静电卡盘及其制造方法与流程

本公开涉及基板处理装置，并且更具体地涉及基板处理装置中的用于使用静电力来固定基板的静电卡盘以及制造所述静电卡盘的方法。

背景技术：

静电卡盘被用作在被配置为在其中执行基板处理(诸如刻蚀、cvd、溅射、离子注入、灰化或气相沉积)的工艺腔室中吸引和保持要被处理的基板(诸如半导体基板、lcd基板或oled基板)的装置。

如图1中所示，在专利文献1和专利文献2中所公开的传统静电卡盘的结构中，在其中保持有电极102的介电层103经由有机粘合剂101(诸如硅树脂)被接合和整合至金属盘100。

作为将电极102嵌入介电层103的方法，一种方法被采用，其中电极(钨)被印刷在陶瓷生片(greensheet)的表面上，该陶瓷生片将通过烧制转变为介电层，并且烧制(热压)是在进一步将单独的陶瓷生片堆叠在该陶瓷生片上之后执行的。

与此同时，在用于处理大面积基板的基板处理装置中使用静电卡盘的情况中，由于因面积的增大所引起的成本和技术问题，所以作为制造静电卡盘的另一种方法，可以使用如专利文献6中所公开的等离子体喷涂法来形成介电层103和电极102。

然而，当通过等离子体喷涂法来形成介电层103和电极102时，存在由于空隙等的形成造成的耐电压特性差、寿命短、以及吸引力降低的问题。

另外，在掩模与基板紧密接触的状态下执行基板处理的情况中，基板处理的精确度受掩模与基板之间的紧密接触状态的影响。

特别地，当如在气相沉积方法中基板与载体的底表面紧密接触时，由于掩模的下垂，基板与掩模的粘附程度降低，这使得难以精确地处理基板。

专利文献1：日本实用新型公开no.hei4-133443

专利文献2：日本专利特开no.hei10-223742

专利文献3：日本专利特开no.2003-152065

专利文献4：日本专利特开no.2001-338970

专利文献5：韩国专利no.10-0968019

专利文献6：韩国专利no.10-0982649

技术实现要素：

技术问题

本公开的第一方面是：提供一种静电卡盘，其中，借助于通过溶胶-凝胶法来形成所述静电卡盘的介电层，降低了所述介电层的孔隙度，使得可增加所述静电卡盘的寿命并改进了介电常数，使得可改进对基板的吸引力，并且提供一种制造所述静电卡盘的方法。

本公开的第二方面是：提供一种静电卡盘，其中，借助于通过溶胶-凝胶法形成静电吸盘的介电层并随后通过等离子喷涂法形成在通过溶胶-凝胶法形成的介电层的顶表面的边缘区域处向上突出的多个突起310和240(其对应于基板的边缘的底表面)，增强了突起310和240(所述突起310和240与基板的底表面反复地接触)的机械刚性，使得可以最大化静电卡盘的寿命，并提供一种制造静电卡盘的方法。

技术方案

根据本方面的一个方面，为了解决上述问题，根据本公开的制造静电卡盘的方法是一种制造静电卡盘的方法，所述静电卡盘包括：基部构件330，所述基部构件330由金属制成；和电介质层200，所述电介质层200形成在基部构件330的顶表面上并且具有形成在其中的电极层340，将dc功率施加到所述电极层340。所述方法包括：通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料形成介电层200的至少一部分的介电层形成步骤；以及在所述介电层形成步骤中形成的介电层200的顶表面的边缘区域e处通过等离子喷涂法形成多个突起310和240的突起形成步骤，所述边缘区域e对应于基板s的边缘的底表面。

所述陶瓷材料可以具有al2o3、y2o3、zro2、mgo、sic、aln、si3n4以及sio2中的任何一种。

突起310和240可包括：至少一个坝部310，所述至少一个坝部310在介电层200的顶表面中沿基板s的边缘被设置；以及多个垂直凸起，所述多个垂直凸起小于坝部310的顶表面并且与基板s的底表面形成平面接触或点接触。多个垂直凸起相对于坝部310而朝向介电层200的中心位于内侧。

