度为1～5nm。

所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层的In组分y1、y2、y3分别为0.04≤y1≤0.2，0.04≤y2≤0.2，0.04≤y3≤0.2，且y2≤y1≤y3。而且，所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层中每一层的厚度均为1～5nm。

所述p-Al_zGa_1-zN层的Al组分z为0.07≤z≤1。而且，所述p-Al_zGa_1-zN层的厚度为1～5nm。

为了使本实用新型具有多种不同的结构形式，以方便地满足不同的使用需要，既可以是，所述衬底为生长衬底，所述缓冲层、非故意掺杂层、n型电子漂移层、多量子阱发光有源区、p型电子阻挡层、p型空穴漂移层和p型接触层由生长衬底从下往上依次外延生长而成；也可以是，所述衬底为导热基底，所述导热基底通过键合层键合在n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极上而实现与外延结构的连接。

本实用新型由于采用了由p-Al_xGa_1-xN层、p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层和p-Al_zGa_1-zN层组成的异质结作为p型电子阻挡层，通过采用较薄的p-Al_xGa_1-xN层降低了对注入空穴的阻挡作用；同时，通过引入压电极化与p-Al_xGa_1-xN材料相反的p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层，由增强的极化电场能够使p-Al_xGa_1-xN和p-In_y1Ga_1-y1N之间带阶处的价带更接近空穴准费米能级，并使空穴在更大的电场下漂移，而且复合层中p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N的作用是由带阶差异进一步提升价带和电场强度。通过以上多层异质结的共同作用，在优化的组分和厚度条件下，能够在保证对电子较好的阻挡作用、不增加器件工作电压的基础上，有效地提高空穴浓度和空穴漂移速率，缓解Mg受主激活能大、空穴迁移率低造成的不利影响，大大增强了空穴注入，从而提高了器件发光效率。此外，由于增强了空穴注入，可以降低LED器件p型层的整体厚度而保持器件性能不变，从而有利于节约材料外延生长的时间和原料成本，并减少p型层对量子阱发光的吸收，对于进一步提高器件性能和产业化生产都具有积极意义。

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

附图说明

图1为本实用新型方案一的结构示意图。

图2为本实用新型方案二的结构示意图。

具体实施方式

如图1-图2所示，本实用新型所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，包括衬底1及衬底1上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层2、非故意掺杂层3、n型电子漂移层4、多量子阱发光有源区5、p型电子阻挡层6、p型空穴漂移层7和p型接触层8，所述n型电子漂移层4上设置有n型欧姆接触电极9，所述p型接触层8上设置有p型欧姆接触电极10。

其中，所述p型电子阻挡层6由沿外延生长方向依次设置的p-Al_xGa_1-xN层61、p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层62及p-Al_zGa_1-zN层63构成。所述p-Al_xGa_1-xN层61用于阻挡电子，且其厚度为1～5nm ，Al组分x为0.07≤x≤1。所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层62用于调整价带和电场强度，使价带更接近空穴的准费米能级而提高空穴浓度，并使空穴在更大的电场下加速获得更高速率，且其每一层的厚度均为1～5nm，In组分y1、y2、y3分别为0.04≤y1≤0.2，0.04≤y2≤0.2，0.04≤y3≤0.2，且y2≤y1≤y3。所述p-Al_zGa_1-zN层63用于辅助增强阻挡电子，且其厚度为1～5nm，Al组分z为0.07≤z≤1。

下面通过具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

实施例一：

本实施例中LED器件为正装结构的蓝光LED器件，其结构如图1所示。此时，衬底1为蓝宝石图形化生长衬底，在该蓝宝石图形化生长衬底上采用MOCVD生长法由下往上依次外延生长有GaN缓冲层、GaN非故意掺杂层、n型GaN电子漂移层、10个周期的In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱发光有源区（发光波长约为460nm）、p型电子阻挡层、p型GaN空穴漂移层和p型GaN接触层。外延生长的条件和参数与传统大功率蓝光LED相似。其不同点在于p型电子阻挡层由厚度为5nm 的p-Al_0.14Ga_0.86N层、厚度依次为1nm/1nm/1nm 的p-In_0.08Ga_0.92N/p-In_0.04Ga_0.96N/p-In_0.14Ga_0.86N复合层以及厚度为5nm 的p-Al_0.07Ga_0.93N层构成。Mg掺杂浓度都为3×10¹⁹ cm^-3，复合层中In组分依次为0.08/0.04/0.14，均小于多量子阱发光有源区的In组分0.2，以避免吸收正面出光。

