技术特征：
技术总结
在共通的半导体基板(10)上形成有具有IGBT元件(1a)的IGBT区域(1)和具有FWD元件(2a)的FWD区域(2)的半导体装置中，在阴极层(22)中，形成与第2电极(23)电连接并与场阻挡层(20)构成PN结的载流子注入层(24)。并且，从在FWD元件(2a)中流过正向电流的状态起将该电流切断时，FWD元件(2a)内的第1载流子穿过位于载流子注入层(24)上的场阻挡层(20)向阴极层(22)流动，由此从第2电极(23)经由载流子注入层(24)向漂移层(11)注入第2载流子。
技术研发人员：水上拓
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：2017.04.20
技术公布日：2019.01.04