半导体加工用粘合片的制作方法

本发明涉及半导体加工用粘合片。

更详细而言，涉及在将半导体晶片切割成芯片时等适合于半导体晶片的固定保持的切割用胶带以及在半导体封装加工中使用的切割用胶带。特别是，涉及作为高密度安装半导体封装加工用合适的切割用胶带。

背景技术：

在将形成有电路图案的半导体晶片分离成芯片状的切割工序时，切割用胶带对晶片进行保护和固定。半导体晶片在被胶带固定后，利用被称为划片刀的旋转刀进行切割，成为被分离成芯片状的半导体芯片。在拾取工序之前，半导体芯片被胶带所保持。

之后，利用树脂将多个半导体芯片一次成型，分离成一个一个，形成各个半导体封装的情况下，贴附固定于切割带，利用被称为划片刀的旋转刀进行切割。如此用树脂进行了一次封装的封装的切割工序中，切断时的负荷大，而且封装树脂具有在含有防粘剂的同时其树脂表面还具有微小凹凸的结构。因此，正在使用下述柔软的粘合剂，其能够将封装牢固地保持于该半导体加工用胶带中使用的粘合剂，不发生切割时的封装无法被保持而飞散(下文中称为“封装飞散”)等不良情况。

但是，通过使用这种柔软的粘合剂，产生了下述问题：粘合剂附着于由切割产生的封装侧面；施印于封装上的激光标记剥落。

为了减少这样的封装飞散，一直以来都在进行研究。

例如，有文献提出粘合剂层使用了(甲基)丙烯酸酯的胶带(参见专利文献1)。

但是，近年来，由于封装的小型化，封装被胶带所保持的面积减小，更容易发生封装飞散。因此，仅改良粘合剂不足以抑制封装飞散。

另外，为了抑制半导体晶片的振动，提出了通过在粘合片的基材面加入弹性体来抑制切割时的碎片(chipping)(参见专利文献2)。这样不仅是粘合剂，通过使基材侧柔软来提高与封装的密合性，因此是优选的。另一方面，市场上封装的小型化推进，在现有的利用针顶起(ピン突き上げ)的拾取方法中，拾取非常耗费时间。因此，利用镊子等刮擦带的背面来使带弯曲，使封装瞬间掉落(下文中称为刮落)来进行拾取。

但是，在粘合片的基材面加入弹性体而使基材侧柔软时，由于柔软，反而会存在下述课题：即使通过刮落使带弯曲，封装也不掉落，因而无法顺利地进行刮落。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-100064号公报

专利文献2：日本特开2009-170886号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

本发明的课题在于解决与上述现有技术相伴的问题，提供一种半导体加工用粘合片，该半导体加工用粘合片在减少切割时产生的封装飞散的发生的同时，在切割后利用刮落等进行的拾取中也能迅速且确实地从胶带剥离。

用于解决课题的手段

本发明人进行了深入研究，结果对苯乙烯系共聚物相对于基础树脂的含量与粘合片的5％模量进行了详细研究，结果发现苯乙烯系共聚物含量少且损耗系数的值低很重要，由此完成了本发明。

即，本发明的上述课题可通过以下手段解决。

[1]一种半导体加工用粘合片，其为在基材膜上具有粘合剂层的半导体加工用粘合片，其特征在于，

上述基材膜的5％模量为7.0～20.0mpa，

上述基材膜为1层，相对于基础树脂100质量份包含苯乙烯系嵌段共聚物5～39质量份，

上述苯乙烯系嵌段共聚物为选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物中的至少一种树脂，

上述基础树脂为选自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物中的至少一种树脂。

[2]如[1]所述的半导体加工用粘合片，其特征在于，上述基础树脂为聚丙烯。

[3]如[1]或[2]所述的半导体加工用粘合片，其特征在于，形成上述粘合剂层的粘合剂为丙烯酸系粘合剂。

[4]如[1]～[3]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其特征在于，上述苯乙烯系嵌段共聚物相对于基础树脂100质量份为10～35质量份。

