曝光装置和曝光数据结构的制作方法

本发明涉及曝光装置和曝光数据结构。

背景技术：

以往，已知一种互补光刻法，其通过在线宽为几十nm左右的采用光曝光技术而形成的单纯的线形图案上使用利用电子束等带电粒子束的曝光技术进行加工，从而形成精细的电路图案(例如，参照专利文献1)。还已知一种使用多个带电粒子束的多电子束曝光技术(例如，参照专利文献2)。还已知一种具有多个带电粒子柱的多列曝光技术(例如，参照专利文献3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2013-157547号公报

专利文献2：日本专利特开2015-133400号公报

专利文献3：日本专利特开2015-012035号公报

技术实现要素：

[发明要解决的问题]

在互补光刻法中，带电粒子束所要曝光的图案为了与线形图案组合，其位置和大小等受到限制。在这样的限制的基础上，器件的设计数据例如以该器件中所设定的坐标系为基础，描述各个器件图案的顶点位置的坐标值。器件的设计数据中的数据排列依赖于器件的设计所使用的设计工具，从而未必反映曝光装置的曝光顺序。难以从器件的设计数据创建出单独控制多个带电粒子柱的多个带电粒子束的控制数据。

[解决问题的手段]

在本发明第一方式中，提供一种曝光装置，在形成有线形图案的样品上形成切割图案，一边使样品在作为样品上预先形成的线形图案的长度方向的第二方向上移动，一边照射在与线形图案的长度方向正交的第一方向上排列的多个带电粒子束，所述曝光装置包括：多个柱部，产生沿第一方向排列的多个带电粒子束；柱控制部，单独控制带电粒子束的照射时刻；转换部，以描述器件图案的配置坐标的设计数据为基础，转换成曝光数据，所述曝光数据由对具有一个带电粒子束的宽度并沿第二方向延伸的带状区域进行分割而成的第二数据和基于第一方向的位置指定该第二数据的第一数据构成；第一存储部，存储曝光数据；以及分配部，依照曝光顺序重构曝光数据并分配给各个柱部。

在本发明的第二方式中，提供一种曝光数据结构，是曝光装置的曝光数据的结构，包括：子栅格数据，在具有与线形图案的最小宽度相同的宽度并沿第二方向延伸的栅格中包含的图案中，指定在第二方向上固定长度的子栅格中包含的图案的配置坐标；栅格数据，指定一个栅格中包含的子栅格数据；以及栅格组数据，指定属于在第一方向上按固定范围各自划分的栅格组的栅格数据。

在本发明的第三方式中，提供一种将描述器件图案的配置坐标的设计数据转换成曝光数据的方法、以及一种依照柱部的曝光顺序重构曝光数据并分配作为控制柱部的带电粒子束的电子束控制数据的方法。

另外，上述发明内容并未列举出本发明的全部必要特征。而且，这些特征组的子组合也有可能构成发明。

附图说明

图1表示本实施方式的曝光装置100的构成例。

图2表示本实施方式的曝光装置100扫描阵列束而在样品10的表面的一部分上形成的照射区域200的例子。

图3表示本实施方式的曝光装置100扫描阵列束500而对图案410、420、430进行曝光的动作的例子。

图4表示器件600中所包含的曝光图案610的例子。

图5(A)、(B)表示将曝光图案610与栅格结构建立对应关系的例子。

图6表示构成曝光数据162的第一数据164的构成例。

图7表示构成曝光数据162的第二数据166的构成例。

图8是用于从设计数据150创建曝光数据162的转换流程的例子。

图9表示配置在样品10上的多个器件600与可照射区域200之间的位置关系的例子。

图10表示电子束控制数据184的构成例。

图11是表示一部分框区曝光的曝光流程的例子。

图12表示历史数据194的构成例。

具体实施方式

以下通过发明的实施方式对本发明进行说明，但以下的实施方式并非对权利要求书所涉及的发明进行限定。并且，实施方式中说明的特征组合也并非全部为发明的解决手段所必须的。

图1表示本实施方式的曝光装置100的构成例。曝光装置100在与基于预定栅格形成在样品上的线形图案相应的位置，照射具有对应于该栅格的照射区域的带电粒子束，形成切割图案或过孔图案等器件图案。

曝光装置100在靠近图1所示的样品10的一侧具有一个台部110和多个柱部120。另外，曝光装置100为了控制这一个台部110和多个柱部120，具有一个台控制部140和多个柱控制部130。多个柱控制部130中的每一个单独地控制相对应的柱部120。台控制部140检测台部110的位置，并且基于台部110的位置的检测结果来控制台部110的移动。

载置在台部110上的样品10例如为由硅等形成的半导体晶片，在其表面上由金属等导电体形成有相互平行的多个线形图案。本实施方式的曝光装置100，为了对该线形图案进行精细加工(通过切割形成电极和布线和/或通过导孔而形成触点)，向涂布在线形图案上的抗蚀剂照射带电粒子束。在以下的说明书中，将控制曝光装置100的第一方向记为表示与该线形图案的长度方向正交的方向，将控制曝光装置100的第二方向记为表示该线形图案的长度方向。

样品10在图1所示的XY平面内被放置在台部110上，使得形成在样品10的表面上的线形图案的长度方向基本上平行于X轴方向。并且，在曝光期间，台部110沿X轴方向移动。由此，曝光中的台部110使样品10沿与形成在样品10的表面上的线形图案的长度方向大致平行的方向移动。

多个柱部120各自产生具有电子或离子的带电粒子束，并照射载置在台部110上的样品10。在本实施方式中，对柱部120生成电子束的例子进行说明。柱部120的数量例如是88个。多个柱部120在XY平面内以例如约30mm间距配置。载置在台部110上的直径约为300mm的半导体晶片即样品10的表面在台部110的可动范围内被从至少一个柱部120产生的电子束照射。

多个柱部120各自产生由分开一定间隔排列成一列的多个电子束群构成的阵列束。各个柱部120被设置成围绕Z轴使阵列束的排列方向与和曝光中的台部110的移动方向正交的方向大致一致。样品10是以曝光中的台部110的移动方向与样品10的表面上形成的线形图案的长度方向大致一致的方式搭载在台部110上，因此，各个柱部120在与线形图案的长度方向正交的线形图案的宽度方向上，产生由照射位置不同的多个电子束构成的阵列束。

整个阵列束的束宽例如为60μm。阵列束中所包含的电子束的数量例如为4098条。曝光装置100一边在沿着线形图案的长度方向移动阵列束，一边单独切换沿线形图案的宽度方向将照射位置不同的多个电子束分别照射到样品10上(接通(ON)状态)、或不照射到样品10上(断开(OFF)状态)，从而在样品10上曝光图案。

