技术特征：
技术总结
一种传感器包括第一基板，第一基板包含至少第一像素。所述第一像素包括：雪崩光电二极管，其将入射光转换为电荷并包括阳极(105)和阴极(101)。所述阴极处于所述第一基板的阱区(103)中。所述第一像素包括将所述阱区与相邻于所述第一像素的至少第二像素隔离的隔离区域(108)。所述第一像素包括位于所述隔离区域与所述阱区之间的空穴累积区域(107a)。所述空穴累积区域电连接至所述阳极。
技术研发人员：大竹悠介;松本晃;山元纯平;内藤隆诚;中沟正彦;若野寿史
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2017.10.18
技术公布日：2018.08.31