[5]如[1]～[4]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其特征在于，其用于半导体封装的切割。

本发明中，在称为丙烯酸系的情况下，也包括甲基丙烯酸系。

另外，为了进一步明确丙烯酸系，如(甲基)丙烯酸系这样，“(甲基)”的括弧部分是指其有无均可，例如，(甲基)丙烯酸系可以为丙烯酸系、甲基丙烯酸系或者包含这两者的情况中的任一种。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种半导体加工用粘合片，该半导体加工用粘合片在减少切割时产生的封装飞散的发生的同时，在切割后利用刮落等进行的拾取中也能迅速且确实地从胶带剥离。

本发明的上述和其它特征及优点可适当参照附图由下述记载内容进一步明确。

附图说明

图1是示出本发明的半导体加工用粘合片的一个实施方式的截面图。

图2是说明半导体晶片的切割工序和拾取工序的截面图。

图3是说明半导体晶片的切割工序和拾取工序的截面图。

图4是说明半导体晶片的切割工序和拾取工序的截面图。

图5是说明半导体晶片的切割工序和拾取工序的截面图。

具体实施方式

下面，详细说明本发明的半导体加工用粘合片。

<<半导体加工用粘合片>>

如图1中示意性地示出的示意性截面图那样，本发明的半导体加工用粘合片12在基材膜1上的至少一个面具有粘合剂层2。

首先，从基材膜起依次进行说明。

<基材膜>

本发明中，基材膜不是两个以上的树脂膜层积而成的层积体，而由一层、即单一的树脂膜构成。

构成基材膜的树脂不是单一的树脂，而由基础树脂与至少苯乙烯系嵌段共聚物构成。

(苯乙烯系嵌段共聚物)

苯乙烯系嵌段共聚物为弹性体，也被称为苯乙烯系热塑性弹性体或苯乙烯系弹性体。

苯乙烯系嵌段共聚物优选为由硬段的聚苯乙烯与软段构成的苯乙烯嵌段共聚物，作为软段，可以举出例如聚丁二烯、聚异丁烯、聚异戊二烯、氢化聚丁二烯(即，乙烯/丙烯)、氢化聚异丁烯(即，乙烯/丁烯)、氢化异戊二烯/丁二烯(即，乙烯-乙烯/丙烯)、丁二烯橡胶、环氧化聚丁二烯等。

通过使用苯乙烯系嵌段共聚物，基材膜变得柔软，可提高与半导体封装的密合性。另外，能够容易地进行扩展。

其中，本发明中，使用选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(seps)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物((sis)、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物(sebs)和苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(seeps)中的至少一种树脂。

此处，在苯乙烯系嵌段共聚物中，“-”是指用嵌段单元(1个嵌段)连结，“/”是指形成1个重复单元，其成为嵌段单元(1个嵌段)。

苯乙烯系嵌段共聚物可以为一种，也可以合用两种以上。

苯乙烯系嵌段共聚物与基础树脂一同使用，本发明中，相对于基础树脂100质量份含有5～39质量份苯乙烯系嵌段共聚物，优选为10～35质量份。

若苯乙烯系嵌段共聚物的含量小于5质量份，则基材膜变得刚直，无法提高与半导体封装的密合性。相反若超过39质量份，即便通过刮落使半导体加工用粘合片弯曲，封装也不掉落，因而无法顺利地进行刮落。

(基础树脂)

本发明中，基础树脂为苯乙烯系嵌段共聚物以外的树脂。

作为基础树脂，优选热塑性树脂，更优选基材膜的耐水性和耐热性优异的物质，特别优选合成树脂膜。

作为热塑性树脂，可以举出聚烯烃树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰胺树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、热塑性聚酰胺酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、脲树脂、聚酯树脂、液晶聚酯树脂、聚缩醛树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯醚(包括改性聚苯醚)树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚醚酮(包括改性聚醚醚酮)树脂、聚醚酮树脂、聚芳基醚酮树脂、聚芳酯树脂、氟系树脂、聚苯醚树脂、聚乳酸、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、苯氧基树脂、硅树脂等。