尽管在图1中没有明确表示，但曝光装置100包括：用于统一控制整个曝光装置100的中央处理单元(CPU)、以及在中央处理单元与构成装置的各单元之间进行指令和数据收发的总线。中央处理单元例如是工作站，具有输入来自用户的操作指令的终端的功能。

接下来对顺着图1中从左侧向右侧的曝光数据的处理流程的曝光装置100的构成进行说明。设计数据150是输入到曝光装置100的器件图案的数据。设计数据150是表示使用CAD(Computer-Aided Design，计算机辅助设计)工具设计的器件图案的位置、大小和/或形状的数据。作为一例，设计数据150在器件中设定的坐标系中，描述作为各个器件图案的顶点位置的坐标值的器件图案的配置坐标。

输入到曝光装置100的设计数据150被转换部152转换成曝光数据162。转换部152是执行从设计数据150到曝光数据162的数据转换的数据转换装置。而且，转换部152可以是具有从设计数据150到曝光数据162的数据转换功能的软件。曝光数据162是表示与设计数据150同等的图案内容的数据，是被转换成适合于构成本实施方式的曝光装置100的电子束控制数据的数据格式的数据。

曝光数据162由第一数据及第二数据构成，该第一数据指定与线形图案的长度方向正交的第一方向的曝光数据，该第二数据指定与线形图案的长度方向平行的第二方向的曝光数据。第一数据指定阵列束排列方向的曝光数据。第二数据指定在曝光期间台部110移动的方向的曝光数据。第一数据和第二数据都是在曝光装置100的曝光动作中对应于特征方向的数据。

第一数据和第二数据在数据内部具有层次结构，并且指定器件的相对较宽区域的数据指定其中所包含的相对较窄区域。曝光数据162在曝光之前创建并存储在曝光器件100的第一存储器160中。稍后将在本说明书的后半部分中，对曝光数据162的构成例和由转换部152创建曝光数据162的方法的例子进行说明。

图1所示的配置数据172也是在曝光之前确定的，并存储在曝光器件100的配置数据存储部170中。配置数据172是在样品10的表面上形成的器件的大小、器件的配置间距以及器件的配置位置等的相关数据。配置数据172根据器件的设计数据150和作为样品10的半导体晶片表面的有效曝光范围来确定。另外，由于配置数据172的数据容量与曝光数据162的数据容量相比足够小，因此曝光装置100也可不必具有专用用于配置数据172的配置数据存储部170。配置数据172可以例如存储在中央处理部(CPU)的存储部中。

分配部180基于配置数据172来确定器件的曝光数据162的位置，由此使样品10上的图案的位置确定。然后，分配部180使用所述器件的配置数据172以及多个柱部120各自所生成的电子束与试样10的位置关系的测定结果等，从曝光数据162针对多个柱部120分别创建电子束控制数据184。分配部180从构成曝光数据162的所述第一数据和第二数据中按照曝光的顺序提取并重构与各柱部120的可照射区域重叠的部分的数据，由此针对各柱部120创建电子束控制数据184。多个柱部120在样品10的表面的不同位置大致同时地曝光不同图案，与之对应地，分配部180对各柱部120分配不同的电子束控制数据184。另外，第一数据和第二数据并不直接包括各个图案的位置坐标数据，而是被规定为下文叙述的调用包含在预定区域中的图案的数据组的指标。由此，与收集并重构直接图案的位置坐标数据的情况相比，可以更高速地创建电子束控制数据184。

分配给各柱部120的电子束控制数据184被存储在对应于各柱部120的第二存储部182中。第二存储部182可以在曝光之前预先求出并存储针对样品10的电子束控制数据184。也可以代替此情况，而由第二存储部182临时存储针对各柱部120曝光的样品10上的一部分区域的电子束控制数据184。当临时存储电子束控制数据184时，各第二存储部182可以具有至少两个存储部分。两个存储部分可交替地存储针对由各柱部120连续曝光的样品10上的两个区域(相当于此后要说明的两个框区)的电子束控制数据184。

第二存储部182的其中一个存储部分临时保存通过各个柱部120朝X轴方向进行一次平台移动而被曝光的区域即第一框区的电子束控制数据184，在向柱控制部130输出并曝光的期间，第二存储部182的另一个存储部分从分配部180接收并读取针对通过该柱部120朝X轴方向的下一次平台移动而被曝光的区域即第二框区的电子束控制数据184。

与预先求出并存储针对样品10的电子束控制数据184的情况相比，在临时存储针对样品10的一部分区域的电子束控制数据184的情况下，减少了应存储在第二存储部182的数据容量。稍后在本说明书的后半部分中，将对电子束控制数据184的构成例以及由分配部180创建电子束控制数据184的方法的例子进行说明。柱控制部130按照从第二存储部182输出的电子束控制数据184，在照射位置到达指定位置的时间点，输出电子束固定时间并进行图案的曝光。

收集部190从第二存储部182和柱控制部130之间的连接部收集针对各柱部120的历史数据194。收集部190按照各柱部曝光的顺序，收集从第二存储部182输出给柱控制部130的一部分电子束控制数据184。收集部190将收集的历史数据194与多个柱部120分别对应地存储在第三存储部192中。存储在第三存储部192中的历史数据194是在曝光中记录关于在样品10的表面上曝光的图案是哪个柱部120以怎样的顺序进行了曝光的数据。稍后将在本说明书的后半部分中说明历史数据194的构成例。

如上所述的图1所示的曝光装置100包括从设计数据150的输入部经由转换部152到执行曝光动作的台部110和柱部120为止的构成。也可以代替此情况，将曝光装置100设为去除转换部152的构成。在这种情况下，曝光装置100只要设为从存储曝光数据162的第一存储部160到执行曝光动作的台部110和柱部120为止的构成即可。在后者的情况下，转换部152只要与曝光装置100分开设置即可。转换部152在器件设计过程中创建设计数据150之后的适当时间，在曝光之前，将设计数据150转换为曝光数据162。在这种情况下，转换部152例如预先连接于设置有曝光装置100的设施的局域网(LAN)，并经由局域网将曝光数据162传送给曝光装置100的第一存储部160即可。

以下，在说明曝光数据162的构成例和创建方法的例子、电子束控制数据184的构成例和创建方法的例子、以及历史数据194的构成例等之前，对作为其前提的柱部120的曝光动作进行说明。