坝部310的高度可以小于多个垂直凸起240的高度。

当坝部310的高度小于多个垂直凸起240的高度时，使基板s相对于垂直突起240向下弯曲。由此，可防止诸如颗粒之类的杂质流进基板s的底表面。

为了根据气体的排放的程度检测坝部310与基板s的底表面之间的平面接触的状态，坝部310可被提供有气体排放通道312，气体通过所述气体排放通道312从顶表面排放，所述顶表面与基板s的底表面平面接触。

介电层形成步骤可以包括：通过等离子喷涂法在基部构件330的顶表面上形成第一介电层210的第一介电层形成步骤，以及在第一介电层210上形成电极层340之后通过溶胶-凝胶法形成第二介电层220的第二介电层形成步骤。

所述第二介电层形成步骤可以包括：在排除第一介电层210的边缘区域e之外的第一介电层210的中心区域c中形成第二介电层220。

介电层形成步骤可以包括：通过等离子体喷涂在第一介电层210的顶表面上的边缘区域e处形成第四介电层260。

根据本公开的另一个方面，通过如上所述的制造静电卡盘的方法来制造根据本公开的静电卡盘。

根据本公开的另一个方面，静电卡盘包括：基部构件330，所述基部构件330由金属制成；介电层200，所述介电层200形成在所述基部构件330的顶表面上并且具有形成在其中的电极层340，所述电极层被施加有dc功率，并且所述介电层的至少一部分通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料形成；以及多个突起310和340，所述多个突起310和340通过等离子体喷涂法被形成为在介电层200的顶表面的边缘区域e处向上突出，所述边缘区域e对应于基板s的边缘的底表面。

有益效果

根据本公开的一个方面，增加了基板与静电卡盘在基板的中心区域和边缘区域中的粘附，以便防止诸如颗粒之类的杂质进入到基板与静电卡盘之间的间隙。由此，可最小化失败并且可显著地增加(约10倍或更多)静电卡盘的维护周期。

具体地，用于支撑基板的边缘的突起被形成以确保基板的边缘处的紧密接触状态。由此，可防止诸如颗粒之类的杂质进入基板与静电卡盘之间的间隙。

根据本公开的另一个方面，借助于通过溶胶-凝胶法来形成静电卡盘的介电层，可降低介电层的孔隙度以便增加寿命并且提高介电常数以便改进对于基板的吸引力。

更优选地，借助于将通过等离子体喷涂法形成的层与通过溶胶-凝胶法在介电层上形成的层相组合，可通过溶胶-凝胶法来形成具有高孔隙度的层，并且可通过等离子体喷涂法来增加机械刚性并降低介电层的孔隙度，由此保证了机械强度，同时增加了其寿命。

具体地，通过等离子体喷涂来形成被设置在介电层的边缘处的多个突起，所述介电层通过溶胶-凝胶法形成。由此，可改进中心区域中的吸引力，同时保证被形成在边缘处的突起的机械刚性，从而增加寿命。

根据本公开的另一个方面，在掩模与基板紧密接触的状态下执行基板处理的情况下，通过静电卡盘的磁力来使掩模与基板形成紧密接触。由此，可改进对掩模和基板的粘附，使得可改进工艺的均匀性和掩模的边缘处的遮蔽效果。

具体地，当掩模不与基板紧密接触时，由于在已穿过掩模中的开口的沉积材料的形成中发生的误差而降低沉积的精确度。然而，本公开能够保持掩模与基板之间的良好的粘附状态。

根据本公开的另一个方面，在形成于边缘上的突起中的气流路径被形成，通过所述气流路径将气体以朝向基板的方向排放。由此，可基于气体从接触表面的泄漏量来检测与基板或掩模的接触状态。