在热塑性树脂中，特别优选聚烯烃树脂。

需要说明的是，热塑性树脂可以进行酸改性等改性，可以为结晶性，也可以为非晶性。

其中，在本发明中，使用选自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物中的至少一种树脂。

(聚烯烃树脂)

聚烯烃树脂是将至少一种烯烃聚合而成的聚烯烃树脂，可以为均聚物，也可以为共聚物。

作为这样的烯烃，可以举出例如包括乙烯、丙烯、异丁烯、异丁烯(1-丁烯)的碳原子数为4～12的α-烯烃；丁二烯、异戊二烯、(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酰胺、乙烯醇、乙酸乙烯酯、氯乙烯、苯乙烯、丙烯腈等。

需要说明的是，作为碳原子数为4～12的α-烯烃，可以举出例如1-丁烯、2-甲基-1-丙烯、2-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、2-乙基-1-丁烯、2,3-二甲基-1-丁烯、2-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、3,3-二甲基-1-丁烯、1-庚烯、甲基-1-己烯、二甲基-1-戊烯、乙基-1-戊烯、三甲基-1-丁烯、甲基乙基-1-丁烯、1-辛烯、甲基-1-戊烯、乙基-1-己烯、二甲基-1-己烯、丙基-1-庚烯、甲基乙基-1-庚烯、三甲基-1-戊烯、丙基-1-戊烯、二乙基-1-丁烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一碳烯、1-十二碳烯等。

作为聚烯烃树脂，可以举出例如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚异丁烯树脂、聚异丁烯树脂、聚异戊二烯树脂、聚丁二烯树脂、(甲基)丙烯酸类树脂(所谓的烯丙基树脂)、聚氯乙烯树脂等乙烯基树脂、聚(甲基)丙烯酰胺树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚树脂(abs树脂)、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物等。

在这些树脂中，优选聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚树脂(abs树脂)，其中优选聚乙烯树脂、聚丙烯树脂。

作为聚乙烯树脂，可以举出乙烯均聚物、乙烯-α-烯烃共聚物等。作为α-烯烃，优选1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯。

作为乙烯-α-烯烃共聚物，可以举出例如乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-1-戊烯共聚物、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物等。

需要说明的是，在以密度或形状分类的情况下，可以为高密度聚乙烯(hdpe)、低密度聚乙烯(ldpe)、超低密度聚乙烯(vldpe)、线性低密度聚乙烯(lldpe)、超高分子量聚乙烯(uhmw-pe)中的任一种。

作为聚丙烯树脂，可以举出丙烯均聚物、丙烯-乙烯无规共聚物、丙烯-α-烯烃无规共聚物、丙烯-乙烯-α-烯烃共聚物、丙烯嵌段共聚物(由丙烯均聚物成分或主要由丙烯构成的共聚物成分、选自乙烯和α-烯烃中的至少一种单体与丙烯共聚得到的共聚物构成)等。这些聚丙烯树脂可以单独使用，也可以合用两种以上。

聚丙烯树脂中使用的α-烯烃优选1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯，更优选1-丁烯、1-己烯、1-辛烯。

作为丙烯-α-烯烃无规共聚物，可以举出例如丙烯-1-丁烯无规共聚物、丙烯-1-己烯无规共聚物、丙烯-1-辛烯无规共聚物等。

作为丙烯-乙烯-α-烯烃共聚物，可以举出例如丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-乙烯-1-己烯共聚物、丙烯-乙烯-1-辛烯共聚物等。

作为丙烯嵌段共聚物，可以举出例如(丙烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-乙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-乙烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-乙烯-1-己烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-1-丁烯)共聚物、(丙烯-1-丁烯)-(丙烯-1-己烯)共聚物等。