图2表示本实施方式的曝光器件100扫描从一个柱部120输出的阵列束而在样品10的表面的一部分上形成的可照射区域200的离子。且表示台控制部140使台部110在与作为线形图案的长度方向的第二方向大致平行的X轴方向上移动的例子。也就是说，在曝光之前，将样品10设置成线形图案的长度方向与作为台部110的连续移动方向的X轴方向对齐。这里，在台控制部140的控制下，台部110能够一边维持连续移动方向上的极高位置精度和速度稳定性，一边使样品10移动。

由一个柱部120产生的阵列束的照射位置210是如图所示在Y轴方向上细长地延伸的区域。该照射位置210随着台部110的移动而在样品10的表面朝+X方向移动。由此，阵列束以电子束照射带状区域220。台控制部140使台部110朝-X方向移动预定距离，将第一框区232设为可照射区域。作为一例，第一框区232在作为台部110的移动方向的X轴方向上具有30mm的长度，在作为阵列束的宽度方向的Y轴方向上具有60μm的宽度(fw)，从而具有30mm×60μm的面积。

然后，台控制器140使台部110朝-Y方向移动阵列束的束宽(由图2的fw表示的宽度)，进而，使台部110朝+X方向移动以使其返回。由此，阵列束的照射位置210在样品10的表面通过与第一框区232不同的路径朝-X方向移动，照射与第一框区232以大致相同的面积在+Y方向上相邻的第二框区234。同样地，台控制部140使台部110朝-Y方向移动阵列束的束宽，并再次使台部110朝-X方向移动该预定距离，而照射第三框区236。

台控制部140使台部110在与作为线形图案的长度方向的第二方向大致平行的X轴方向上往复运动，用一个柱部120照射作为样品10的表面上的预定区域的可照射区域200。可照射区域200可设为例如约30×30mm的正方形区域。该可照射区域200的尺寸由台控制部140的控制动作来确定，但如果预先达到与柱部120的配置间隔同等程度，则能够通过由所有的柱部120同时并行进行曝光而对样品10的整个表面进行曝光，因此这是比较适合的。

各柱部120以及对其进行控制的柱控制部130对每个框区进行曝光。也就是说，柱控制部130获得针对连接于该柱控制部130的第二存储部182的其中一个存储部分中临时存储的第一框区232的电子束控制数据184，通过控制柱部120而对第一框区232进行曝光。在柱控制部130控制第一框区232的曝光动作期间，相同柱部120的第二存储部182的另一个存储部分从分配部180接收并存储针对第二框区234的电子束控制数据184。

在柱控制部130控制第二框区234的曝光动作期间，相同柱部120的第二存储部182的其中一个存储部分从分配部180接收并存储针对第三框区236的电子束控制数据184。第二存储部182的其中一个存储部分和另一个存储部分反复地输入和输出至少两个框区的电子束控制数据184，由此使得柱部120和柱控制部130不间断地对多个框区进行曝光动作。

图3是更详细地表示从一个柱部120输出的阵列束曝光图2的一条框区中所包含的切割图案的动作的图。在图3中，作为线形图案的长度方向的第二方向为X轴方向，作为与线形图案的长度方向正交的方向的第一方向为Y轴方向。

与X轴方向平行且在Y轴方向上具有间隔g的多条虚线称为栅格线400。被栅格线400所夹的在Y轴方向上具有宽度g且在X轴方向上细长的区间称为栅格401。宽度g是栅格宽度。而且，预先在样品10的表面上形成的线形图案402具有与作为栅格401的长度方向的X轴方向相一致的长度方向。线形图案402的Y轴方向宽度的最小值大致等于栅格宽度g。

本实施方式的曝光装置100曝光的图案是基于栅格线400和栅格401所设计的。在图3中，记为第一图案410、第二图案420和第三图案430的矩形表示该曝光图案的例子。曝光图案的Y轴方向长度以和图案之间的Y轴方向间隔采用栅格宽度g的(1以上的)整数倍的值。

例如，图3的第一图案410的Y轴方向长度大致等于4g，第二图案420的Y轴方向长度大致等于2g，第三图案430的Y轴方向长度大致等于4g。第一图案410和第二图案420的Y轴方向的图案间隔大致等于2g。

而且，曝光图案可以被配置成其第一方向的Y坐标值与栅格线400的第一方向的Y坐标值大致一致。例如，第一图案410的下端(-Y方向端)的Y坐标值是与从图中最下端的栅格线开始数的第五条栅格线的Y坐标值大致一致，第一图案410的上端(+Y方向端)的Y坐标是与从最下端的栅格线开始数的第九条栅格线的Y坐标值大致一致。第二图案420的下端的Y坐标值与最下端的栅格线的Y坐标值大致一致，第二图案420的上端的Y坐标值与从最下端的栅格线开始数的第三条栅格线的Y坐标值大致一致。

图3是表示预先形成在样品10的表面上的线形图案402与作为曝光图案例的第一图案410、第二图案420和第三图案430的位置关系的一例的XY平面图。第一图案410是从最上部起同时切割两条线形图案402的图案，第二图案420是切割最下部的线形图案402的图案，第三图案430是同时切割中央两条线形图案402的图案。

图3也是表示预先形成在样品10的表面上的线形图案402与从一个柱部120输出的阵列束500的照射区域502的位置关系的一例的XY平面图。柱部120生成：在作为第一方向的Y轴上隔开预定间隔排成一列的第一电子束群(例如，对应于左侧的照射区域502的列的电子束群)，以及在第一电子束群旁边在X轴方向上隔开距离δ排列配置并以与第一电子束群相同的尺寸和间距配置的第二电子束群(例如，对应于右侧的照射区域502的列的电子束群)。

表示了从柱部120输出的阵列束500的照射区域502移动到框区的起始点(框区的-X方向侧端部)的情况的例子。从柱部120输出的阵列束500随着台部110的移动而在样品10的表面上移动从而形成框区。在图中表示了，框区具有四条线形图案402，并且各线形图案402的线宽和相邻线形图案402之间的间隔都大致等于栅格宽度g的例子。

阵列束500示出有B1至B8总共8个电子束。B1、B3、B5、B7属于第一电子束群，B2、B4、B6、B8属于第二电子束群。阵列束500向多个照射区域502分别照射电子束。电子束B1～B8各自的Y轴方向束宽大致等于栅格宽度g。而且，电子束B1～B8的照射位置分别在Y轴方向上逐个错开栅格宽度g而配置。阵列束500曝光整体约8g的束宽。

阵列束500中所包含的多个电子束的照射区域502随着台部110连续移动而分别在相对应的栅格401移动。在图示的例子中表示了，电子束B1的照射区域在从-Y方向侧起第一个栅格移动，电子束B2的照射位置在从-Y方向侧起第二个栅格移动的例子。