附图说明

图1是示出根据现有技术的静电卡盘的截面图；

图2a是示出载体的局部截面图，在所述载体上安装有根据本发明的实施例的静电卡盘，并且掩模耦合至所述载体；

图2b是作为图2a的变体的、示出使掩模的外框架与突起紧密接触的实施例的局部截面图；

图3是示出图2a或图2b中的坝部与垂直凸起之间的高度差的局部截面图；

图4是示出根据本公开的一个实施例的静电卡盘的局部截面图；

图5是示出根据本公开的一个实施例的静电卡盘的局部俯视图；

图6a至图6f是示出根据本公开的一个实施例的制造静电卡盘的方法的实施例的截面图。

图7是示出根据本公开的另一个实施例的静电卡盘的局部截面图；

图8是示出了图7中所示出的静电卡盘的局部俯视图；

图9是图7中所示出的静电卡盘的变体的局部截面图；以及

图10是示出根据本公开的又另一个实施例的静电卡盘的局部截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。图1是示出根据现有技术的静电卡盘的截面图；图2a是示出载体的局部截面图，在所述载体上安装有根据本发明的实施例的静电卡盘，并且掩模耦合至所述载体；图2b是作为图2a的变体的、示出使掩模的外框架与突起紧密接触的实施例的局部截面图；图3是示出图2a或图2b中的坝部与垂直凸起之间的高度差的局部截面图；图4是示出根据本公开的一个实施例的静电卡盘的局部截面图；图5是示出根据本公开的一个实施例的静电卡盘的局部俯视图；图6a至图6f是示出根据本公开的一个实施例的制造静电卡盘的方法的实施例的截面图；图7是示出根据本公开的另一个实施例的静电卡盘的局部截面图；图8是示出图7中所示出的静电卡盘的局部俯视图；图9是图7中所示出的静电卡盘的变体的局部截面图；以及图10是示出根据本公开的又另一个实施例的静电卡盘的局部截面图。

根据本公开的实施例的静电卡盘10是基板处理装置的静电卡盘10，该基板处理装置在掩模m与基板s(所述基板s被吸引至并且固定至静电卡盘10)的顶表面紧密接触的状态下执行基板处理。

基板处理装置(其中使用根据本公开的实施例的静电卡盘)可以是任何执行对基板的处理的装置，诸如化学气相沉积(cvd)装置、溅射装置、离子注入装置、刻蚀装置或气相沉积装置。

具体地，根据本公开的实施例的静电卡盘10用于在比大气压要低得多的气氛下执行工艺的装置中。

根据本公开的实施例的静电卡盘10优选用在用于制造基板(诸如oled基板)的装置中，特别是用在气相沉积装置中，在所述气相沉积装置中，由从蒸发源中蒸发出的蒸发材料来在基板上形成沉积层。

根据本公开的实施例的静电卡盘10是用于产生用于吸引和固定基板s的静电力的部件，并且可以以各种方式被配置。

根据实施例，静电卡盘10可以包括：基部构件330，所述基部构件330由金属制成；以及介电层200，所述介电层200形成于基部构件330的顶表面上并具有电极层340，dc功率被施加至所述电极层340。

基部构件330是由金属(诸如铝或不锈钢)制成的部件以便保证机械刚性，并且根据其使用条件可以具有各种材料和结构。

介电层200是被设置在基部构件330的顶表面上的部件，并且在其中具有电极层340，dc功率被施加至该电极层340。

电极层340是由诸如钨之类的材料在介电层200内形成的部件，并且所述电极层340被电连接至dc功率，以便在将dc功率施加至电极层340时与介电层340一起来产生静电。

可以通过各种方法(诸如等离子体喷涂法和使用丝网等的导电胶印刷法)形成电极层340。

取决于基板s的吸引方法，可以形成一个或多个电极层340，并且所述一个或多个电极层340可以具有各种结构，诸如双极结构和单极结构。

介电层200是具有介电常数以便在将dc功率施加至电极层340时产生静电力的部件。可以通过等离子体喷涂法和溶胶-凝胶法中的至少一种方法由陶瓷材料来形成介电层200。

