切割片的制作方法

本发明涉及一种能够用于半导体晶圆等工件的切割(特别是隐形切割)的切割片。

背景技术：

在由半导体晶圆等工件制造由半导体芯片等片状物形成的加工物时，以往通常进行刀片切割加工，其一边对工件吹附以清洗等为目的的液体，一边使用旋转刀刃将工件切断而得到片状物。但是，近年来逐渐采用能够以干式分割成片状物的隐形切割(注册商标；以下相同)加工(专利文献1)。

例如，专利文献2公开了一种隐形切割法，其将层叠粘着片(层叠两层由基材与粘着剂层形成的粘着片而成的片)贴附于极薄的半导体晶圆，从层叠粘着片侧隔着层叠粘着片对半导体晶圆照射激光，并在半导体晶圆的内部形成改性部之后，通过将粘着片扩张，从而沿着切割线将半导体晶圆分割，以生产半导体芯片。

此外，专利文献3公开了一种用于隐形切割法的切割片。对于该切割片的基材，为了提高激光的透射性，将被激光照射的面的算术平均粗糙度(ra)设定为0.1μm以下。并且，专利文献3中记载了该算术平均粗糙度(ra)越小越好。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3762409号公报

专利文献2：日本特开2007-123404号公报

专利文献3：日本专利第5583724号公报

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题

在如上所述的隐形切割法中，预先对半导体晶圆附加切割线及对准标记。用于隐形切割的激光切割机通过摄影机(例如红外线摄影机)以高倍率拍摄该对准标记，并基于该数据进行读入切割线的对准动作。然后，对所读入的切割线照射激光。因此，要求切割片具有能够使摄影机正确地拍摄对准标记的光线透射性。

然而，如专利文献3的切割片那样，将为基材的膜的算术平均粗糙度(ra)设定为0.1μm以下时，摄影机难以以高精度拍摄对准标记(在后文中说明理由)，因此，难以正确地进行对准动作、隐形切割的加工性有时会降低。

本发明是鉴于上述的实际情况而进行的，其目的在于提供一种具有适合工件的高倍率摄像的光线透射性的切割片。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，第一，本发明提供一种切割片，其至少具备基材与层叠于所述基材的第一面侧的粘着剂层，其特征在于，所述基材的第二面的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，并且所述基材的第二面的最大高度粗糙度(rz)为3μm以下(发明1)。另外，在本说明书中，“片”包含胶带的概念。

根据上述发明(发明1)，使用摄影机从基材的第二面侧透过该切割片来拍摄工件时，由于光线透过切割片而不被基材的第二面的凹凸扰乱，因此工件的影像能够正确地传达至摄影机，能够以高精度进行高倍率摄像。

在上述发明(发明1)中，优选所述基材的雾度值为15％以下(发明2)。

在上述发明(发明1、2)中，优选所述基材为由聚烯烃构成的树脂膜(发明3)。

上述发明(发明1～3)的切割片优选用于隐形切割(发明4)。

上述发明(发明1～4)的切割片优选用于包含从所述基材的第二面侧拍摄位于所述基材的第一面侧的工件的动作的用途(发明5)。

发明效果

本发明的切割片具有适合工件的高倍率摄像的光线透射性。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的切割片的剖面图。

图2是显示本发明的一个实施方式的切割片的使用例的剖面图，具体而言，是显示层叠结构体的剖面图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。

图1是本发明的一个实施方式的切割片的剖面图。如图1所示，本实施方式的切割片1具备基材2、层叠于基材2的第一面侧(图1中为上侧)的粘着剂层3以及层叠于粘着剂层3的剥离片6而构成。剥离片6在使用切割片1时被剥离去除，在此之前保护粘着剂层3，其也可从本实施方式的切割片1中省略。在此，将基材2的粘着剂层3侧的面称为“第一面”，将其相反侧的面(图1中为下面)称为“第二面”。

作为一个例子，本实施方式的切割片1在切割加工作为工件的半导体晶圆或玻璃基板时，用于支撑工件，但是不被此限定。

本实施方式的切割片1通常形成为长条，并且被卷取为卷状，以卷对卷(rolltoroll)的方式得到使用。

1.基材

(1)物性

(1-1)平均粗糙度

基材2的第二面(以下有时称为“基材2的背面”)的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，并且最大高度粗糙度(rz)为3μm以下。该算术平均粗糙度(ra1)及最大高度粗糙度(rz)基于ansi/asmeb46.1而测定，测定方法的细节如后述试验例所示。

