含有铵自由基阳离子的有机发光二极管的制作方法

a.yamamori等人于《应用物理学快报(appliedphysicsletters)》，第72卷，第2147-2149页(1998)中描述含有基质聚碳酸酯聚合物和不共价键结至基质聚合物的掺杂剂分子三(4-溴乙基)铵六氯锑酸盐(tbaha)的空穴传输层。认为在掺杂剂不键结的此类层中，掺杂剂易迁移至光电装置的其它层，如发射层。以下为本发明的陈述。本发明的第一方面为一种包括聚合物的组合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(s1)的三芳基铵自由基阳离子：其中r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35中的每一个独立地为h或氚或有机基团，其中r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；且a-为阴离子，其中r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35中的一个或多个共价键结至聚合物。本发明的第二方面为一种有机发光二极管，其包括阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴注入层或空穴传输层或空穴注入层以及空穴传输层或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括如第一方面中所述的聚合物。以下为图式简要说明。图1展示使用本发明组合物制得的oled的一个实施例。以下为本发明的详细描述。如本文所用，除非上下文另作明确指示，否则以下术语具有所指定的定义。如本文所述的术语“烷氧基”是指其中至少一个氢原子经氧原子o取代的烷基。如本文所述的术语“烷基”是指通过自烷基烃分子删除一个氢原子而衍生自烷基烃分子的有机基团。当化学基团在本文中称为“烷基”时，其意味着所述化学基团为烷基。烷基可为直链、分支链、环状或其组合。如本文所用的术语“经取代的烷基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代的烷基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。取代基包含(但不限于)卤基、or′、nr′2、pr′2、p(＝o)r′2、sir′3；其中每个r′独立地为c1-c20烃基。“阳极”将空穴注入至发射层或位于发射层与阳极之间的层，如空穴注入层或空穴传输层中。将阳极安置于衬底上。阳极通常由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物或其组合制成。如本文所述的术语“芳基”是指通过自芳族烃分子删除一个氢原子而衍生自芳族烃分子的有机基团。芳基可为单环和/或稠环系统，其每个环适当地含有5至7个、优选5至6个原子。也包含其中两个或更多个芳基经由单键组合的结构。特定实例包含(但不限于)苯基、甲苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联伸三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基、芴蒽基和其类似基团。萘基可为1-萘基或2-萘基，蒽基可为1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，且芴基可为1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基中的任一个。如本文所用的术语“经取代的芳基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代或包括至少一个经取代或未经取代的烷基的取代基或其任何组合的芳基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。取代基包含(但不限于)卤基、or′、nr′2、pr′2、p(＝o)r′2、sir′3其中每个r′独立地为c1-c20烃基。“经取代的芳基”的此定义适用于任何含有芳族环的基团，如苯基、咔唑基、吲哚基、芴基和联苯基。如本文所述的术语“芳氧基”是指其中至少一个氢原子经氧原子o置换的芳基。如本文所述的术语“胺”是指具有一个或多个胺氮原子的化合物。胺氮原子为作为结构r41nh2、r41r42nh或r41r42r43n的一部分的氮原子，其中r41、r42和r43中的每一个经烷基芳基取代或未经取代。r41、r42和r43可为独立基团，或r41、r42和r43中的任何两个或更多个可彼此连接以形成一个或多个芳环或一个或多个脂环或其组合。胺可恰好具有一个胺氮原子或可具有两个或更多个胺氮原子。具有一个或多个芳环的胺为芳族胺。如本文所用，且本领域的技术人员将理解，术语“阻挡层”意指所述层提供显著抑制一种类型的电荷载流子和/或激子传输通过装置的障壁，而无需表明所述层必定完全阻挡所有电荷载流子和/或激子。装置中存在此类阻挡层可导致相比于缺乏阻挡层的类似装置的较高效率。此外，阻挡层可用于将发射限于oled的所需区域。阻挡层(如果存在)一般存在于发射层的任一侧上。电子阻挡可以不同方式实现，包含例如通过使用lumo能阶显著高于发射层的lumo能阶的阻挡层。lumo能阶的较大差异导致优选电子阻挡特性。适用于阻挡层的材料取决于发射层的材料。主要进行电子阻挡的层为电子阻挡层(ebl)。电子阻挡可在其它层，例如空穴传输层(htl)中发生。空穴阻挡可以不同方式实现，包含例如通过使用homo能阶显著低于发射层的homo能阶的阻挡层。homo能阶的较大差异导致优选空穴阻挡特性。适用于阻挡层的材料取决于发射层的材料。主要进行空穴阻挡的层为空穴阻挡层(hbl)。空穴阻挡可发生于其它层，例如电子传输层(etl)中。阻挡层也可用于通过使用三重态能阶显著高于eml掺杂剂或eml主体的三重态能阶的阻挡层而阻止激子扩散出发射层。适用于阻挡层的材料取决于发射层的组成。“阴极”将电子注入至发射层或位于发射层与阴极之间的层，如电子注入层或电子传输层。阴极通常由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物或其组合制成。“掺杂剂”和类似术语是指以按层重量计的相对较小量，通常10重量％或更小存在于层中的材料。掺杂剂通常以统计方式分布在整个层中。呈现掺杂剂以向所述层提供所需电特性。本文中的术语“掺杂剂”是指并非聚合物的分子。“电子注入层”或“eil”和类似术语为改进自阴极注入至电子传输层的电子的注入的层。