这里，陶瓷材料可以包括诸如al2o3、y2o3、zro2、mgo、sic、aln、si3n4、sio2等的材料。

当基板s在基板处理工艺期间不与静电卡盘10紧密接触时，颗粒可能流入基板s与静电卡盘10顶表面之间的缝隙中，并且可能污染基板s的后表面，这可能造成基板处理中的缺陷。

希望基板s与静电卡盘10紧密接触。为了此目的，如图2中所示，静电卡盘10可以包括向上突出的突起310和240以便支撑基板s的边缘的底表面。

例如，突起310和240可以包括至少一个坝部310和多个垂直凸起240，多个垂直凸起240具有比坝部310的第一高度h1要低的第二高度h1，其中可以将坝部和垂直凸起240形成在介电层200的顶表面上。

坝部310是支撑基板s的边缘的底表面的部件，并且可以在形成介电层200时通过等离子体喷涂法等在介电层200的顶表面上形成。

在静电卡盘10的顶表面上形成坝部310，所述坝部310为以对应于基板s的边缘的矩形等的形式的闭合曲线，如图5中所示。

此时，将坝部310的第一高度h1形成为比形成在坝部310内侧的垂直凸起240的第二高度h1要高，以便支撑基板s的边缘的底表面。

如图2a中所示，由于坝部310的形成，所以基板s的边缘被弯曲并且被支撑在坝部310上，从而使得能够防止颗粒流入作为边界的坝部310或从所述坝部310流出。

具体地，可防止颗粒从坝部310的外部流向基板s，同时防止颗粒从基板s侧流出至坝部310的外部，从而使得能够防止颗粒泄露到在坝部310的外部的载体框架11。

与此同时，多个垂直凸起240是选择性地形成在静电卡盘10的顶表面上以使得将基板与静电卡盘10的顶表面间隔开的部件，并且可以取决于基板处理的类型来选择性地形成。

当多个垂直凸起240不形成在静电卡盘10上时，可以将边缘处的坝部310的第一高度h1形成为在不损伤基板s的范围中的合适的高度。

与此同时，在图2a的实施例中，作为示例，将坝部310描述为支撑基板s的底表面。然而，可以将坝部310形成为使之支撑掩模m的底表面，如图2b中所示。

图2b中所示的实施例除掩模m的底表面被支撑之外与图2a中所示的相同，并且因此将省略对此的详细描述。

在图2b中所示的实施例中，可以将基板s的边缘的端部定位在坝部310内。

因此，可防止颗粒从坝部310的外部流向基板s，同时防止颗粒从基板s侧流出至坝部310的外部，从而使得能够防止颗粒泄露到在坝部310的外部的载体框架11。

与此同时，通常通过等离子体喷涂法来形成介电层200以便处理大尺寸基板。特别地，介电层200具有高孔隙度，因为当通过等离子体喷涂法形成介电层200时所述介电层200中形成有空隙。因此，介电层200耐电压特性差并且具有短的寿命，并且因此维护周期短。进一步地，介电层具有低的介电常数，对基板s的吸引力低。

鉴于此，根据本公开的实施例，可以通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料来形成介电层200，或者可以通过等离子体喷涂法和溶胶-凝胶法的组合来形成介电层200。

具体地，当通过溶胶-凝胶法来形成介电层200时，可通过降低孔隙度和提高介电常数来改进耐电压特性及延长寿命，由此改进对基板s的吸引力。

可以使用公知的溶胶-凝胶法作为形成介电层200的溶胶-凝胶法，例如，通过以下步骤。

1)水解反应或与醇反应(水解)

m(or)x+mh2o→m(or)x-m(oh)m+mroh，

2)水缩合(缩合)

