1.一种用于在基底上沉积材料的方法，所述方法包括：
接收具有浮雕图案的基底，所述浮雕图案限定了露出下层的开口，所述浮雕图案提供限定所述开口的侧壁表面，所述下层提供限定所述开口的底表面，所述侧壁表面具有第一表面能值，所述底表面具有第二表面能值；
确定填充材料，所述填充材料通过经由旋涂沉积而沉积在所述基底上来填充所限定的开口；
执行表面能改变处理，所述表面能改变处理改变所述第一表面能值和所述第二表面能值中的至少一者，使得液体形式的所述填充材料与所述侧壁表面或所述底表面之间的界面的接触角值小于60度；以及
在执行所述表面能改变处理之后，经由旋涂沉积将所述填充材料沉积在所述基底上，使得所述填充材料填充与所述侧壁表面及所述底表面接触的所限定的开口。
2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括改变所述第一表面能值，使得液体形式的所述填充材料与所述侧壁表面之间的界面的接触角值小于60度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理导致液体形式的所述填充材料与所述侧壁表面之间的界面的接触角值小于30度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中执行所述表面能改变处理导致液体形式的所述填充材料与所述侧壁表面之间的界面的接触角值小于20度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括改变所述第二表面能值，使得液体形式的所述填充材料与所述底表面之间的界面的接触角值小于60度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理导致液体形式的所述填充材料与所述底表面之间的界面的接触角值小于30度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述表面能改变处理导致液体形式的所述填充材料与所述底表面之间的界面的接触角值小于20度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括在等离子体处理系统内将所述基底暴露于等离子体产物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括将基于液体的改性剂沉积在所述浮雕图案上。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述基于液体的改性剂沉积在所述浮雕图案上包括执行蚀刻后湿式清洗。
11.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括在所述浮雕图案上沉积共形膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述表面能改变处理包括执行选自以下的处理：原子层沉积、化学气相沉积和直流叠加。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述浮雕图案限定临界尺寸小于40纳米的开口。
14.根据权利要求1所述的方法，其中将所述填充材料沉积在所述基底上包括使用与所述第一表面能值匹配的沉积溶剂体系。
15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述填充材料沉积在所述基底上包括使用与所述第二表面能值匹配的所述沉积溶剂体系。