“电子传输层(或“etl”)”和类似术语是指由展现包含以下的特性的材料制得的层：有效传输自阴极或eil注入的电子的高电子迁移率和将那些电子有利地注入至空穴阻挡层或发射层中。“电子伏特”或“ev”为通过横跨一伏特的电势差移动的单个电子的电荷获得(或损失)的能量的量。“发射层”和类似术语为位于电极(阳极与阴极)之间且作为主发光源的层。发射层通常由主体和发射极组成。主体材料可优先传输空穴或电子或可类似地传输空穴和电子，且可单独或组合使用两种或更多种主体材料。主体材料的光电特性可根据使用的发射极的类型(磷光或荧光)而不同。发射极为经历激发态的辐射发射的材料。激发态可例如通过发射极分子上的电荷或通过自另一分子的激发态的能量转移而产生。如本文所述的术语“杂烷基”是指其中至少一个碳原子或ch基团或ch2经杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的烷基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。杂烷基可为直链、分支链、环状或其组合。如本文所用的术语“经取代的杂烷基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代的杂烷基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。取代基包含(但不限于)卤基、or″、nr″2、pr″2、p(＝o)r″2、sir″3；其中每个r″独立地为c1-c20烃基。如本文所述的术语“杂芳基”是指其中芳族环的至少一个碳原子或ch基团或ch2经杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团置换的芳基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。杂芳基可为5员或6员单环杂芳基或多环杂芳基，其与一个或多个苯环稠合，且可部分饱和。也包含一个或多个杂芳基经由单键键结的结构。杂芳基可包含二价芳基，其杂原子经氧化或四级化以形成n-氧化物、四级盐或其类似物。如本文所用的术语“经取代的杂芳基”是指其中至少一个氢原子经由未经取代的烷基、经取代的烷基、至少一个杂原子和其任何组合构成的取代基取代的杂芳基。杂原子包含(但不限于)o、n、p和s。取代基包含(但不限于)卤基、or′、nr′2、pr′2、p(＝o)r′2、sir′3；其中每个r′独立地为c1-c20烃基。“杂原子”为除碳或氢以外的原子。杂原子的非限制性实例包含：f、cl、br、n、o、p、b、s、si、sb、al、sn、as、se和ge。“空穴注入层”或“hil”和类似术语为将空穴从阳极有效地传输或注入至发射层、电子阻挡层或更通常空穴传输层中的层。多个空穴注入层可用于实现自阳极至空穴传输层、电子阻挡层或发射层的空穴注入。“空穴传输层(或“htl”)”和类似术语是指由展现包含以下的特性的材料制得的层：有效传输自阳极或hil注入的空穴的高空穴迁移率和将那些空穴有利地注入至电子阻挡层或发射层中。如本文所用的术语“烃”是指仅含有氢原子和碳原子的化学基团。术语“烃”包含“烃基”，其为具有价数(通常单价)的烃取代基。如本文所用的术语“经取代的烃”(或“经取代的烃基”)是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代的烃(或烃基)。“未经取代的烃”(或“未经取代的烃基”)为不含杂原子的烃。术语“有机基团”是指含有一个或多个碳原子且还含有一个或多个除碳以外的元素的原子的化学基团，所述元素可例如为氢、卤素、氮、氧、硫、磷或另一元素，或其组合。术语“苯基”意指具有结构(s3)的基团：苯基具有与另一分子的单个连接点。连接点在本文中的化学结构基团中以锯齿状线符号(∧∧)指示。在“未经取代的苯基”中，r43至r47中的每一个为氢。在“经取代的苯基”中，r43至r47中的一个或多个为除氢以外的原子或基团。r43至r47中的每一个独立地为氢或经取代或未经取代的烃基。r43至r47中的任何两个或更多个可彼此连接以形成环结构，其可为脂族、芳族或其组合，且其可含有单个环或多个环。r43至r47中的每一个任选地含有一个或多个除碳和氢以外的杂原子。如本文所用的“环结构”为含有三个或更多个彼此共价键结的原子，以该种方式使得至少一个路径可自第一原子沿共价键追踪，经由两个或更多个其它原子，且返回所述第一原子的化学基团。环结构可含有碳、氢、一个或多个除碳和氢外的原子或其组合。环结构可为饱和或不饱和的，包含芳族结构，且环结构可含有一个或两个或更多个环。“衬底”为有机发光装置的支撑物。适用于衬底的材料的非限制性实例包含石英板、玻璃板、金属板、金属箔、来自如聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯和聚砜的聚合树脂的塑料膜。如本文所用，“聚合物”为由较小化学重复单元的反应产物组成的相对大的分子。聚合物可具有直链、分支链、星形、环形、超支化、交联或其组合的结构；聚合物可具有单一类型的重复单元(“均聚物”)或其可具有大于一种类型的重复单元(“共聚物”)。共聚物可具有随机配置、依序配置、嵌段配置、其它配置或其任何混合物或组合的各种类型的重复单元。聚合物分子量可通过凝胶渗透色谱法(gpc)测量。聚合物具有2500da或更大的数目平均分子量。可彼此反应以形成聚合物的重复单元的分子在本文中称为“单体”。由此形成的重复单元在本文中已知为单体的“聚合单元”。各种类型的聚合物通过将单体键结在一起的化学反应定义。乙烯基聚合物由一种单体上的乙烯基与另一单体上的乙烯基反应而产生。乙烯基含有非芳族碳-碳双键。聚氨基甲酸酯由一个单体上的异氰酸酯基与另一单体上的异氰酸酯反应性基团反应而产生；异氰酸酯反应性基团包含羟基(包含水中的oh基团)、胺基和羧基。聚酰胺由一个单体上的羧基与另一单体上的胺基反应而产生。环氧基聚合物由一个单体上的环氧基与另一单体上的羟基反应而产生。聚酯由一个单体上的羧基与另一单体上的羟基反应而产生。另一类型的聚合物为共轭聚合物。共轭聚合物具有作为共轭结构的重复单元。共轭结构包含具有经碳-碳单键彼此连接的芳环的结构；具有通过单键连接至氮原子，转而通过单键连接至另一芳族环的芳族环的结构；具有交替碳-碳双键和碳-碳单键的线性结构；和其组合。重复单元中的共轭结构可具有或可不具有一个或多个自其侧接的取代基。认为重复单元通过sp2杂化的碳-碳单键连接。反应性基团的“互补”对为可在聚合反应中彼此反应的反应性基团对(g1和g2)。反应性基团的一些例示性互补对为如下：g1g2聚合物类型异氰酸酯羟基、胺、羧基或其混合物聚氨基甲酸酯胺羧基聚酰胺环氧基羟基聚环氧基羧基羟基聚酯标记g1和g2可交换。在一些聚合中，单一单体具有g1和g2基团，且此类单体的分子的集合可形成聚合物链。