柱控制部130基于从第二存储部182获得的电子束控制数据184，检测要曝光的图案的第一方向的Y坐标的值。柱控制部130根据图案的Y坐标值选择要用于曝光的电子束。以图3的第二图案420为例进行说明。基于电子束控制数据184检测出的第二图案420的Y坐标值处于从-Y方向侧起第一个和第二个栅格401的范围内，据此，柱控制部130选择该Y坐标值的范围成为照射区域的电子束B1和B2。电子束B1用于曝光作为第二图案420的一部分的图案422，电子束B2用于曝光作为第二图案420的一部分的图案424。

而且，柱控制部130基于从第二存储部182获得的电子束控制数据184来检测待曝光图案的第二方向的X坐标的值。柱控制部分130针对图3的构成照射区域502的第一电子束群和第二电子束群中所包含的各电子束，根据图案的X坐标的值，设定将电子束切换成接通状态或断开状态的照射时刻。

也就是说，柱控制部130使用图案的第二方向的X坐标值、在线形图案的长度方向上预先设定的基准位置(参照图3)的X坐标值以及台部110的移动速度，来设定从阵列束500的照射区域502通过基准位置至到达图案的X坐标值为止的经过时间。柱控制部130从台控制部140获得阵列束500的照射区域502通过基准位置的时间点。柱控制部130在通过基准位置的时点开始该经过时间之后，切换相对应的电子束的接通/断开状态。

以图3的第二图案420为例进行说明。柱控制部130基于第二存储部182的电子束控制数据184，检测第二图案420两端的X坐标值Xc和Xc+Sx。阵列束500的照射区域502通过台部110的移动而在作为线形图案的长度方向的+X方向或-X方向上以预定速度进行扫描。

当台部110使照射区域502朝+X方向移动时，柱控制部130设定台部110从图3的第一基准位置到达第二图案420的X坐标值Xc的经过时间以及台部110从第一基准位置到达第二图案420的X坐标值Xc+Sx的经过时间。柱控制部130从台控制部140获得该阵列束500的照射区域502通过第一基准位置的时间点，在到达X坐标值Xc的经过时间后，将电子束B1和B2从断开状态切换为接通状态。在到达X坐标值Xc+Sx的经过时间后，柱控制部130将电子束B1和B2从接通状态切换为断开状态。由此，电子束在线形图案的长度方向上照射到第二图案420的范围。

当台部110使照射区域502朝-X方向移动时，柱控制部130设定台部110从图3的第二基准位置到达第二图案的X坐标值Xc+Sx的经过时间以及台部110从第二基准位置到达第二图案的X坐标值Xc的经过时间。柱控制部130从台控制部140获得阵列束500的照射区域502通过第二基准位置的时间点，在到达X坐标值Xc+Sx的经过时间后，将电子束B1和B2从断开状态切换成接通状态。柱控制部130在到达X坐标值Xc的经过时间后，将电子束B1和B2从接通状态切换成断开状态。由此，电子束在线形图案的长度方向上照射到第二图案420的范围。

图3表示了一个柱部120输出具有总共八个电子束B1至B8的阵列束的情况。一个柱部120一般在输出具有n个电子束的阵列束时，也可以执行同样的曝光动作。

也就是说，本实施方式的曝光装置100通过在作为线形图案的长度方向的第二方向上扫描由沿第一方向排列的第一电子束群及第二电子束群构成的阵列束的照射区域，从而曝光具有相当于第1个至第n个栅格401的n×g宽度的框区中所存在的图案。在阵列束中包含的电子束BK(1≤k≤n)的照射区域被设定为在第k个栅格401中移动，柱控制部130可以图案的第一方向的Y坐标值为基础，选择曝光该图案的电子束。而且，柱控制部130可针对所选择的各电子束，设定基于图案的第二方向的X坐标值将电子束切换成接通状态或断开状态的照射时刻。

进而，本实施方式的曝光装置100包括例如88个柱部120。曝光装置100的88个柱部120各自执行图2和图3所示的曝光动作。曝光装置100的88个柱部120对样品10的整个表面并行地进行曝光。在各柱部120曝光例如约30×30mm的正方形可照射区域200(参照图2)的时间内，具有88个柱部120的曝光装置100曝光样品10的整个表面。

由此，与具有单个柱部120的曝光装置相比，具有多个柱部120的曝光装置100能够大幅提高曝光处理量。而且，即使样品10是直径超过300mm的大直径半导体晶片等，曝光装置100也能通过增加柱部120的数量来防止处理量显著降低。

对本实施方式的曝光数据162、电子束控制数据184和历史数据194的构成例以及曝光数据162和电子束控制数据184的创建方法的例子进行说明。

(曝光数据的构成例和曝光数据的创建方法的例子)

对转换设计数据150所得的曝光数据162的构成例进行说明。

图4表示由本实施方式的曝光装置100所曝光的曝光图案610的一例。曝光图案610是将多个矩形配置在器件600的范围内而形成的。曝光图案610是由使用CAD工具设计的设计数据150所描述的器件图案的一例。通常，设计数据150中的数据排列并不反映曝光装置100的曝光顺序。因此，曝光装置100需要将设计数据150转换成控制具有多个柱部120和多个电子束的曝光装置100的控制数据。然而，由于以下原因很难从设计数据150直接创建控制数据。

第一个原因是设计数据150的数据容量的问题。设计数据150的数据容量依存于器件600的规模和图案的复杂性，但是在最近的器件600中，例如为1～2TB(太字节)。难以在曝光期间实施单独读取具有庞大容量的设计数据150并重新配置数据顺序的作业。第二个原因是器件尺寸的问题。通常，应曝光的器件600的尺寸与柱部120的配置间距并不一致。因此，无法将器件600的设计数据150简单地分配给多个柱部120中的每一个。

另一方面，互补光刻法所适用的曝光图案610与线形图案(具有预定宽度和间隔的线与间隔图案)相组合，由此形成切断该线形图案的切割图案和与该线形图案相接触的过孔图案。因此，构成曝光图案610的各个矩形沿着线形图案的长度方向配置。构成曝光图案610的各个矩形的与线形图案的长度方向正交的方向的宽度和间隔是线形图案的宽度和间隔的最小值的整数倍的值。

在图4中，与线形图案的长度方向平行的第二方向和在器件600中设定的坐标系的X轴方向对应。与线形图案的长度方向正交的第一方向与在器件600中设定的坐标系的Y轴方向对应。虚线620是沿X轴方向延伸并在Y轴方向上具有间隔g的直线。相邻虚线620的间隔g与和曝光图案610相组合的线形图案的最小宽度相一致。