2m(or)x-m(oh)m→(oh)m-1(or)x-m---(or)x-m(oh)m-1+h2o

2’)醇缩合2m(or)x-m(oh)m→(oh)m-1(or)x-m---(or)x-m-1+r(oh)

与此同时，在形成静电卡盘的介电层200的方法中，溶胶-凝胶法能够产生在室温下具有硬度、透明度、化学稳定性、可控孔隙度、热导率等方面的良好性质的均质无机氧化物材料。

特殊方法得以应用，该特殊方法能够通过对上文所述的溶胶-凝胶法的应用经由在凝胶状态下成形为各种不同形状来获得单一整料、薄膜和具有单一粒度的粉末。

通过该方法，可产生保护膜、多孔膜、窗口绝缘体、介电材料以及电磁材料涂层，并且可获得静电卡盘10的性能的显著改进。

在使用溶胶-凝胶法的合成中，可以通过测量根据通过氧化铝的合成而来的ph变化引起的粒径分布并且选择当粒径最小时的ph来合成凝胶。

与此同时，在通过溶胶-凝胶法来成形之后，可以在相对较低的温度(诸如150℃)下执行烧结。

根据具体的实施例，介电层200可以包括通过等离子体喷涂法形成在基部构件330的顶表面上的第一介电层210和在将电极层340形成于第一介电层210上之后通过溶胶-凝胶法形成的第二介电层220，并且可以在形成了第二介电层220之后通过等离子体喷涂来形成坝部310和垂直凸起240。

这里，还可以通过溶胶-凝胶法代替等离子体喷涂法来形成第一介电层210。

与此同时，可以在第二介电层220的形成之后进一步通过等离子体喷涂法在第二介电层220的顶表面上形成第三介电层230。

通过在通过溶胶-凝胶法形成的第二介电层220之外形成第三介电层230，可以保证机械刚性。

根据实施例，根据本公开的实施例的静电卡盘10是吸引和固定基板s的部件，并且可以用作在基板处理装置(诸如气相沉积装置)中移动的载体本身或载体的部件的一部分。

载体是包括静电卡盘的部件，以便以基板s被吸引并固定到静电卡盘的状态来移动。

取决于基板处理装置中的移动方法等，载体可以具有各种结构。

可以以各种方法移动载体。例如，在气相沉积装置中，载体可以在基板s被固定至该载体的底表面以便面朝下的状态下移动，或者在载体处于垂直或倾斜的状态从而使得基板s面朝侧边的状态下移动。

对于此实施例，静电卡盘10进一步被提供有载体框架11，所述载体框架11耦合至所述静电卡盘10的边缘，以便形成在基板处理系统中传送基板s的载体，所述基板处理系统在基板s被吸引并固定至所述静电卡盘的状态下执行基板处理。

与此同时，可以在基板s与掩模m紧密接触的状态下执行基板处理工艺。

掩模m是与基板s紧密接触以便在基板s上以预设计的图案形成沉积膜的部件，并且可以具有包括被提供有一个或多个开口33的板31的各种配置。

根据实施例，掩模m可以包括掩模板31和外框架32，掩模板31具有以预设图案形成的至少一个开口33，外框架32支撑掩模板31的边缘。

取决于工艺，可以以各种方式将掩模m配置为：具有以像素为单位的开口的精细金属掩模(fmm)、保持在与基板s紧密接触的状态下的开放式掩模等。

根据在其中希望保持掩模m处于尽可能紧密地接触的实施例，静电卡盘10可以进一步被提供有磁体12，所述磁体12通过磁力使得掩模m与基板s的顶表面紧密接触，以便进一步改进掩模m对基板s的粘附。