在其它聚合中，一个单体具有两个g1基团且另一单体具有两个g2基团。此两个单体的混合物可反应以形成聚合物。如本文所用，“溶液方法”为用于向衬底涂覆材料或材料混合物的层的方法。在溶液方法中，溶液是通过将一种或多种材料溶解于溶剂中，接着将溶液层涂覆至衬底，接着蒸发溶剂而形成。溶液层可通过任何方法形成，包含例如旋涂、狭缝型涂布、微量分配或喷墨法。当比率在本文中称为x∶1或更大时，其意指比率为y∶1，其中y大于或等于x。举例来说，如果比率称为3∶1或更大，则比率可为3∶1或5∶1或100∶1但不可为2∶1。类似地，当比率在本文中称为w∶1或更小时，其意指比率为z∶1，其中z小于或等于w。举例来说，如果比率称为15∶1或更小，则所述比率可为15∶1或10∶1或0.1∶1但不可为20∶1。本发明组合物包括聚合物。可使用多种聚合物组合物中的任一个。一些优选类型的聚合物为乙烯基聚合物、聚氨基甲酸酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚环氧树脂和共轭聚合物。即，聚合物优选含有碳-碳双键，或氨基甲酸酯键，或脲键，或酯键，或酰胺键，或-och2ch(oh)ch2-键；或sp2杂化碳-碳单键的反应产物；更优选碳-碳双键或sp2杂化碳-碳单键的反应产物；更优选碳-碳双键的反应产物。聚合物含有结构(s1)：结构(s1)在本文中称为三芳基铵自由基阳离子。基团r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35在本文中称作“s1r基团”。s1r基团中的每一个独立地选自氢、氚、卤素、胺基、羟基、磺酸酯基、硝基和有机基团。s1r基团中的一个或多个共价键结至聚合物。在一些实施例(在本文中为“环实施例”)中，两个或更多个s1r基团彼此共价键结以形成环结构。在环实施例中，优选为如下的那些，其中(i)彼此键结的s1r基团对在单一芳族环上彼此邻接或(ii)s1r基团对选自以下：r31至r25；r15至r35；和r11至r21。在情况(ii)下，两个键结的s1r基团有可能组合，以该种方式使得经组合s1r基团的单一原子键结至结构(s1)中示出的芳环中的两个。在情况(ii)下的另一可能性为经组合s1r基团不具有原子；此类s1r基团将由将结构(s1)中示出的芳环中的一个上的碳原子连接至结构(s1)中示出的其它芳环中的一个上的碳原子的键组成。每个铵自由基阳离子s1基团与阴离子a-相关联。阴离子a-可为任何组合物。阴离子a-可位于多个位置中的任一个中。举例来说，a-可为共价连接于含有结构(s1)的聚合物的基团，或a-可为独立原子或分子。优选地，a-不共价键结至含有结构(s1)的聚合物。a-可为原子阴离子或分子阴离子。分子阴离子可为二聚物或寡聚物或聚合物或并非二聚物或寡聚物或聚合物的分子。优选地，a-为并非聚合物的分子阴离子。优选阴离子a-为bf4-、pf6-、sbf6-、asf6-、clo4-、结构sa的阴离子、结构ma的阴离子和其混合物。结构sa为其中q为b、al或ga，优选b，且其中y1、y2、y3和y4中的每一个独立地为0至5，意味着存在0至5个r基团(即r61或r62或r63或r64)，其存在于四个出现于结构(sa)中的芳环中的每一个上。结构(sa)中的任何r基团对可彼此相同或彼此不同。结构(sa)中的每个r基团独立地选自氢、氚、卤素、烷基或经卤素取代的烷基。结构(sa)中的任何两个r基团可结合在一起以形成环结构。在具有结构sa的阴离子中，优选为具有一个或多个选自氚、氟和三氟甲基的r基团的那些。结构ma为其中m为b、al或ga，优选al；且r65、r66、r67和r68中的每一个独立地为烷基、芳基、氟芳基或氟烷基。优选地，结构ma具有50个或更少的非氢原子。优选阴离子为bf4-和结构(sa)的阴离子；更优选为结构(sa)的阴离子。在一些适合实施例中，a-具有结构(sa)，其中一个r61基团或一个r62基团或一个r63基团或一个r64基团或其组合具有结构(sa2)：其中r81、r82和r83中的每一个为氢或具有1至20个碳原子的烃基；其中x1为具有1至20个碳原子的亚烷基；其中y1为具有6至20个碳原子的伸烯丙基；其中s1为0或1；其中t1为0或1；且其中(t1+s1)为1或2。在结构(sa2)中，距右侧最远的y1基团键结至结构(sa)的情况下显示的芳族环中的碳原子，其转而键结至q。当结构(sa2)存在时，优选q为硼。优选地，聚合物为乙烯基聚合物。当聚合物为乙烯基聚合物时，s1r基团中的一个或多个含有碳-碳双键与乙烯基聚合反应中的其它碳-碳双键的反应的一个或多个残基。也涵盖聚合物为包含互补反应性基团g1和g2的反应的聚合反应的结果的实施例；在此类实施例中，出现以下情况中的一种：(a)s1r基团中的一个或多个含有g1与g2反应之后的g1的残基，且相同结构(s1)上的s1r基团中的不同一者含有g2与g1反应之后的g2的残基，或(b)一些聚合单元，s1r基团中的两个或更多个各含有g1与g2反应之后的g1的残基，且在其它聚合单元上，s1r基团中的两个或更多个各含有g2与g1反应之后的g2的残基。优选地，s1r基团中的两个或更多个；更优选4个或更多个；更优选6个或更多个；更优选8个或更多个；更优选10个或更多个为氢。在并非氢的s1r基团中，优选为具有50个或更少碳原子的有机基团。优选地，r11、r12、r13、r14和r15中的一个或多个为具有一个或多个芳族基的有机基团。优选地，r21、r22、r23、r24和r25中的一个或多个为具有一个或多个芳族基的有机基团。优选地，r31、r32、r33、r34和r35中的一个或多个为具有一个或多个芳族基的有机基团。优选地，r11、r12、r13、r14和r15中的每一个为氢或烃基。优选地，r21、r22、r23、r24和r25中的每一个为氢或烃基。优选地，r31、r32、r33、r34和r35中的每一个为氢或含有一个或多个杂原子的有机基团；优选杂原子为氮；优选地，杂原子为杂芳族基的一部分。优选地，任何并非氢的s1r基团具有50个或更少的除氢以外的原子。在并非氢的s1r基团中，优选有机基团为以下各者。与结构(s1)的连接点以锯齿状线符号(∧∧)显示。当单一基团具有两个连接点时，所述基团连接至结构(s1)中的芳环中的一个上的两个相邻碳原子。其中r4、r5、r6、r7、r8、r9、r50、r51、r52和r53中的每一个为氢或有机基团。优选地，r5为氢、烷基或含有芳族环的有机基团。一个优选r5为结构(s14)，其中括号中的部分为碳-碳双键与乙烯基聚合反应中的另一碳-碳双键的反应的残基。优选地，n为1或2。优选有机基团具有50个或更少的除氢以外的原子。