将得到的外延片按常规芯片工艺流片，采用ICP刻蚀工艺刻蚀部分外延结构，露出n型GaN电子漂移层，并在该露出的n型GaN电子漂移层的表面上通过电子束蒸发的方法制备Ti/Al/Ni/Au多层金属n型欧姆接触电极，同时在p型GaN接触层的表面上通过电子束蒸发的方法制备ITO/Ti/Au多层结构p型欧姆接触电极，最后制成单颗芯片，即可得到本实施例中增强空穴注入的蓝光LED器件。

实施例二：

本实施例中LED器件为正装结构的近紫外光LED器件，其结构如图1所示。此时，衬底1为蓝宝石/AlN复合生长衬底，在该蓝宝石/AlN复合生长衬底上采用MOCVD生长法由下往上依次外延生长有GaN缓冲层、GaN非故意掺杂层、n型Al_0.07Ga_0.93N电子漂移层、10个周期的In_0.08Ga_0.92N/GaN多量子阱发光有源区（发光波长约为395nm）、p型电子阻挡层、p型Al_0.07Ga_0.93N空穴漂移层和p型In_0.07Ga_0.93N接触层。外延生长的条件和参数与传统近紫外光LED相似。其不同点在于p型电子阻挡层由厚度为2nm 的p-Al_0.15Ga_0.85N层、厚度依次为2nm/2nm/2nm 的p-In_0.05Ga_0.95N/p-In_0.03Ga_0.97N/p-In_0.08Ga_0.92N复合层以及厚度为5nm 的p-Al_0.14Ga_0.86N层构成。Mg掺杂浓度都为3×10¹⁹ cm^-3，复合层中In组分依次为0.05/0.03/0.08，均小于多量子阱发光有源区的In组分0.1，以避免吸收正面出光。另外，p型Al_0.07Ga_0.93N空穴漂移层的厚度也由传统结构LED的150nm减薄为75nm，且p型层的总厚度约为90nm，为薄p型层的LED器件。

将得到的外延片按常规芯片工艺流片，采用ICP刻蚀工艺刻蚀部分外延结构，露出n型GaN电子漂移层，并在该露出的n型GaN电子漂移层的表面上通过电子束蒸发的方法制备Ti/Al/Ti/Au多层金属n型欧姆接触电极，同时在p型In_0.07Ga_0.93N接触层的表面上通过电子束蒸发的方法制备Ni/Au多层结构p型欧姆接触电极，最后制成单颗芯片，即可得到本实施例中增强空穴注入的近紫外光LED器件。在空穴注入获得增强的情况下，薄p型层的LED器件减少了外延原料和时间成本，且更有利于提高器件出光效率。

实施例三：

本实施例中LED器件为倒装结构的近紫外光LED器件，其结构如图2所示。此时，衬底1为导热基底。其外延结构为硅衬底上采用MOCVD生长法由下往上依次外延生长形成的AlN缓冲层、Al_0.3Ga_0.7N非故意掺杂层、n型Al_0.1Ga_0.9N电子漂移层、10个周期的In_0.02Ga_0.98N/Al_0.1Ga_0.9N多量子阱发光有源区（发光波长约为365nm）、p型电子阻挡层、p型Al_0.1Ga_0.9N空穴漂移层和p型In_0.02Ga_0.98N接触层。外延生长的条件和参数与传统近紫外光LED相似。其不同点在于p型电子阻挡层由厚度为3nm的 p-Al_0.2Ga_0.8N层、厚度依次为3nm/3nm/3nm的p-In_0.02Ga_0.98N/p-In_0.02Ga_0.98N/p-In_0.02Ga_0.98N复合层以及厚度为3nm 的p-Al_0.15Ga_0.85N层构成。Mg掺杂浓度都为5×10¹⁹ cm^-3，复合层中In组分依次为0.02/0.02/0.02，以尽量减少对器件向下发光及反射光的吸收。

将得到的外延片按倒装芯片工艺流片，采用ICP刻蚀工艺刻蚀部分外延结构，露出n型Al_0.1Ga_0.9N电子漂移层，并在该露出的n型Al_0.1Ga_0.9N电子漂移层的表面上通过电子束蒸发的方法制备V/Al/V/Au多层金属n型欧姆接触电极，同时在p型In_0.02Ga_0.98N接触层的表面上通过电子束蒸发的方法制备Ag/Ni/Au结构p型欧姆接触反射镜电极，并通过倒装工艺将芯片通过键合层11键合到导热基底上，最后剥离硅衬底，制成单颗芯片，即可得到本实施例中增强空穴注入的近紫外光LED器件。

本实用新型是通过实施例来描述的，但并不对本实用新型构成限制，参照本实用新型的描述，所公开的实施例的其他变化，如对于本领域的专业人士是容易想到的，这样的变化应该属于本实用新型权利要求限定的范围之内。