构成曝光图案610的各个矩形在X轴方向上沿虚线620排列。构成曝光图案610的各个矩形可被配置为在Y轴方向上其端部与虚线620的Y坐标值相一致。也就是说，图4的曝光图案610与虚线620的关系是当将其一部分放大时与图3的图案410、420和430与栅格线400的关系等同。当使图4的虚线620与图3的栅格线400相一致时，图4的曝光图案610以及图3的图案410、420和430分别成为切断与图4的虚线620和图3的栅格线400中的沿Y轴方向交替排列的虚线和与栅格线重叠配置的线形图案的切割图案。

图5表示基于图4所示的曝光图案610的配置将曝光图案610与栅格结构建立对应关系的一例。图5(A)是将器件600的Y轴方向的整个区域利用栅格线分割为多个栅格的图。栅格的Y轴方向宽度g与曝光图案610的最小宽度为相同程度，例如约为10nm。各个栅格在其范围内包含沿着X轴方向排列并且构成曝光图案610的矩形或其至少一部分。也就是说，各个栅格能够与栅格中所包含的曝光图案610建立对应关系。另外，在本说明书中，曝光图案610这一术语，并不仅指图4所示的整个图案及构成它的各个矩形，也指其一部分。

图5(A)表示在Y轴方向上相邻的多个栅格构成栅格组的例子。栅格组被定义为例如100～1000个相邻栅格的集合。栅格组的Y轴方向宽度因稍后所示的原因而例如为1μm～10μm。作为任意栅格组的栅格组_K是由属于该栅格组的多个栅格即栅格_1、栅格_2、……栅格_m、……栅格_M构成。

图4所示的曝光图案610各自在Y轴方向被包含在栅格组_1、栅格组_2、……栅格组_k、……栅格组_K中的任一个。器件600的曝光图案610能够与这些栅格组中的任一个建立对应关系。

另一方面，图5(B)表示栅格内部的曝光图案610的构成例。作为任意栅格的栅格_m由包含在栅格中且在X轴方向上具有预定长度的多个子栅格即子栅格_1、子栅格_2、……子栅格_n、……子栅格_N构成。子栅格的X轴方向长度因稍后所示的原因而例如为5μm～50μm。

栅格内部的曝光图案610能够与这些子栅格中的任一个建立对应关系。图5(B)表示作为栅格内部的曝光图案610的图案_1、图案_2、……图案_p、……图案_P与子栅格_n建立对应关系的例子。

栅格组、栅格和子栅格与本实施方式的曝光装置100的曝光动作所涉及的特征区域相对应。由在作为第一方向的Y轴方向上连续的多个栅格组所占据的区域与具有从柱部120输出的阵列束的束宽的框区(参照图2)相对应。构成栅格组的各个栅格与阵列束中所包含的各个电子束通过台部分110的移动而能够照射的区域相对应。在作为第二方向的X轴方向上延伸的栅格中所包含的子栅格指定在台部110的移动期间照射电子束的曝光图案。

图6和图7表示基于图5的关系而构成的用于曝光器件100的曝光数据162的构成例。曝光数据162包括第二数据166和第一数据164，该第二数据166被分割成具有阵列束中所包含的一个电子束的宽度并且在作为第二方向的X轴方向上延伸的带状区域，该第一数据164基于作为第一方向的Y轴方向的位置指定所述第二数据166。

图6表示第一数据164的构成例。第一数据164是与在作为第一方向的Y轴方向上按固定范围各自划分器件600的栅格组、即指定在作为第二方向的X轴方向上延伸的多个栅格的栅格组相对应，例如，具有栅格组数据Gridgroup_1～Gridgroup_K(图6的附图标记711～719)。

任意栅格组_k的数据Gridgroup_k(附图标记715)具有器件600中的Y轴方向的栅格组_k的位置数据PositionY以及指示构成栅格组_k的多个栅格的指针数据PointertoGrid。

栅格组数据Gridgroup_k(附图标记715)的指针数据PointertoGrid指定多个栅格数据Grid_1～Grid_M(附图标记721～729)。因此，栅格组_k与进一步细致划分该栅格组的Y轴方向宽度的栅格_1、栅格_2、……栅格_m、……栅格_M建立对应关系。

任意栅格_m的数据Grid_m(附图标记725)具有栅格组_k内的Y轴方向的栅格_m的相对位置数据PositionY以及在X轴方向上指示构成栅格_m的多个子栅格的指针数据PointertoSubgrid。

图7表示第二数据166的构成例。第二数据是栅格中所包含的曝光数据的构成例。例如栅格_m的数据Grid_m(图7的附图标记725)根据指针数据PointertoSubgrid来指定多个子栅格数据Subgrid_1～Subgrid_N(附图标记731～739)。由此，栅格_m与构成栅格的多个子栅格即子栅格_1、子栅格_2、……子栅格_n、……子栅格_N)建立对应关系。

任意子栅格_n的数据Subgrid_n(附图标记735)具有栅格_m内的X轴方向的子栅格_n的相对位置数据PositionX以及指示构成子栅格_n的多个图案的指针数据PointertoPattern。

子栅格数据Subgrid_n(附图标记735)的指针数据PointertoPattern指定多个图案的数据Pattern_1～Pattern_P(附图标记741～749)。子栅格数据包括至少一个在X轴方向上具有固定长度的子栅格中包含的图案的配置坐标数据。子栅格_n与作为配置在子栅格内的曝光图案610的图案_1、图案_2、……图案_p、……图案_P建立对应关系。

任意图案_p的数据Pattern_p(附图标记745)具有子栅格_n内的X轴方向的图案_p的相对位置数据PositionX以及X轴方向的图案_p的尺寸数据Sx。而且，数据Pattern_p(附图标记745)可具有指定相同图案的重复的ArrayData。

也就是说，曝光数据162在与线形图案的长度方向正交的第一方向上由第一数据164构成。第一数据164具有层次结构且具有栅格组数据和栅格数据。而且，曝光数据162在与线形图案的长度方向平行的第二方向上由第二数据166构成。第二数据166具有层次结构且具有子栅格数据和图案数据。作为相对较宽区域的栅格组数据指定作为相对较窄区域的栅格数据。而且，作为相对较宽区域的栅格数据指定作为相对较窄区域的子栅格数据。进而，作为相对较宽区域的子栅格数据指定作为相对较窄区域的图案数据。