结构(s14)为如下：其中r54为氢或烷基，优选为氢或c1至c4烷基，优选为氢或甲基，更优选为氢。优选地，r4为烷基(优选甲基)或结构(s5)的基团。在一些实施例中，当r4具有结构s5时，r5为结构(s14)，且r14为氢。优选地，r6为氢。优选地，r7为氢。优选地，r8为氢。在结构(s9)和(s10)中，r9、r50、r51、r52和r53中的每一个优选为氢、烷基或结构(s5)的基团。在结构(s9)和(s10)中，n为0至10；优选0至2的整数。优选地，r11、r12、r14和r15全部为氢。优选地，r21、r22、r24和r25全部为氢。优选地，r31、r34和r35全部为氢。更优选为其中r11、r12、r14、r15、r21、r22、r24、r25、r31、r34和r35全部为氢的实施例(本文中称作“(i)”实施例。也优选的是其中r32和r33在一起具有结构(s6)的实施例(本文中称作“(ii)”实施例)，其中r6优选为氢。在i实施例中，优选为也是ii实施例的那些。在本文中标记为a实施例、b实施例和c实施例的一些优选实施例为如下。在a实施例中，r23为结构(s4)，优选其中r4具有结构(s5)，优选其中r5具有结构(s14)，优选其中r54为氢。在a实施例中，r13优选为结构(s5)，优选其中r5为氢。优选a实施例也是i实施例。在b实施例中，r23为结构(s5)，优选其中r5具有结构(s14)，优选其中r54为氢。在b实施例中，r13优选为结构(s4)，优选其中r4具有结构(s5)，优选其中r5为氢。优选b实施例也是i实施例。在c实施例中，r23为结构(s5)，优选其中r5具有结构(s14)，优选其中r54为氢。在c实施例中，r13优选为结构(s5)，优选其中r5为氢。优选c实施例也是i实施例。在一些优选实施例中，r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35中的一个或多个选自经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的吲哚基、经取代或未经取代的芴基或经取代或未经取代的联苯基。在一些优选实施例中，结构(s1)具有结构(s201)：其中a、s4、s5和s12如上文所定义。指数m为0或1。指数u为0至3，且其表示具有下标u的圆括号中的0至3个基团可连接至氮原子。每个s5基团具有连接至其的r5基团。在这些实施例中，r5为h或苯乙烯基或乙烯基。如果u为2或3，则各个r8基团中的每一个独立于其它r8基团而选择。指数v为0至3，且其表示0至3个(s12)基团可连接至氮原子。指数w为0至3，且其表示0至3个方括号中的基团可连接至氮原子。每个s4基团具有连接至其的r4基团。在这些实施例中，r4为h或苯乙烯基或乙烯基。如果w为2或3，则各个r4基团中的每一个独立于其它r4基团而选择。另外，(u+v+w)＝3。优选地，除结构(s1)以外，聚合物含有一个或多个具有结构(s2)的三芳基胺结构：r11a、r12a、r13a、r14a、r15a、r21a、r22a、r23a、r24a、r25a、r31a、r32a、r33a、r34a和r35a的适合和优选结构与关于结构(s2)中的r11、r12、r13、r14、r15、r21、r22、r23、r24、r25、r31、r32、r33、r34和r35在上文所述的那些相同。基团r11a、r12a、r13a、r14a、r15a、r21a、r22a、r23a、r24a、r25a、r31a、r32a、r33a、r34a和r35a在本文中称为s2r基团。每个s2r基团具有格式rija的标记且在本文中据称对应于具有格式rij的标记且具有相同i和j值的s1r基团。举例来说，s2中的r31a据称对应于s1中的r31。每个s2r基团可或可不与对应s1r基团相同。在一些实施例中，一个或多个s2r基团不同于其对应s1r基团。优选地，聚合物含有一个或多个s2基团，其中每一s2r基团与对应s1r基团相同。以下为适合s2结构的列表(“列表a”)。应注意，列表a中的每种结构含有连接至三个芳环的氮原子(“三芳基”氮)。预期列表a中的每种结构中的三芳基氮原子可经氧化以形成铵自由基阳离子，因此形成对应于列表a中示出的s2结构的适合s1结构。列表a为如下：优选地，在本发明的聚合物中，s2基团与s1基团的摩尔比为999∶1或更低；更优选500∶1或更低；更优选99∶1或更低；更优选50∶1或更低；更优选20∶1或更低。优选地，在本发明的聚合物中，s2基团与s1基团的摩尔比为0.001：或更大；更优选为2∶1或更大；更优选为3.5∶1或更大；更优选为5.5∶1或更大。本发明的聚合物的数目平均分子量优选为2,500da或更高；更优选为5,000da或更高，更优选为10,000da或更高；更优选为20,000da或更高；更优选为40,000da或更高；更优选为60,000da或更高。本发明的聚合物的数目平均分子量优选为500,000da或更低；更优选为300,000da或更低；更优选为150,000da或更低。在一些实施例中，本发明组合物含有上文所述的聚合物和一种或多种不含结构s1的额外聚合物。在一些实施例中，组合物含有一种或多种不含结构s1且不含结构s2的聚合物。如果存在任何此类额外聚合物，则额外聚合物优选与含有结构s1的聚合物为相同类型的聚合物。优选地，如通过按固体重量计的液相色谱/质谱(lc/ms)所测量，本发明的聚合物的纯度为至少99％，更优选为至少99.5％，更优选为至少99.7％。优选地，本发明的调配物含有不超过10ppm，优选不超过5ppm重量的金属。本发明的聚合物可通过任何方法制得。一种方法为聚合一种或多种含有结构s1的单体，任选地连同一种或多种其它单体。优选方法为首先聚合一种或多种含有结构s2的单体，任选地连同一种或多种其它单体，且接着使所得聚合物经受将聚合物中的结构s2中的一些或全部转化为结构s1的化学反应。将结构s2中的一些或全部转化为结构s1的优选方法为使含有结构s2的聚合物与一种或多种氧化剂反应。预期与氧化剂的反应如反应x1中所示地进行：其中为氧化剂，xθ为阴离子，且与s1相同。优选地，与s2的摩尔比为25∶1或更低；更优选20∶1或更低；更优选15∶1或更低。优选地，与s2的摩尔比为2∶1或更大；更优选4∶1或更大；更优选8∶1或更大。优选氧化剂为含有ag(i)离子(即具有+1价的银离子)的化合物和含有亚硝离子的化合物。在含有ag(i)离子的化合物中，优选为ag(i)四(五氟苯基)硼酸盐。在含有亚硝离子的化合物中，优选为nobf4。在一些实施例中，为鎓化合物。优选地，在有机溶剂中进行聚合物与氧化剂之间的反应。当氧化剂为含有ag(i)离子的化合物时，溶剂优选含有一个或多个芳环；芳族环更优选不具有杂原子；溶剂更优选含有一个或多个并非位于芳族环内的杂原子；溶剂更优选为苯甲醚。