通常，由于算术平均粗糙度(ra)越小，表面越平滑，因此认为光线透射性变高。但是欲减少算术平均粗糙度(ra)时，在制膜树脂膜时变得容易卷入空气(气泡)，致使在制膜形成的树脂膜的一部分形成气泡痕迹。其结果，即便算术平均粗糙度(ra)自身变小，最大高度粗糙度(rz)变大的倾向也强。若在构成基材的树脂膜中存在如上所述的气泡痕迹，则该气泡痕迹妨碍光线的透射。因此，在使用摄影机从基材的背面侧透过该树脂膜拍摄工件时，摄影机难以以高精度拍摄对准标记。

在本实施方式中，通过使基材2的背面的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，并且使最大高度粗糙度(rz)为3μm以下，由于使用摄影机从基材2的背面侧透过该切割片拍摄工件时，光线透过切割片1而不被基材2背面的凹凸扰乱，因此工件的影像能够正确地传达至摄影机，能够以高精度进行高倍率摄像。由此，能够正确地进行对准动作，能够提升切割、特别是隐形切割的加工性。

基材2的背面的算术平均粗糙度(ra)的下限值如上所述为0.01μm以上，优选为0.05μm以上，特别优选为0.1μm以上。算术平均粗糙度(ra)小于0.01μm时，难以使最大高度粗糙度(rz)为3μm以下。另一方面，基材2的背面的算术平均粗糙度(ra)的上限值如上所述为0.5μm以下，优选为0.4μm以下，特别优选为0.3μm以下。算术平均粗糙度(ra)大于0.5μm时，基材2的背面的凹凸妨碍光线透射。

此外，基材2的背面的最大高度粗糙度(rz)如上所述为3μm以下，优选为2.5μm以下，特别优选为2μm以下。最大高度粗糙度(rz)大于3μm时，基材2的背面的凹凸妨碍光线透射。另一方面，基材2的背面的最大高度粗糙度(rz)的下限值没有特别限定，但就膜的制膜方法而言，通常为0.01μm以上。

由于基材2的第一面(以下有时称为“基材2的正面”)上层叠有粘着剂层3，基材2的正面的凹凸能够被粘着剂层3填埋，因此基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)没有特别限定。但是，这些值太大时，由于也可能有无法通过粘着剂层3来填埋基材2的正面的凹凸的情况，因此基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)的上限值优选为2.5μm以下。基材2的正面的算术平均粗糙度(ra)的下限值没有特别限定，但就膜的制膜方法而言，通常为0.01μm以上。此外，基于上述的理由，基材2的正面的最大高度粗糙度(rz)的上限值优选为2.5μm以下。此外，基材2的正面的最大高度粗糙度(rz)的下限值没有特别限定，但就膜的制膜方法而言，通常为0.01μm以上。

(1-2)雾度值

基材2的雾度值(依据jisk7136：2000所测得的值)优选为15％以下，特别优选为13％以下，进一步优选为10％以下。基材2的雾度值为15％以下时，在使用摄影机从基材2的背面侧透过该切割片拍摄工件时，光线可良好地透过基材2，工件的影像能够更正确地传达至摄影机，能够以更高的精度进行高倍率摄像。

另外，基材2的雾度值的下限值没有特别限定，但通常为0.01％以上，优选为0％。

(1-3)厚度

只要在使用切割片1的各工序中能够适当地发挥功能，则基材2的厚度就没有特别限定，但优选为20～450μm，特别优选为25～400μm，进一步优选为50～350μm。

(2)材料

基材2优选由树脂膜构成。作为构成基材2的树脂膜的具体例，可列举出低密度聚乙烯(ldpe)膜、直链低密度聚乙烯(lldpe)膜、高密度聚乙烯(hdpe)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。此外，也能够使用它们的交联膜、离子聚合物膜之类的改性膜。进一步，也可为将同种或不同种的上述膜多层层叠而成的层叠膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸。其他类似用语也相同。

上述之中，优选聚烯烃类膜，特别优选聚丙烯膜及聚乙烯膜。作为聚丙烯膜，特别优选无规共聚物聚丙烯膜。作为聚乙烯膜，特别优选低密度聚乙烯(ldpe)膜。上述之中，最优选无规共聚物聚丙烯膜。这些树脂膜容易满足上述物性。此外，从扩张性、工件贴附性、芯片剥离性等的角度出发，也优选这些树脂膜。