在这些聚丙烯树脂中，优选丙烯均聚物、丙烯-乙烯无规共聚物、丙烯-1-丁烯无规共聚物、丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、丙烯嵌段共聚物。

聚丙烯树脂的结晶性以熔解温度(熔点)或立构规整性的方式加以要求，并根据对本发明的聚烯烃树脂组合物所要求的品质、或对将其成型而得到的成型品所要求的品质来进行调整。

需要说明的是，立构规整性被称为全同立构指数、间规立构指数。

全同立构指数利用macromolecules,第8卷,687页(1975年)中记载的¹³c-nmr法求出。具体而言，以¹³c-nmr光谱的甲基的碳区域的总吸收峰中mmmm峰的面积分数的形式求出聚丙烯树脂的全同立构指数。

全同立构指数高时，结晶性高，优选为0.96以上、更优选为0.97以上、进一步优选为0.98以上。

另一方面，间规立构指数利用j.am.chem.soc.,110,6255(1988)或angew.chem.int.ed.engl.,1955,34,1143-1170中记载的方法求出，间规立构指数高时，结晶性高。

作为乙烯基树脂，可以举出例如氯乙烯树脂[氯乙烯单体的均聚物(聚氯乙烯树脂等)、氯乙烯单体与其它单体的共聚物(氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等)等]、乙烯醇树脂(聚乙烯醇等均聚物、乙烯-乙烯醇共聚物等共聚物等)、聚乙烯醇缩甲醛等聚乙烯醇缩醛树脂等。这些乙烯基系树脂可以单独使用或将2种以上组合使用。

聚烯烃树脂的熔体流动速率(mfr)通常为0.01～400g/10分钟，从提高机械强度或生产稳定性的方面出发，优选为1～400g/10分钟、更优选为1～100g/10分钟、进一步优选为1～50g/10分钟。

需要说明的是，本发明中，熔体流动速率(mfr)是依照jisk7210、在190℃、2.16kg负荷下每10分钟流出的聚合物的质量(g/10分钟)。

本发明中，基础树脂特别优选为聚丙烯。

为了提高密合性，对于基材膜的与粘合剂层接触的面可以实施电晕处理或设置底涂层等其它的层。

基材膜的厚度没有特别限制，优选为70～300μm、更优选为100～200μm、进一步优选为100～250μm、特别优选为100～150μm。

另外，本发明中，还优选超过100μm，该情况下，优选超过100μm且为300μm以下、更优选为110～300μm、进一步优选为110～250μm、特别优选为110～200μm。

<基材膜的5％模量>

本发明中，基材膜的5％模量为7.0～20.0mpa。

基材膜的5％模量优选为7.0～15.0mpa、更优选超过7.0mpa且为15.0mpa以上、进一步优选超过8.0mpa且为15.0mpa以上、特别优选为8.5～15.0mpa、最优选为10.0～15.0mpa。

基材膜的5％模量小于7.0mpa时，基材膜柔软，因此在芯片的刮落时力不传递，从而芯片残留于半导体加工用粘合片上，若超过20.0mpa，则由于基材膜过于刚直，因而对半导体封装的贴附性变差，在切割时有时会产生封装飞散。

5％模量通过依照jisk7127/2/300测定5％应变时的应力而得到。

本发明中，在md方向和td方向各测定5次，将这些测定值全部的平均值作为5％模量的值。

为了使5％模量为上述范围，可以通过基础树脂、苯乙烯系嵌段共聚物的种类和混配量进行调整。

<粘合剂、粘合剂层>

粘合剂层可利用现有公知的各种粘合剂形成。作为这样的粘合剂，没有任何限定，使用以例如橡胶系、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯醚系等为基础聚合物的粘合剂。

本发明中，优选丙烯酸系粘合剂。

为了对这些基础聚合物附加内聚力，可以混配交联剂。

作为交联剂，与基础聚合物对应，可以举出例如异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、金属螯合物系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺树脂等。进而，可以在无损本发明目的的范围内，根据希望在粘合剂中含有各种添加成分。