当氧化剂为含有亚硝离子的化合物时，优选溶剂不含芳族环；更优选为含有一个或多个杂原子的非芳族溶剂；更优选为乙腈、二氯甲烷和其混合物。聚合物可通过任何聚合方法制得。在优选聚合方法(“乙烯基聚合”)中，提供含有结构s2且还含有一个或多个乙烯基的第一单体。优选乙烯基具有结构(s15)其中r54为氢或烷基，优选为氢或甲基，更优选为氢。优选地，结构s15中示出的连接点连接至芳族环中的碳原子。第一单体可任选地与含有乙烯基的额外单体混合，且这些额外单体可含有或可不含有不同于第一单体中的s2基团的结构s2。优选地，第一单体每分子含有恰好一个乙烯基。任选地，任何额外单体中的一个或多个可为每分子含有两个或更多个乙烯基的单体。在乙烯基聚合中，各种乙烯基参与聚合反应以形成乙烯基聚合物。乙烯基聚合可通过自由基聚合或通过一种或多种其它机制；优选通过自由基聚合进行。优选地，在聚合之后，s2基团中的一些或全部通过氧化反应转化为s1基团。也预期不同于乙烯基聚合的其它聚合方法。此类方法中优选的为涉及彼此反应的互补反应性基团g1和g2的聚合方法(“g1/g2”方法)。在一些实施例中，提供每分子具有两个或更多个g1基团的一次单体，且一次单体与每分子具有两个或更多个g2基团的二次单体混合，且一次和二次单体中的一个或两个具有s2基团。接着，当g1和g2基团彼此反应时，形成聚合物。在其它实施例中，提供具有g1基团、g2基团和s2基团的单体。接着，当g1和g2基团彼此反应时，形成聚合物。在g1/g2方法中，可任选地存在额外单体。优选地，在g1/g2方法中，在聚合之后，s2基团中的一些或全部通过氧化反应转化为s1基团。优选地，本发明的聚合物以薄层形式存在于衬底上。膜优选通过溶液程序，优选通过旋涂或通过喷墨法形成于衬底上。当制得溶液以用于在衬底上涂布聚合物时，溶剂优选具有如通过气相色谱-质谱(gc/ms)所测量的至少99.8重量％、优选至少99.9重量％的纯度。优选地，溶剂具有小于1.2、更优选小于1.0的red值(相对能量差(相对于聚合物)，如使用chemcompv2.8.50223.1计算自汉森溶解度参数(hansensolubilityparameter))。优选溶剂包含芳族烃和芳族-脂族醚，优选为具有六至二十个碳原子的那些。苯甲醚、均三甲苯、二甲苯和甲苯为尤其优选溶剂。优选地，根据本发明产生的聚合物膜的厚度为1nm至100微米，优选为至少10nm，优选为至少30nm，优选不大于10微米，优选不大于1微米，优选不大于300nm。当已通过旋涂产生膜时，旋涂膜厚度主要通过溶液中的固体含量和旋转速率测定。举例来说，在2000rpm旋转速率下，2、5、8和10重量％聚合物调配的溶液分别产生30、90、160和220nm的膜厚度。优选地，湿膜在烘烤和退火之后收缩5％或更少。本发明组合物可用于任何目的。本发明组合物优选用于有机发光二极管(oled)的一个或多个层中。oled含有阳极、发射层和阴极。oled任选地含有一个或多个额外层。优选地，oled以如下顺序含有以下彼此接触的层：衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极。优选地，oled含有电子阻挡层oled的实施例展示于图1中。衬底1涂布有阳极层2。阳极层优选为导电的。阳极层2与任选的空穴注入层(hil)3接触。其它层依序为：空穴传输层(htl)4、任选的电子阻挡层(ebl)5、发射层6、任选的空穴阻挡层(hbl)7、电子传输层(etl)8、任选的电子注入层(eil)9和阴极12。阴极优选为导电的。当期望oled产生发射光时，电压源10经由导体11连接至oled，如图1中所展示。优选施加电压以使得阴极相对于阳极处于负电压下。常用衬底材料为玻璃。也适合的是由除玻璃以外的物质制成的透明衬底，包含由除玻璃以外的物质制成的可挠性衬底。优选阳极层为掺杂锡的氧化铟(ito)。优选空穴注入层含有一种或多种本发明的聚合物组合物。优选地，发射层包括一个或多个主体和一个或多个发射极。优选主体为芳胺。优选发射极为磷光发射极。优选电子注入层包括一种或多种有机金属化合物；更优选为一种或多种金属喹啉盐；更优选为喹啉锂。优选阴极材料为金属。也涵盖其中如玻璃的透明层(图1中未示出)存在于阴极12的顶部上的实施例；在此类实施例中，衬底1可为或可不为透明的。本发明组合物将存在于空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、空穴注入层以及空穴传输层或充当空穴注入层以及空穴传输层的双功能层(hitl)中。优选为其中本发明组合物存在于hitl中的实施例。优选地，所有含有本发明组合物的层位于阳极与发射层之间。在一些实施例(本文中为“梯度”实施例)中，oled含有“梯度层”，其位于阳极与发射层之间，含有本发明组合物，且具有在整个层厚度中不均一的s1基团浓度。由于以自最接近阳极的部分向最接近发射层的部分的顺序检查梯度层的部分，s1基团的浓度可或可不单调地变化。举例来说，s1基团的浓度可单调地增加、可单调地减少、可显示最小值、可显示最大值或其某一组合。s1的浓度可通过任何量度评估，包含例如聚合物的每体积单位的s1基团数目，或每质量单位的s1基团数目。在梯度层中，优选地，最接近阳极的梯度层部分中的s1基团的浓度高于最接近发射层的梯度层部分中的浓度。s1基团的浓度可逐渐或以急剧步骤或以某一其它方式变化。优选地，由于以自最接近阳极的部分至最接近发射层的部分依序检查梯度层的部分，在每一部分处，s1基团的浓度等于或小于前一部分中的s1基团的浓度。梯度层可通过多步法构建，或梯度层可以产生s1基团的体积浓度梯度的某一其它方式构建。优选地，最接近阳极的梯度层部分中的s1基团的浓度与最接近发射层的梯度层部分中的s1基团的浓度的比率高于1∶1；或1.1∶1或更高；或1.5∶1或更高；或2∶1或更高；或5∶1或更高。在s1基团和s2基团均存在于梯度层中的实施例中，表征s2基团与s1基团的摩尔比为有用的。在最接近阳极的梯度层部分中，s2基团与s1基团的摩尔比在本文中定义为mra∶1。优选地，mra为1至9。在最接近发射层的梯度层部分中，s2基团与s1基团的摩尔比定义为mre∶1。优选地，mre为大于9至999。优选地，mra小于mre。优选地，mra与mre的比率小于1∶1；更优选为0.9∶1或更小；更优选为0.67∶1或更小；更优选为0.5∶1或更小；更优选为0.2∶1或更小。预期本发明的益处为s1基团由于键结至聚合物而抵抗迁移。oled有时经受高温，例如在处理期间和在延长使用期间。在这些条件下，在本发明之前，oled将通常具有依赖于非聚合掺杂剂而提供电特性的hil和/或htl。此类非聚合掺杂剂可尤其在暴露于高温时迁移，且迁移可破坏oled的功能。