磁体12是由永磁体或类似物构成的部件，并且被提供在静电卡盘10上，以便通过磁力使得掩模m与基板s的顶表面紧密接触，并且磁体12可以被安装在适当的位置处。

能够通过磁体12来改进掩模m与基板s在基板s的边缘处的粘附，从而使得能够改进工艺的均匀性和基板s的边缘处的遮蔽效果。

根据实施例，可以在构成静电卡盘10的基部构件330的底表面上安装磁体12。

当掩模m包括外框架32时，磁体12能通过磁力使外框架与静电卡盘10的顶表面紧密接触。

这里，希望掩模m的掩模板31与基板s紧密接触，并且因此希望将磁体12定位成以便使掩模板31与静电卡盘10的顶表面紧密接触。

与此同时，本公开的另一特性是：通过如上所述的溶胶-凝胶法或等离子体喷涂法和溶胶-凝胶法的组合来形成静电卡盘的介电层。

即，根据本公开的另一个方面，根据本公开的制造具有上述结构的静电卡盘的方法的特征在于，通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料来形成介电层200的至少一部分。

具体地，可以通过等离子体喷涂法和溶胶-凝胶法的组合由陶瓷材料来形成介电层200。

特别地，希望通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料来形成介电层200，并且更希望通过等离子体喷涂法和溶胶-凝胶法的组合来形成介电层200。

当通过溶胶-凝胶法来形成介电层200时，可通过降低孔隙度和提高介电常数来改进耐电压特性并增加寿命，由此改进对基板s的吸引力。

根据具体的实施例，根据本公开的制造静电卡盘的方法可以包括：通过等离子体喷涂法在基部构件330的顶表面上形成第一介电层210的第一介电层形成步骤；在将电极层340形成在第一介电层210上之后通过溶胶-凝胶法来形成第二介电层220的第二介电层形成步骤；以及在形成第二介电层220之后通过等离子体喷涂来形成突起310和240的突起形成步骤。

另外地，通过等离子体喷涂在第二介电层220的顶表面上形成第三介电层230的第三介电层形成步骤被包括在形成第二介电层220的步骤与形成突起的步骤之间。

与此同时，在制造静电卡盘的方法(其中通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料形成介电层200的至少一部分)中，取决于静电卡盘10的结构，各种变体是可能的。

具体地，与如图2a至图6f中所示出实施例中的其中多个垂直凸起240均匀地形成在静电卡盘10的顶表面上的实施例不同，在如图7至图9中所示的静电卡盘10中，突起310和240可以仅形成在对应于基板s的边缘的底表面的边缘区域e处，并且可以不形成在对应于基板s的中心的底表面的区域中。

此时，形成在排除了基板s的中心的底表面的区域之外的边缘区域e处的多个突起310和240必须是高耐用的，因为取决于工艺，突起310和240与基板s的底表面反复接触。

然而，当通过溶胶-凝胶法来形成多个突起310和240时，孔隙度高但耐用性低。因此，希望增加设置在边缘区域e处并且通过等离子体喷涂法来形成的多个突起310和240的耐用性。

因此，在本公开的另一个实施例中，制造根据本公开的静电卡盘的方法包括：通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料形成介电层200的至少一部分的介电形成步骤；以及在所述介电层形成步骤中形成的介电层200的顶表面的边缘区域e处通过等离子喷涂法形成多个突起310和240的突起形成步骤，所述边缘区域e对应于基板s的边缘的底表面。

介电形成步骤是通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料形成介电层200的至少一部分的步骤，所述溶胶-凝胶法与制造参照图2a至图6e描述的静电卡盘的方法基本上相同或相似，并因此省略对其的详细描述。

换言之，除了突起形成步骤以外，介电形成步骤可以与制造参照图2a至图6e描述的静电卡盘的方法基本上相同或相似，并因此将省略对其的详细描述例如，介电形成步骤可以包括：通过等离子喷涂在基部构件330的顶表面上形成第一介电层210的第一介电形成步骤，以及在第一介电层210上形成电极层340之后通过溶胶-凝胶法形成第二介电层220的第二介电形成步骤。

突起形成步骤是通过等离子体喷涂法在介电层200的顶表面的边缘区域e处形成多个突起310和240的步骤，所述边缘区域e对应于基板s的边缘的底表面，所述介电层200在介电层形成步骤中形成。