另外，还可以使用辐射固化型或加热发泡型的粘合剂。

作为辐射固化型的粘合剂，可以使用利用紫外线、电子射线等进行固化在剥离时容易剥离的粘合剂。另外，作为加热发泡型的粘合剂，可以使用通过加热且利用发泡剂或膨胀剂而容易剥离的粘合剂。进而，作为粘合剂，也可以为能够兼作切晶-粘晶的接合剂。作为辐射固化型粘合剂，例如，优选使用日本特公平1-56112号公报、日本特开平7-135189号公报等中记载的辐射固化型粘合剂，但不限定于这些。本发明中，优选使用紫外线固化型粘合剂。该情况下，只要具有通过放射线而固化并三维网状化的性质即可，例如使用对通常的橡胶系或丙烯酸系的压敏性基础树脂(聚合物)混配分子中具有至少2个光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物(下文中称为光聚合性化合物)及光聚合引发剂而成的物质。

上述的橡胶系或丙烯酸系的基础树脂使用天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶系聚合物、或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与能够和其共聚的其它不饱和单体的共聚物等丙烯酸系聚合物。

另外，通过向上述粘合剂中混合异氰酸酯系固化剂，可以将初期的粘接力设定为任意值。作为这样的固化剂，具体使用多元异氰酸酯化合物、例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。

在紫外线固化型粘合剂的情况下，通过在粘合剂中混入光聚合引发剂，能够减少利用紫外线照射的聚合固化时间以及紫外线照射量。

作为这样的光聚合引发剂，具体而言，可以举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯偶酰、丁二酮、β-氯蒽醌等。

丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的质量平均分子量优选为10万以上、更优选为20万以上、进一步优选为25万以上、特别优选为30万以上、最优选为40万以上。质量平均分子量的上限优选为200万以下、更优选为150万以下、进一步优选为100万以下、特别优选为80万以下。

本发明中，例如可以举出10万～200万作为优选的范围，可以举出25万～200万作为更优选的范围。若示出其它范围例，例如还可以举出20万～150万的范围。

质量平均分子量通过凝胶渗透色谱(gpc)进行标准聚苯乙烯换算而得到。

对粘合剂层的厚度没有特别限制，优选为4～30μm、特别优选为5～25μm。

可以将半导体晶片贴合至本发明的半导体加工用粘合片，并通过常规方法进行如图2～5所示的晶片的切割和拾取。在使用本发明的半导体加工用粘合片的半导体晶片的加工方法中，不切入至基材膜可减小划片刀的切削阻力，使半导体晶片切削顺利地进行，并减少碎片，因而优选。为了不使切口到达基材膜，例如只要根据手册适当变更所使用的切割装置的切入深度的设定即可。

本发明中使用的裸晶片没有特别限定，可以从以往使用的任意裸晶片中适当选择使用。

实施例

下面，基于实施例更详细地说明本发明，但本发明不限定于此。

<基材膜的制造>

1)基材膜a

将苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(seps)[商品名：septonkf-2104、kuraray公司制造]与均聚丙烯(pp)[商品名：j-105g、宇部兴产株式会社制造]按照下述表1所示的混配比进行混合，利用双螺杆混炼机在约200℃通过膜挤出成型而进行加工，制造出厚度150μm的基材膜a。

2)基材膜b

将苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物(sis)[商品名：hybrar5127、kuraray公司制造]与均聚丙烯(pp)[商品名：j-105g、宇部兴产株式会社制造]按照下述表1所示的混配比进行混合，利用双螺杆混炼机在约200℃通过膜挤出成型而进行加工，制造出厚度150μm的基材膜b。

3)基材膜c

将苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物(sebs)[商品名：septon8104、kuraray公司制造]与均聚丙烯(pp)[商品名：j-105g、宇部兴产株式会社制造]按照下述表1所示的混配比进行混合，利用双螺杆混炼机在约200℃通过膜挤出成型而进行加工，制造出厚度150μm的基材膜c。