相比之下，预期本发明的oled将具有依赖于含s1的聚合物以提供电特性的hil和/或htl。由于聚合物将抵抗迁移，预期本发明的oled抵抗由可损害先前已知oled的迁移所致的功能缺失。优选地，含有本发明组合物的oled层对通过溶剂的溶解具抗性(耐溶剂性有时称作“溶剂正交性”)。耐溶剂性为有用的，因为在制造含有本发明的组合物的oled层之后，后续层可涂覆至含有本发明组合物的层。在许多情况下，后续层将通过溶液程序涂覆。期望后续溶液程序中的溶剂不溶解或显著降解含有本发明组合物的层。使用以下实例中所述的“条带测试(striptest)”评估耐溶剂性。当本发明组合物存在于hil中时，优选地，hil层将由溶液程序形成。后续层可涂覆至hil；后续层通常为htl。htl可例如通过蒸发过程(通常在htl由小分子组成且不含聚合物时使用)或溶液程序(通常在htl含有一种或多种聚合物时使用)涂覆。如果htl通过溶液程序涂覆，则优选地，hil对用于溶液程序以涂覆htl的溶剂具抗性。当本发明组合物存在于htl中时，优选地，htl层将由溶液程序形成。后续层可涂覆至hil；后续层通常为发射层。发射层可例如通过蒸发过程(通常在发射层由小分子组成且不含聚合物时使用)或溶液程序(通常在发射层含有一种或多种聚合物时使用)涂覆。如果发射层通过溶液程序涂覆，则优选地，htl对溶解于用于溶液程序以涂覆发射层的溶剂具抗性。当本发明组合物存在于hitl中时，预期hitl与一侧上的任选的额外空穴注入层或阳极和另一侧上的发射层或任选的电子阻挡层接触。当使用hitl时，任何额外hil或htl并非必需存在于oled中。当含有本发明组合物的层使用溶液程序涂覆至衬底时，优选如下进行溶液程序。优选地，形成含有溶解于溶剂中的本发明聚合物的溶液。优选地，接着将溶液的层涂覆至衬底(衬底优选为oled的阳极或前一层)，且蒸发溶剂或使其蒸发以制造薄膜。优选地，薄膜接着加热至170℃或更高、更优选180℃或更高、更优选200℃或更高的温度。优选地，暴露于热气氛的持续时间为2分钟或更久；更优选为5分钟或更久。优选地，气氛为惰性的；更优选地，气氛含有1重量％或更少氧气；更优选地，气氛含有99重量％或更多氮气。以下为本发明的实例。制备实例1：合成单体s101的概述：制备实例2：合成3-(3-(4-([1，1′-联苯]-4-基(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)氨基)苯基)-9h-咔唑-9-基)苯甲醛：圆底烧瓶以咔唑(9.10g，15.1mmol，1.0当量)、3-溴苯甲醛(2.11ml，18.1mmol，1.2当量)、cui(0.575g，3.02mmol，0.2当量)、碳酸钾(6.26g，45.3mmol，3.0当量)和18-冠醚-6(399mg，10摩尔％)填充。烧瓶用氮气冲洗且连接至回流冷凝器。添加55ml干燥、经脱气的1，2-二氯苯，且将混合物加热至180℃后维持过夜。在14小时之后仅注意到部分转化。添加额外2.1ml的3-溴苯甲醛，且再连续加热24小时。溶液经冷却和过滤以去除固体。浓缩滤液且吸附至二氧化硅上以通过色谱(0至60％二氯甲烷/己烷)纯化，其得到呈淡黄色固体状的产物(8.15g，74％)。1hnmr(500mhz，cdcl3)δ10.13(s，1h)，8.39-8.32(m，1h)，8.20(dd，j＝7.8，1.0hz，1h)，8.13(t，j＝1.9hz，1h)，7.99(d，j＝7.5hz，1h)，7.91-7.86(m，1h)，7.80(t，j＝7.7hz，1h)，7.70-7.58(m，7h)，7.56-7.50(m，2h)，7.47-7.37(m，6h)，7.36-7.22(m，9h)，7.14(ddd，j＝8.2，2.1，0.7hz，1h)，1.46(s，6h)。13cnmr(126mhz，cdcl3)δ191.24，155.15，153.57，147.22，146.99，146.60，140.93，140.60，139.75，138.93，138.84，138.17，136.07，135.13，134.42，133.53，132.74，130.75，128.75，128.49，127.97，127.79，127.58，126.97，126.82，126.64，126.51，126.36，125.36，124.47，124.20，123.94，123.77，123.60，122.47，120.68，120.60，120.54，119.45，118.88，118.48，109.71，109.58，46.88，27.12。制备实例3：合成n-([1，1′-联苯]-4-基)-9，9-二甲基-n-(4-(9-(3-乙烯基苯基)-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺(s101)。在氮气层下，以甲基三苯基溴化鏻(14.14g，39.58mmol，2.00当量)和80ml无水thf填充圆底烧瓶。一次性添加叔丁醇钾(5.55g，49.48mmol，2.50当量)，且搅拌混合物15分钟。将来自制备实例2的醛(13.99g，19.79mmol，1.00当量)添加于8ml无水thf中。在室温下搅拌浆液过夜。用二氯甲烷稀释溶液，且过滤通过二氧化硅塞子。用几部分的二氯甲烷冲洗衬垫。将滤液吸附至二氧化硅上且通过色谱纯化两次(10至30％二氯甲烷/己烷)，其得到呈白色固体状的产物(9.66g，67％)通过逆相色谱将纯度升高至99.7％。1hnmr(400mhz，cdcl3)δ8.35(d，j＝1.7hz，1h)，8.18(dt，j＝7.7，1.0hz，1h)，7.68-7.39(m，19h)，7.34-7.23(m，9h)，7.14(dd，j＝8.1，2.1hz，1h)，6.79(dd，j＝17.6，10.9hz，1h)，5.82(d，j＝17.6hz，1h)，5.34(d，j＝10.8hz，1h)，1.45(s，6h)。13cnmr(101mhz，cdcl3)δ155.13，153.57，147.26，147.03，146.44，141.29，140.61，140.13，139.55，138.95，137.99，136.36，135.98，135.06，134.36，132.96，130.03，128.74，127.97，127.77，126.96，126.79，126.63，126.49，126.31，126.11，125.34，125.16，124.67，124.54，123.90，123.55，123.49，122.46，120.67，120.36，120.06，119.44，118.83，118.33，115.27，110.01，109.90，46.87，27.12。