突起310和240可以包括至少一个坝部310和多个垂直凸起240，所述至少一个坝部310沿介电层200的顶表面的边缘区域e被设置，所述多个垂直凸起240沿边缘区域e相对于坝部310朝向介电层200的中心被设置在内侧。

为了改进耐用性，优选通过等离子体喷涂法来形成坝部310和垂直凸起240，所述坝部310和垂直凸起240构成了突起310和240。

借助于通过等离子体喷涂法来形成坝部310和垂直凸起240，可确保突起310和240的机械刚性，特别是耐用性。

与上文所述的实施例不同，仅在边缘区域e处(除去介电层200的顶表面的中心区域c)形成突起310和240。

换言之，可以沿边缘区域e的最外侧部分形成多个坝部310，并且多个垂直凸起240可沿边缘区域e相对于坝部310朝向介电层200的中心被设置在内侧。

由此，因为垂直凸起240没有形成在介电层200的顶表面的中心区域c中，所以介电层200和基板s的底表面可以彼此完全接触。

因为基板s在介电层200的顶表面的中心区域c中与介电层200完全地紧密接触，所以希望将坝部310形成为低于垂直凸起240以便防止基板s的底表面暴露于工艺环境或者防止颗粒流进工艺环境中。

与此同时，由于在掩模m与被吸引并固定到静电卡盘10的基板s的顶表面紧密接触的状态下执行基板处理，所以必须确定静电卡盘10是否与被吸引到静电卡盘或掩模m的基板s接触。

为了根据气体的排放的程度检测坝部310与基板s的底表面之间的平面接触的状态，坝部310可被提供有气体排放通道312，气体通过所述气体排放通道312从顶表面排放，所述顶表面与基板s的底表面平面接触。

气流路径312是诸如惰性气体(例如，氦)之类的气体穿过其流向基板s的路径，并允许微量的来自气体供应装置(未图示)的气体通过所述气流路径312排放，所述气体供应装置安装在静电卡盘10或耦合至静电卡盘10的载体框架11上。

此时，因为气体的排放量取决于基板s或掩模m与坝部310的接近程度而细微地变化，所以对气体的排放量的细微变化进行测量以便测量基板s或掩模m的接近程度。

然而，当气流路径312形成且微量的气体流出时，对基板s的卡紧可能变得不稳定。

由此，希望介电层200(所述介电层200通过溶胶-凝胶法形成并与基板s的底表面完全接触)的顶表面的中心区域c被形成为使得中心区域的中心线平均粗糙度ra在1.5a至3.5a的范围内。

与此同时，由于例如反复与基板s的底表面形成接触而引起的磨损，突起310和240使得必须对静电卡盘10执行维护。

特别地，尽管仅突起310和240磨损但要更换整个卡盘10引起了基板生产成本的增加。

因此，根据本公开的另一个方面，如图9中所示，通过在板构件250上形成静电卡盘10的突起310和240中的至少一些突起并随后将板构件在对应位置进行附连，突起310和240的磨损的部分可以由至少一个新的板构件250构成。

突起形成步骤可以包括：在板构件250上形成突起310和240中的至少一些突起的突起-板形成步骤，以及将其上形成有突起310和240中的至少一些突起的板构件250附连至介电层200的顶表面的附连步骤。

当然，突起-板形成步骤是在板构件250上形成突起310和240中的至少一些突起的步骤，且通过等离子体喷涂法来形成突起310和240。

板构件250优选包括陶瓷材料。板构件250可以在板构件250的底表面上粘附或涂覆有粘合剂或者可以由胶带本身组成，从而使得板构件250可容易地附连到陶瓷材料所制成的介电层200。

通过上文所述的板构件250，突起310和240被形成在上文所述的板构件250上并被附连到介电层200的顶表面。因此，当需要对突起310和240进行维护时，足以仅更换板构件250(在所述板构件250上形成有突起310和240)，这有利于静电卡盘10的维护。