4)基材膜d

将苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(seeps)[商品名：septonsepton4033、kuraray公司制造]与均聚丙烯(pp)[商品名：j-105g、宇部兴产株式会社制造]按照下述表1所示的混配比进行混合，利用双螺杆混炼机在约200℃通过膜挤出成型而进行加工，制造出厚度150μm的基材膜d。

<粘合剂的制备>

向丙烯酸系基础聚合物(由丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸-2-羟乙酯构成的共聚物、质量平均分子量40万、玻璃化转变温度：-35℃)100质量份中添加多异氰酸酯化合物[商品名：coronatel、日本聚氨酯工业株式会社制造]3质量份、作为具有光聚合性碳-碳双键的化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50质量份、作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮1质量份并进行混合，得到粘合剂。

实施例1～3和比较例1

在上述基材膜a的一个表面以厚度20μm涂布上述粘合剂，形成粘合剂层，制造出实施例1～3和比较例1的各半导体加工用粘合片。

实施例4

使用上述基材膜b，除此以外与实施例1同样地制造出半导体加工用粘合片。

实施例5

使用上述基材膜c，除此以外与实施例1同样地制造出半导体加工用粘合片。

实施例6

使用上述基材膜d，除此以外与实施例1同样地制造出半导体加工用粘合片。

对于这些各半导体加工用粘合片，如下进行5％模量、封装飞散和拾取成功率的评价。

(5％模量)

使用各基材膜，依照jisk7127/2/300制作试验片，并测定5％模量。对于各试验片，在md方向和td方向各测定5次，将这些测定值全部的平均值作为试验结果。

(封装飞散)

将qfn封装(60mm×150mm、厚度0.95mm)贴合至各半导体加工用粘合片。通过切片机(disco公司制造、dfd6340)，在刀片转速20000rpm、切削速度30mm/min、对粘合片的切入量60μm的条件下，以芯片尺寸为1mm×1mm的方式进行切割。

切割后，按照下述评价基准进行评价。

评价基准

○：芯片全部残留于半导体加工用粘合片上

×：1片以上的芯片飞散

(拾取成功率)

利用下述2种方法进行评价。

(1)利用刮落进行的评价

切割后进行紫外线照射(200mj/cm²)，用镊子刮擦半导体加工用粘合片的背面而使芯片掉落。

(2)利用超声波进行的评价

切割后进行紫外线照射(200mj/cm²)，使半导体加工用粘合片的背面接触超声波振荡端子而使芯片掉落。

将所得到的结果归纳示于下述表1。

需要说明的是，表中的空白是指未使用。

【表1】

根据上述表1，实施例1～6的半导体加工用粘合片的5％模量的值均为7.0～20.0mpa的范围，未发生封装飞散，并且利用刮落和超声波振荡端子进行的拾取也良好。

与此相对，比较例1的半导体加工用粘合片的弹性体成分多，5％模量的值变小，结果虽然未发生封装飞散，但尤其在利用刮落进行的拾取时，刮擦半导体加工用粘合片的力未良好地传递，芯片残留于半导体加工用粘合片上。

另一方面，比较例2的半导体加工用粘合片的弹性体成分少，5％模量的值变小，结果损耗系数降低，结果对半导体封装的贴附性变差，发生了封装飞散。

结合其实施方式对本发明进行了说明，但本申请人认为，只要没有特别指定，则本发明在说明的任何细节均不被限定，应当在不违反所附权利要求书所示的发明精神和范围的情况下进行宽泛的解释。

本申请要求基于2016年3月31日在日本进行专利提交的日本特愿2016-073264的优先权，将其参照于此并将其内容作为本说明书记载内容的一部分引入。

符号说明

1基材膜

2粘合剂层

11样品架

12半导体加工用粘合片

13半导体晶片

14半导体芯片

15实线箭头方向

16扩展器

17虚线箭头方向