制备实例4：自由基聚合方案在手套箱中，将s101单体(1.00当量)溶解于苯甲醚(电子级，0.25m)中。将混合物加热至70℃，且注射aibn溶液(0.20m于甲苯中，5摩尔％)。搅拌混合物直至单体完全消耗，至少24小时(可添加2.5摩尔％部分的aibn溶液以完成转化)。聚合物用甲醇(苯甲醚的10×体积)沉淀且通过过滤分离。用额外部分的甲醇冲洗经过滤固体。经过滤固体再溶解于苯甲醚中且再重复沉淀/过滤工序两次。经分离固体在50℃下置于真空烘箱中过夜以去除溶剂。制备实例5：测量聚合物的分子量如下进行凝胶渗透色谱(gpc)研究。将2mghtl聚合物溶解于1mlthf中。溶液经由0.2μm聚四氟乙烯(ptfe)针筒过滤器过滤且将50滤液注射至gpc系统上。使用以下分析条件：泵：waterstme2695separationsmodules，在1.0ml/min的标称流速下；洗脱剂：fisherscientifichplc级thf(稳定)；注射器：waterse2695separationsmodules；管柱：两个5μm混合-c管柱，来自polymerlaboratoriesinc.，保持在40℃下；检测器：shodexri-201差示折射率(dri)检测器；校准：17聚苯乙烯标准材料，来自polymerlaboratoriesinc.，拟合于3,742kg/mol至0.58kg/mol范围内的3阶多项式曲线。单体mnmwmzmz+1mw/mns10123,413da88,953da176,978da266,718da3.799实例6：聚合物的氧化在手套箱中，将如制备实例4中制得的htl聚合物溶解于苯甲醚(每克聚合物14ml)中，且一次性添加氧化剂(ag(i)四(五氟苯基)硼酸盐，如《无机化学(inorg.chem.)》2012，51，2737-2746中所述)。在环境温度(大致23℃下搅拌24小时之后，溶液经由0.2μm针筒过滤器过滤。材料可用于溶液中，或聚合物可通过添加过量甲醇而沉淀。各种聚合物使用各种量的氧化剂如下地制得：可用于使聚合物氧化的替代方法为如下。在手套箱中，圆底烧瓶可以htl聚合物和二氯甲烷(每克聚合物50ml)填充。将缓慢添加当量的乙腈，确保不出现衬底的沉淀。将逐滴添加nobf4(0.0642m于乙腈中，0.1当量)，其将使溶液变为深绿色。将使混合物向环境手套箱气氛开放地搅拌30分钟。溶剂将通过真空泵去除。制备实例7：实验程序制备htl溶液调配物：将htl聚合物固体粉末直接溶解于苯甲醚中以制造2重量％储备溶液。溶液在80℃下于n2中搅拌5至10min以完全溶解。所得调配物溶液经由0.2μmptfe针筒过滤器过滤，随后沉积至si晶片上。制备聚合物膜：si晶片在使用之前通过uv-臭氧预处理2至4min。将几滴以上经过滤调配物溶液沉积至经预处理的si晶片上。薄膜通过在500rpm下旋涂5s且接着在2000rpm下旋涂30s而获得。所得膜接着转移至n2吹扫箱中。“湿”膜在100℃下预烘烤1min以去除大部分的残余苯甲醚。随后，膜在160℃与220℃之间的温度下持续10min与30min之间的时间进行热交联(下文详述)。如下进行对于热退火聚合物膜的条带测试。使用m-2000d椭偏仪(j.a.woollamco.，inc.)来测量热交联htl膜的“初始”厚度。接着，将几滴邻二甲苯或苯甲醚添加至膜上以形成覆液。在90s之后，溶剂持续30s以3500rpm抛出。紧接着使用椭偏仪来测量膜的“条带”厚度。膜接着转移至n2吹扫箱中，接着在100℃下后烘烤1min以去除膜制造任何溶胀溶剂。使用椭偏仪来测量“最终”厚度。使用柯西关系式(cauchyrelationship)测定膜厚度且在1cm×1cm区域中经3×3＝9个点取平均值。对于完全耐溶剂膜，条带测试之后的总膜损失(“最终”-“初始”)应＜1nm，优选＜0.5nm。实例8：使用邻二甲苯的条带测试如上文所述地制得和剥离膜。膜在150℃和180℃下退火20分钟或在205℃和220℃下退火10分钟。结果如下：在高于150℃的温度下退火改进聚合物对通过邻二甲苯剥离的抗性。本发明聚合物p(s101)-10当在180℃和更高温度下退火时对通过邻二甲苯的剥离具抗性。制备实例9：合成s102和s103使用与制备实例1-4类似的方法，合成以下单体：遵循制备实例4中的程序，形成均聚物p(s102)和p(s103)。遵循制备实例6中的程序，使用0.10当量氧化剂，形成具有铵自由基阳离子的部分氧化聚合物p(s102)-10和p(s103)-10。氧化剂为(ag(i)四(五氟苯基)硼酸盐。实例10：计算轨道能如下计算轨道能。使用密度泛函理论(dft)以杂化泛函(b3lyp)和6-31g*基组计算分子的基态(s0)配置。对于这些闭壳系统(即中性分子)，使用限制性方法进行计算，而对于自由基阳离子(含有不成对电子的开壳系统)，使用不受限制的方法进行计算。homo(最高占用分子轨道)、sumo(自由基阳离子的单个未占据分子轨道)和lumo(自由基阳离子的下个未占据分子轨道)的能量获自中性分子和自由基阳离子的基态几何结构。进行对这些几何结构的振动分析且不具有假想频率帮助确定位能表面(pes)上的最小值。所有计算使用g09程序组进行，如frisch，m.j.t.，g.w.；schlegel，h.b.；scuseria，g.e.；robb，m.a.；cheeseman，j.r.；montgomery，jr.，j.a.；vreven，t.；kudin，k.n.；burant，j.c.；millam，j.m.；iyengar，s.s.；tomasi，j.；barone，v.；mennucci，b.；cossi，m.；scalmani，g.；rega，n.；petersson，g.a.；nakatsuji，h.；hada，m.；ehara，m.；toyota，k.；fukuda，r.；hasegawa，j.；ishida，m.；nakajima，t.；honda，y.；kitao，o.；nakai，h.；klene，m.；li，x.；knox，j.e.；hratchian，h.p.；cross，j.b.；bakken，v.；adamo，c.；jaramillo，j.；gomperts，r.；stratmann，r.e.；yazyev，o.；austin，a.j.；cammi，r.；pomelli，c.；ochterski，j.w.；ayala，p.y.；morokuma，k.；voth，g.a.；salvador，p.；dannenberg，j.j.；zakrzewski，v.g.；dapprich，s.；daniels，a.d.；strain，m.c.；farkas，o.；malick，d.k.；rabuck，a.d.