本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种晶圆酸洗槽。
背景技术：
在公开号为CN1338771的专利文件中提到，“在集成电路组件的工艺中，最频繁的步骤就是晶片洗净。晶片洗净的目的是为了去除附着于晶片表面上的有机化合物、金属杂质或微粒等污染物。而这些污染物对于产品后续工艺步骤的影响非常大。金属杂质的污染会造成p-n漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影工艺图案转移的真实性，甚至造成电路结构短路”，可见清洗对于晶圆制造过程是及其重要的。但是该文件并没有给出清洗过程中酸洗槽的设计方案。在现有公开的文件中，关于晶圆酸洗槽的结构缺乏成熟的方案，尤其对于如何防止酸液飞溅，没有简单易行的方法。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种晶圆酸洗槽。
一种晶圆酸洗槽，该酸洗槽具有一个外槽，在外槽内部设有内槽，喷淋管设置在内槽底部，内槽内的支架用于支撑石英托板，石英托板上用于放置清洗花篮，清洗花篮用于放置需要清洗的晶圆，
内槽的内侧壁和外侧壁上设有热电偶支架，用于安装热电偶，
外槽的上部是向外扩出的边缘，在该扩出的边缘下设置有多个支承棒，在外槽的底部设置有排废管，
内槽的上边缘具有多个溢流槽，溢流槽布满整个内槽上边缘，用于酸液的外溢，该溢流槽具有下泻的倒角。
本实用新型的晶圆酸洗槽的溢流槽所具有的倒角，对于酸液起倒流的作用，防止酸液在溢流是飞溅，消除了生产中的安全隐患。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中：
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是现有的酸洗槽的溢流槽放大示意图。
图3是本实用新型的溢流槽放大示意图。
1——外槽，2——内槽，3——喷淋管，4——热电偶支架，5——支架，6——排废管，7——支承棒，8——倒角。
具体实施方式
图2中是现有的在本文改进前的酸洗槽的溢流槽放大示意图。如图1和3所示，一种晶圆酸洗槽，该酸洗槽具有一个外槽，在外槽内部设有内槽，喷淋管设置在内槽底部，内槽内的支架用于支撑石英托板，石英托板上用于放置清洗花篮，清洗花篮用于放置需要清洗的晶圆。内槽的内侧壁和外侧壁上设有热电偶支架，用于安装热电偶。外槽的上部是向外扩出的边缘，在该扩出的边缘下设置有多个支承棒，在外槽的底部设置有排废管。内槽的上边缘具有多个溢流槽，用于酸液的外溢，该溢流槽具有下泻的倒角。对于酸液起倒流的作用，防止酸液在溢流是飞溅。溢流槽布满整个内槽上边缘。如图3所示，是图1中本实用新型的晶圆酸洗槽的具有倒角的溢流槽放大示意A 图。
值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型并不限于所公开的具体实施方式，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。