与此同时，根据本公开的另一个方面，如图10中所示，形成于介电层200的最上部分上的介电层通过溶胶-凝胶法形成在排除基板s边缘区域e以外的中心区域c中。

此时，介电层200可以包括通过等离子体喷涂形成的第四介电层260，以对应于边缘区域e，在所述边缘区域e处没有介电层形成在介电层200的最上部分上。

在第四介电层260的顶表面上，可通过等离子体喷涂来形成突起310和240。

优选将第四介电层260形成为与形成在介电层200的最上部分上的介电层相同的高度。

形成在介电层200的最上部分上的介电层可以对应于图10中的第三介电层230，但不限于此。

即，当没有形成第三介电层230时，第二介电层220是形成在基板s的最上部分上的介电层，并且第二介电层220形成在排除基板s的边缘区域e以外的中心区域c中。

此时，可以通过溶胶-凝胶法和等离子体喷涂法中的任何一种方法来形成第三介电层230。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种静电卡盘，包括：

基部构件；

多个介电层，所述多个介电层设置于所述基部构件的顶表面上，所述多个介电层中的至少一个介电层通过溶胶-凝胶法由陶瓷材料来形成；以及

多个突起，所述多个突起通过等离子体喷涂法形成在所述介电层的顶表面上，所述多个突起被配置为支撑基板的底表面或者掩模的底表面，

其中所述介电层包括：

第一介电层，所述第一介电层形成在所述基部构件的顶表面上；

第二介电层，所述第二介电层通过所述溶胶-凝胶法形成在所述第一介电层的顶表面的中心区域中；以及

第三介电层，所述第三介电层通过所述等离子体喷涂法形成在所述第一介电层的顶表面的边缘区域中，所述第三介电层具有与所述第二介电层的高度相等的高度。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述多个突起包括坝部，所述坝部沿所述基板或所述掩模的边缘被设置在所述介电层的顶表面上。

3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述多个突起进一步包括垂直凸起，所述垂直凸起被配置为在相对于所述坝部的内侧处与所述基板的底表面形成平面接触或点接触，以及

所述垂直凸起被设置在要与所述基板间隔开的所述介电层的顶表面上，所述垂直凸起被形成为低于所述坝部。

4.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述多个突起进一步包括垂直凸起，所述垂直凸起被配置为在相对于所述坝部的内侧处与所述基板的底表面形成平面接触或点接触，以及

所述垂直凸起沿着所述基板的圆周而设置，所述垂直凸起被形成为高于所述坝部。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，进一步包括：

板构件，所述板构件被可拆卸地设置在所述介电层的顶表面上，以及

所述多个突起中的至少一些突起形成在所述板构件上。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述坝部被形成为使得在所述坝部的顶表面上形成气体排放通道，通过所述气体排放通道来排放气体，所述坝部的顶表面与所述基板的底表面或所述掩模的底表面形成平面接触，以便根据所述气体的排放的程度来检测所述坝部与所述基板的底表面或所述掩模的底表面之间的平面接触的状态。

说明或声明(按照条约第19条的修改)

根据pct条约第19条的修改说明

1.修改说明

权利要求1：已改变权利要求1的类别，并已将权利要求7和8中所描述的内容并入权利要求1。

权利要求2：已利用权利要求3的配置的一部分来替换权利要求2的配置。

权利要求3：已将权利要求4的配置添加至权利要求3的配置的一部分。

权利要求4：已利用权利要求3的配置和图7的内容来替换权利要求4的配置。

权利要求5：已利用第[143]段的内容来替换权利要求5的配置。

权利要求6：已利用权利要求5的配置来替换权利要求6的配置。

权利要求7、8、9和10：已删除权利要求7、8、9和10

2.修改对说明书的影响

已在独立权利要求1中描述了修改之前的权利要求7和8中所述的公开文本的内容，并且已重新排列整体权利要求。

最后，已修改整体权利要求，使得可以确认创造性。