；raghavachari，k.；foresman，j.b.；ortiz，j.v.；cui，q.；baboul，a.g.；clifford，s.；cioslowski，j.；stefanov，b.b.；liu，g.；liashenko，a.；piskorz，p.；komaromi，i.；martin，r.l.；fox，d.j.；keith，t.；al-laham，m.a.；peng，c.y.；nanayakkara，a.；challacombe，m.；gill，p.m.w.；johnson，b.；chen，w.；wong，m.w.；gonzalez，c.和pople，j.a；a.02版；gaussianinc.：wallingfordct，2009中所述。轨道能为如下：s101的轨道能分子(1)形式溶剂轨道能量(ev)s101中性苯甲醚homo-4.8s101中性甲苯homo-4.8s101中性苯甲醚lumo-1.0s101中性苯甲醚lumo-1.0s101中性苯甲醚三重态2.6s101中性甲苯三重态2.6s101自由基阳离子苯甲醚sumo-4.9s101自由基阳离子甲苯sumo-5.3s101自由基阳离子硼酸盐苯甲醚sumo-4.6s101自由基阳离子硼酸盐甲苯sumo-4.7s101自由基阳离子苯甲醚lumo-2.1s101自由基阳离子甲苯lumo-2.5s101自由基阳离子硼酸盐苯甲醚lumo-1.8s101自由基阳离子硼酸盐甲苯lumo-1.9(1)对于无乙烯基的s101的核心结构计算轨道能。s103的轨道能分子(2)形式溶剂轨道能量(ev)s103中性苯甲醚homo-4.9s103中性甲苯homo-4.9s103中性苯甲醚lumo-1.0s103中性甲苯lumo-1.0s103中性苯甲醚三重态2.6s103中性甲苯三重态2.6s103自由基阳离子苯甲醚sumo-5.1s103自由基阳离子甲苯sumo-5.51s103自由基阳离子硼酸盐苯甲醚sumo-4.7s103自由基阳离子硼酸盐甲苯sumo-4.9s103自由基阳离子苯甲醚lumo-2.3s103自由基阳离子甲苯lumo-2.7s103自由基阳离子硼酸盐苯甲醚lumo-1.9s103自由基阳离子硼酸盐甲苯lumo-2.1(2)对于无乙烯基的s103的核心结构计算轨道能。在s101和s103两者中，自由基阳离子的sumo轨道能与中性分子的homo轨道能类似。预期此结果意味着当自由基阳离子与中性分子混合时，自由基阳离子将能够充当p型掺杂剂，因此允许混合物充当hil和/或htl。上表中示出的轨道能可用于设计装置架构，包含将特定材料用于hil、htl和ebl。实例11：测试oled装置如下构建oled装置。使用具有像素化锡掺杂的氧化铟(ito)电极(ossilainc.)的玻璃衬底(20mm×15mm)。使用氧等离子体处理ito。对于hil和/或htl，每一聚合物在高温(＜100℃)下分别地溶解于电子级苯甲醚(2％w/w)中以确保完全溶解且穿过0.2μmptfe过滤器。材料通过动态旋涂沉积至层中，借此将20μl溶液分配至旋转衬底上。对于每种材料调节旋转速度(大致2000rpm)以实现大致40nm的膜厚度。使用泡沫拭子，用甲苯去除覆盖电极部分的沉积膜的一部分。装置接着在惰性气氛中在热板上于205℃下退火10分钟。发射层为在主体(9-(4，6-二苯基-2-嘧啶基)-9′-苯基-3，3′-双-9h-咔唑)中具有3摩尔％发射极(三[3-[4-(1，1-二甲基乙基)-2-吡啶基-κn][1，1′-联苯]-4-基-κc]铱)的主体/发射极混合物。如下形成空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)和阴极。作为hbl材料的5-(4-([1，1′-联苯]-3-基)-6-苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-7，7-二苯基-5，7-二氢茚并[2，1-b]咔唑的5nm层通过高真空下的热蒸发，经由有效区荫罩自氧化铝坩埚沉积。作为etl材料的2，4-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1，3，5-三嗪的35nm层通过高真空下的热蒸发，经由有效区荫罩自氧化铝坩埚沉积。喹啉锂(液体)的2nm层通过高真空下的热蒸发，经由阴极荫罩自氧化铝坩埚沉积。铝的100nm层通过高真空下的热蒸发，经由阴极荫罩自石墨坩埚沉积。如下测试oled装置。使用来自ossilainc的订制测试板在n2手套箱内部的未囊封装置上收集电流-电压-照明(jvl)数据。所述板含有呈组合形式的两个组件：1)x100xtralientm精密测试源，和2)智能pv和oled板；这些组分用于在测量电流和光输出时以0.1v的增量经-2v至7v的电压范围测试oled装置。使用注视反应光电二极管来测量光输出，所述光电二极管包含模拟适光眼敏感性的滤光器(centronice系列)。将装置置于板上的测试腔室内部且覆盖有光电二极管组合件。通过智能板组合件内部的一系列弹簧致动金探针对ito电极作出电接点。光电二极管位于ito衬底上方3mm的距离处。自jvl数据确定重要装置参数：包含达到1000cd/m2亮度所需的电压、1000cd/m2处的oled的电流效率(以cd/a计)，和在oled中达到10ma/cm2电流所需的驱动电压。几何因子应用于测量的光电二极管电流以顾及光电二极管与衬底之间的距离(3mm)和相对于衬底上的每一像素的相对定位。加速服务寿命测量涉及在不囊封的情况下，在设定为在n2手套箱内部达到15000cd/m2的绝对亮度的恒定电流下操作oled。起初测量装置的jvl性能。装置电流设定为达到15000cd/m2亮度的所需值且使其操作15分钟的时段。使达到所需驱动电流的电压在整个测试中变化。寿命为相对于起始亮度的15分钟之后的亮度。使用的材料如下：p(s104)＝以下单体的乙烯基均聚物：p(s104)未经氧化且不含铵自由基。测试的结果如下。eff＝1000cd/m2亮度处的效率(较高值为所需的)v1000＝1000cd/m2亮度处的电压(较低值为所需的)v10＝10ma电流处的电压(较低值为所需的)寿命＝100×(实例的寿命)/(实例13-4的寿命)实例13-4、13-5和13-6中的每一个具有充当hil以及htl的单层。所有实例二极管在所有测试中的性能均为可接受的。实例13-4、13-5和13-6显示比所有其它实例更优选的效率。实例13-4、13-5和13-6显示低于其它实例的v1000。在额外测试(未示出)中，显示p(s101)-10、p(s102)-10和p(s103)-10在用作oled中的htl时的性能为可接受的。当前第1页12