对转换部152从设计数据150创建曝光数据162的方法的例子进行说明。

图8是表示转换部152从设计数据150创建曝光数据162的方法的数据转换流程的例子。转换部152通过执行图8所示的S800至S850的数据转换流程，从而基于设计数据150创建曝光数据162。

转换部152获得定义了曝光图案610的配置坐标的设计数据150(S800)。转换部152生成子栅格数据，该子栅格数据针对分割成具有与线形图案的最小宽度相同的宽度并在作为第二方向的X轴方向上固定长度区域的每个子栅格指定图案的配置坐标。其次，转换部152生成栅格数据，该栅格数据逐个栅格地指定属于在作为第二方向的X轴方向上连续的栅格的子栅格数据(S820)。

其次，转换部152生成栅格组数据，该栅格组数据针对将设计数据150在Y轴方向上分割成预定长度范围的栅格组后的每个栅格组指定栅格数据(S830)。进而，转换部152遍及设计数据150的Y轴方向的整个区域生成栅格组数据(S840)。最后，转换部152将切割图案的配置坐标数据以及对其进行分层指定的子栅格数据、栅格数据和栅格组数据存储在第一存储部160中(S850)。

存储部160中所保存的曝光数据162具有基于控制曝光装置100的第一方向和第二方向转换设计数据150而获得的第一数据164和第二数据166。曝光数据162除包括指定各个曝光图案610的配置坐标的图案数据以外，还包括对其进行分层指定的子栅格数据、栅格数据和栅格组数据。曝光数据162整体的数据容量与设计数据150的数据容量相比没怎么改变，在最近的器件600中例如为1～2TB(太字节)。

(电子束控制数据184的构成例和电子束控制数据184的创建方法的例子)

接下来对重构曝光数据162而获得的电子束控制数据184的构成例进行说明。

图9的圆形样品10表示将多个器件600在样品10的表面曝光的例子。多个器件600各自具有全部相同的曝光图案610。多个器件600在与XY平面大致平行的样品10的表面被配置在预先决定的位置。基于配置数据存储部170所保存的配置数据172(参照图1)来决定样品10的表面上的多个器件600的配置位置。

图9的区域200表示对应于任意柱部120被设定为样品10的表面的一部分的可照射区域200(参照图2)。可照射区域200的X轴方向的大小约为30mm，Y轴方向的大小约为30mm。在具有多个柱部120的曝光装置100中，与多个柱部120分别对应的可照射区域200占据样品10的表面上的不同区域。样品10的表面被多个柱部120的可照射区域200覆盖。图9的区域200表示对于任意一个柱部120的可照射区域200。

可照射区域200在X轴方向和Y轴方向上的大小也可不与器件600在X轴方向和Y轴方向上的大小一致。其原因在于：可照射区域200的大小依存于相邻柱部件120之间的间隔而决定，器件600的大小依存于所设计器件的大小而决定。因此，可照射区域200的左右上下四角的位置通常存在于器件600的内部。而且，多个柱部120各自的可照射区域200与器件600的相对位置关系在各个可照射区域200是不同的。

图9中用虚线包围的放大图表示任意柱部120的可照射区域200和要曝光的器件600的位置关系的例子。任意柱部120的可照射区域200表示左下角、右下角、右上角和左上角分别存在于由附图标记600a、600b、600c和600d所示的器件600内部的例子。将这些器件600区别称为器件600a、器件600b、器件600c和器件600d。

曝光装置100一边使在Y轴方向上具有约60μm束宽的阵列束沿X轴方向的框区往复移动，一边通过从-Y侧到+Y侧逐个框区地扩大曝光范围来曝光可照射区域200。也就是说，任意柱部120在初始框区中，例如，从左下的器件600a的内部开始曝光，在右下的器件600b的内部结束曝光。任意柱部120在最终的框区中，例如，从右上的器件600c的内部开始曝光，在左上的器件600d内部结束曝光。

任意柱部120在框区中途，横跨左侧的器件600a和600d与右侧的器件600b和600c之间的边界。而且，任意柱部120在上下相邻的框区之间，横跨下侧的器件600a和600b与上侧的器件600d和600c之间的边界。

基于图9来说明曝光顺序与曝光数据162的对应关系。曝光数据162在作为控制曝光装置100的第一方向的Y轴方向上具有以栅格组为单位分组的第一数据164，并在作为控制曝光装置100的第二方向的X轴方向上具有以子栅格为单位分组的第二数据166。

图9所示的栅格组_k1、栅格组_K、栅格组_1和栅格组_k2、以及子栅格_n1、子栅格_N、子栅格_1和子栅格_n2表示与任意柱部120的可照射区域200的四个角及器件边界相对应的Y轴方向的栅格组和X轴方向的子栅格。

在初始框区中，针对任意柱部120的电子束控制数据184是以如下方式重构曝光数据162而得以创建。在初始框区的-X侧端，针对任意柱部120的电子束控制数据184在Y轴方向上由如下数据构成：从第一数据164提取的以栅格组_k1为下端而相当于阵列束的束宽(框区宽度fw)范围的栅格组数据、以及由该栅格组数据指定的栅格数据。也就是说，在Y轴方向上，以栅格组为单位提取出与可照射区域200相重叠的数据。

而且，在初始框区的-X侧端，针对任意柱部120的电子束控制数据184在X轴方向上由如下数据构成：从第二数据166提取的位于与子栅格_n1同等位置的框区内的子栅格数据、以及由该子栅格数据指定的图案数据。以这种方式，在X轴方向上，以子栅格为单位提取出与可照射区域200相重叠的数据。

随着初始框区中曝光的进行，针对任意柱部120的电子束控制数据184在Y轴方向上由和与框区的-X侧端相同的栅格组和栅格相对应的第一数据164构成。针对任意柱部120的电子束控制数据184在X轴方向上由与根据X坐标更新的器件600的子栅格和图案相对应的第二数据166构成。

在初始框区的器件600a和器件600b的边界处，针对任意柱部120的电子束控制数据184在Y轴方向上由和与框区的-X侧端相同的栅格组和栅格相对应的第一数据164构成。针对任意柱部120的电子束控制数据184在X轴方向上被构成为：从和位于与器件600右端的子栅格_N同等位置的框区内的子栅格和图案相对应的第二数据166，切换为和位于与器件600左端的子栅格_1同等位置的框区内的子栅格和图案相对应的第二数据166。

在初始框区的+X侧端，针对任意柱部120的电子束控制数据184在Y轴方向上由和与框区的-X侧端相同的栅格组和栅格相对应的第一数据164构成。针对任意柱部120的电子束控制数据184在X轴方向上由和位于与器件600的子栅格_n2同等位置的框区内的子栅格和图案相对应的第二数据166构成。

