技术总结
本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。
技术研发人员：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香
受保护的技术使用者：中智(泰兴)电力科技有限公司
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.11.30