即使在第二框区和后续框区中，针对任意柱部120的电子束控制数据184也是被构成为：按照阵列束的曝光顺序，在Y轴方向上提取以栅格组为单位包含在第一数据164中的曝光数据，并在X轴方向上提取以子栅格为单位包含在第二数据166中的数据。

图10表示以这种方式从第一数据164和第二数据166以栅格组单位和子栅格单位提取数据并予以重构而成的电子束控制数据184的构成例。电子束控制数据184a是针对第一框区的电子束控制数据184的例子，电子束控制数据184b是针对第二框区的电子束控制数据184的例子。

Gridgroup、Grid、Subgrid和Pattern等分别表示第一数据164和第二数据166中所包含的栅格组数据、栅格数据、子栅格数据和图案数据。X轴方向、Y轴方向、第一框区、第二框区、栅格组、栅格、子栅格和图案等术语是表示数据内容的注释，而不是数据本身。这也适用于图11。

对图10的针对第一框区的电子束控制数据184a进行说明。第一框区由以栅格组_k1为下端而包含在阵列束的束宽范围内的栅格组_k1～栅格组_kf-1构成。此时，第一框区的电子束控制数据184a在Y轴方向上具有多个栅格组数据Gridgroup_k1～Gridgroup_kf-1。

第一框区的电子束控制数据184a还包括表示属于第一框区的栅格组和栅格的指定与被指定的关系的数据。由此，指定了由栅格组数据Gridgroup_k1～Gridgroup_kf-1指定的栅格数据。

针对第一框区的电子束控制数据184a与台的移动对应地在X轴方向上具有子栅格数据Subgrid_n1、k1、Subgrid_n1+1、k1……等。这里，例如子栅格数据Subgrid_n1、k1表示针对由数据Gridgroup_k1指定的栅格数据的第n1个子栅格数据。

图中的粗线箭头表示第一框区的电子束控制数据184由粗线箭头顺序的子栅格数据组成。而且，第一框区的电子束控制数据184a还包括表示属于第一框区的范围的子栅格和图案的指定与被指定的关系的数据。由此，针对由栅格组数据Gridgroup_k1～Gridgroup_kf-1指定的栅格数据，指定由子栅格数据Subgrid_n1、k1、Subgrid_n1+1、k1……等指定的图案数据。

第二框区的电子束控制数据184b也具有同样的构成例。电子束控制数据184b基于Y轴方向的栅格组数据Gridgroup_kf～Gridgroup_kff-1来指定第二框区中所包含的Y轴方向的栅格数据。电子束控制数据184b基于X轴方向的子栅格数据Subgrid_n2、kf、Subgrid_n2-1、kf……等来指定针对第二框区中所包含的各个栅格的图案数据。

以粗线箭头表示的子栅格数据的顺序在第一框区的电子束控制数据184a和第二框区的电子束控制数据184b中相反。这对应于通过台部110的移动所形成的曝光顺序在第一框区和第二框区之间在X轴方向上相反这一事实。电子束控制数据184的构成对于第三框区及后续框区也是同样的。电子束控制数据184可以针对每个框区创建，也可以分框区地存储在第二存储部182中。

将进一步描述可照射区域200与电子束控制数据184的关系。在具有多个柱部120的曝光装置100中，可照射区域200的大小可以大于相邻柱部120彼此的间隔。其原因在于：相邻柱部120各自所负责的可照射区域200的一部分相互重叠，能够将样品10的整个表面无缝地覆盖。

在这种情况下，为了针对可照射区域200的重叠区域构成电子束控制数据184，可将第一数据164以小于可照射区域200的重叠区域的区域的栅格组为单位分组，第二数据166以小于可照射区域200的重叠区域的区域的子栅格为单位分组。也就是说，可将栅格组的Y轴方向尺寸和子栅格的X轴方向尺寸设定为与相邻柱部120的可照射区域200的重叠区域的宽度相同或其以下的尺寸。

由此，针对可照射区域200的重叠区域的电子束控制数据184能够以栅格组和子栅格为单位进行任一柱部120的电子束控制数据184中所包含的重构。子栅格的X轴方向尺寸优选为例如5μm～50μm。这是为了将相邻柱部120的可照射区域200的重叠宽度设定在适当的范围。

而且，电子束控制数据184可依存于可照射区域200中的电子束的扫描方向与作为线形图案的长度方向的X轴方向之间的角度，以栅格组为单位进行Y轴方向的电子束控制数据184的重构。电子束控制数据184可进行将栅格组的数据在框区中途切换成另一个栅格组的数据的重构。由此，即使当电子束的扫描方向和作为线形图案的长度方向的X轴方向之间的角度较大时，也能用一个框区曝光可照射区域200的右端到左端。

栅格组的Y轴方向宽度优选为例如设为1μm～10μm。这是为了使栅格组的Y轴方向尺寸与利用柱部120所具备的偏转器(未图示)所形成的阵列束的偏转宽度大致一致。即使在因电子束的扫描方向与线形图案的长度方向的非平行性而引起的阵列束的Y轴方向位置与线形图案的Y轴方向位置的位置偏移无法跟随具有1μm～10μm的变化幅度的偏转器的偏转的情况下，曝光装置100也能通过以栅格组为单位在Y轴方向上切换数据，而用一个框区曝光可照射区域200的右端到左端。

电子束控制数据184的数据容量与描述一框区中所包含的曝光图案610的设计数据150的容量大致相同。电子束控制数据184的数据容量例如为2～4GB(千兆字节)。当一个第二存储部182存储两个框区的电子束控制数据184时，一个第二存储部182应该存储的数据的容量例如为4～8GB。具有88个柱部120的曝光装置100的第二存储部分182整体应该存储的数据的容量例如为350～700GB。

对分配部180重构曝光数据162而创建电子束控制数据184的方法例进行说明。

图11表示曝光装置100对每个框区曝光样品10的曝光流程的一部分。图11包括分配部180将从第一数据164和第二数据166分别以栅格组单位和子栅格单位提取的曝光数据重构而创建电子束控制数据184的流程。在图11所示的流程中，分配部180将重构曝光数据162所获得的电子束控制数据184分配给各柱部120。曝光装置100对每个框区并行实施曝光和电子束控制数据184的分配。

曝光装置100读取配置数据存储部170所保存的配置数据172，并决定样品10上的器件600的配置(S1100)。曝光装置100使用标记测定等电子束位置检测方法来测定由各个柱部120生成的电子束群(阵列束)与样品10的位置关系(S1110)。

分配部180针对第一框区232(参照图2)和与相邻柱部120之间的第一框区的重叠区域，依照柱部120曝光第一框区的顺序，在作为第一方向的Y轴方向上从第一数据164以栅格组为单位提取曝光数据，在作为第二方向的X轴方向上从第二数据166以子栅格为单位提取曝光数据，并将这些数据和由它们所指定的栅格数据和图案数据一起传送到第二存储部182(S1120)。曝光装置100对于曝光框区编号fn和传送框区编号ft设定初始值fn←1、ft←fn+1(S1130)。

曝光装置100曝光第fn框区。与此并行地，分配部180针对第ft框区和相邻柱部120之间的第ft框区的重叠区域，依照柱部120曝光第ft框区的顺序，在第一方向上从第一数据164以栅格组为单位提取曝光数据，并在第二方向上从第二数据166以子栅格为单位提取曝光数据，将第ft框区的数据与栅格数据和图案数据一起传送到第二存储部182(步骤S1140)。

曝光装置100判定是否已经完成了所有框区的曝光(S1150)。如果已结束所有框区的曝光(S1150；是)，则结束曝光动作。如果还未结束所有框区的曝光(S1100；否)，台移动到下一框区的起始点，并且对曝光框区编号fn和传送框区编号ft设定fn←fn+1、ft←fn+1(S1160)。返回到曝光第fn框区并传送第ft框区的数据的步骤(S1140)。

在柱部120的框区曝光期间，分配部180进行曝光数据的提取、通过重构曝光数据创建电子束控制数据、以及将数据传送到第二存储部182。由于第一数据164和第二数据166在曝光前已预先创建，所以分配部180只要从第一数据164和第二数据166中以栅格组单位和子栅格单位提取数据，然后对所提取的数据进行按照曝光顺序的数据重构和数据传送即可。不再需要重新配置庞大的设计数据150，并且曝光装置100能够根据曝光的进展来创建电子束控制数据184。

而且，即使在应曝光的器件600的尺寸与柱部120的配置间距不一致的情况下，分配部180也能创建电子束控制数据184。其原因在于：即使在可照射区域200的边界位于曝光器件600内部的情况下，分配部180也能以尺寸1μm～10μm的栅格组为单位和以尺寸5μm～50μm的子栅格为单位从第一数据164和第二数据164提取曝光数据。

(历史数据的构成例)

对历史数据194的构成例进行说明。

电子束控制数据184被逐个框区地暂时覆写保存在第二存储部182中。在曝光结束时，控制柱部120的所有电子束控制数据184都不会留在第二存储部182中。

图12是将柱部120中用于曝光的电子束控制数据184作为曝光顺序的历史而保留下来的历史数据194的构成例。历史数据194仅包括区分柱部120的数据195以及各个柱部120曝光顺序的栅格组数据和子栅格数据196。

对数据195是CN1的柱部120的历史数据194进行说明。数据196表示在第一框区的第一方向上由具有栅格组数据Gridgroup_k1～Gridgroup_kf-1等的栅格组所指定的数据被曝光。数据196表示在第一框区的第二方向上由具有子栅格数据Subgrid_n1、k1、Subgrid_n1+1、K1……等的子栅格所指定的图案朝着粗线箭头方向被曝光。

而且，数据196表示在第二框区的第一方向上由具有栅格组数据Gridgroup_kf～Gridgroup_kff-1等的栅格组所指定的数据被曝光。数据196表示在第二框区的第二方向上由具有子栅格数据Subgrid_n2、kf、Subgrid_n2+1、kf……等的子栅格所指定的图案朝着粗线箭头方向被曝光。

历史数据194将样品10上的曝光图案610与曝光了该图案的柱部120和柱部120的曝光顺序建立对应关系。也就是说，由于历史数据194记录了曝光顺序的栅格组数据和子栅格数据196，因此通过与原始曝光数据162进行比较，便能够在曝光后得知样品10上形成的多个器件600的各个曝光图案610使用了哪个柱部120以怎样的曝光顺序被曝光。其原因在于：保留在历史数据194中的栅格组数据和子栅格数据196通过参照表示栅格组数据间关系的第一数据164以及表示子栅格数据与图案的关系的第二数据166，便能够探寻到指定了哪个曝光图案610。

历史数据194提供在曝光后检查曝光图案时有用的信息。由于历史数据194仅是栅格组数据和子栅格数据196，因此其数据容量例如为50～100MB(兆字节)。与曝光数据162的数据容量相比，历史数据194的数据容量足够小。

历史数据194，也可不仅存储按曝光顺序排列的栅格组数据和子栅格数据195，还存储与柱部120的状态相关的数据。与柱120的状态相关的数据例如为各个柱部120所生成的电子束的电流密度、电子束尺寸、和/或电子束的成像状态等的相关数据。与柱部120的状态相关的数据可在框区曝光与框区曝光之间切换框区时定期地检测。由此，历史数据194提供在曝光图案610的检查中进而有用的信息。

以上，使用实施方式对本发明进行了说明，但本发明的技术范围不限于所述实施方式所记载的范围。本领域技术人员应当清楚，能够对所述实施方式增加各种变更或改进。由权利要求书的记载可知，这种加以变更或改进的实施方式也包含在本发明的技术范围内。

应当注意的是，权利要求书、说明书及附图中所示的装置、系统、程序以及方法中的动作、顺序、步骤及阶段等各处理的执行顺序，只要没有特别明示“比～更早”、“早于～”等，或者只要前处理的输出并不用在后处理中，便能够以任意顺序实现。关于权利要求书、说明书及附图中的动作流程，为方便起见而使用“首先”、“其次”等进行了说明，但并不意味着必须按照这样的顺序实施。

附图标记说明

10 样品

100 曝光装置

110 台部

120 柱部

130 柱控制部

140 台控制部

150 设计数据

152 转换部

160 第一存储部

162 曝光数据

164 第一数据

166 第二数据

170 配置数据存储部

172 配置数据

180 分配部

182 第二存储部

184、184a、184b 电子束控制数据

190 收集部

192 第三存储部

194 历史数据

195、196 数据

200 可照射区域

210 照射位置

220 区域

232 第一框区

234 第二框区

236 第三框区

400 栅格线

401 栅格

402 线形图案

410 第一图案

412、414、416、418 图案

420 第二图案

422、424 图案

430 第三图案

432、434、436、438 图案

500 阵列束

502 照射区域

600、600a、600b、600c、600d 器件

610 曝光图案

620 虚线

711、712、715、719 栅格组数据

721、722、725、729 栅格数据

731、732、735、739 子栅格数据

741、742、745、749 图案数据