上述树脂膜出于提升与层叠于其表面的粘着剂层3的密合性的目的，也可根据需要，对一面或两面实施基于氧化法或凹凸化法等的表面处理或者底漆处理。作为上述氧化法，例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，此外，作为凹凸化法，例如可列举出喷砂处理法、溶射处理法等。

另外，基材2也可在上述树脂膜中含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。

(3)制造方法

构成基材2的树脂膜可通过对应于树脂膜种类的制造方法而制造，但主要通过挤出成型的t型模具法进行制造。为了制造具有上述算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)的树脂膜，在对树脂膜进行制膜时必须不使空气(气泡)卷入。例如可通过在减压下、真空下等进行挤出成型，从而抑制该空气的卷入，制造无气泡痕迹的树脂膜。此外，也可通过调节制膜时的冷却辊等各个工序辊的表面粗糙度，制造无气泡痕迹的树脂膜。但是，具有上述算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)的树脂膜的制造方法不被此限定。

2.粘着剂层

本实施方式的切割片1所具备的粘着剂层3可由非能量射线固化性粘着剂构成，也可由能量射线固化性粘着剂构成。作为非能量射线固化性粘着剂，优选具有所需的粘着力及再剥离性的粘着剂，例如可使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸乙酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。其中，优选能够在切割工序等中有效地抑制工件或加工物的脱落的丙烯酸类粘着剂。

另一方面，由于能量射线固化性粘着剂的粘着力因照射能量射线而降低，因此欲使工件或加工物与切割片1分离时，可通过照射能量射线而容易地使其分离。

构成粘着剂层3的能量射线固化性粘着剂可将具有能量射线固化性的聚合物作为主成分，也可将不具有能量射线固化性的聚合物与能量射线固化性的多官能单体和/或寡聚物的混合物作为主成分。

以下，对能量射线固化性粘着剂以具有能量射线固化性的聚合物为主成分的情况进行说明。

具有能量射线固化性的聚合物，优选为在侧链导入了具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(a)(以下有时称为“能量射线固化型聚合物(a)”)。该能量射线固化型聚合物(a)优选通过使具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸类共聚物(a1)与具有同其官能团键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)反应而得到。

丙烯酸类共聚物(a1)由来自含官能团单体的结构单元与来自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元构成。

作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体，优选为在分子内具有聚合性双键与羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。

作为上述含官能团单体的更具体的例子，可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，它们可单独使用或组合使用2种以上。

作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，可使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯。其中，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。

丙烯酸类共聚物(a1)通常以3～100质量％、优选以5～40质量％的比例含有来自上述含官能团单体的结构单元而成，且通常以0～97质量％、优选以60～95质量％的比例含有来自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元而成。

丙烯酸类共聚物(a1)能够通过常用的方法，将如上所述的含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物共聚而得到，除了这些单体以外，也可将二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等共聚。

通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)与具有能够与该官能团键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)反应，能够得到能量射线固化型聚合物(a)。

含不饱和基团化合物(a2)所具有的取代基可根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当地选择。例如，官能团为羟基、氨基或取代氨基时，作为取代基优选异氰酸酯基或环氧基，官能团为环氧基时，作为取代基，优选氨基、羧基或氮丙啶基。

此外，含不饱和基团化合物(a2)在每1分子中含有1～5个、优选含有1～2个能量射线聚合性的碳碳双键。作为这样的含不饱和基团化合物(a2)的具体例，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙基酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。

相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体，通常以10～100mol％、优选以20～95mol％的比例使用含不饱和基团化合物(a2)。

对于丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应，可根据官能团与取代基的组合而适当地选择反应温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂种类。由此，丙烯酸类共聚物(a1)中所存在的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的取代基进行反应，将不饱和基团导入丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链，得到能量射线固化型聚合物(a)。

由此得到的能量射线固化型聚合物(a)的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万～150万，进一步优选为20万～100万。另外，本说明书中的重均分子量(mw)为通过凝胶渗透层析法(gpc法)而测定的聚苯乙烯换算的值。

即使在能量射线固化性粘着剂将具有能量射线固化性的聚合物作为主成分的情况下，能量射线固化性粘着剂也可进一步含有能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)。

作为能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。

作为该能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能性丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯类、聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。

掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，能量射线固化性粘着剂中的能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的含量优选为5～80质量％，特别优选为20～60质量％。

在此，使用紫外线作为用于使能量射线固化性树脂组成物固化的能量射线时，优选添加光聚合引发剂(c)，通过使用该光聚合引发剂(c)，能够减少聚合固化时间及光线照射量。

作为光聚合引发剂(c)，具体而言可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚(benzyldiphenylsulfide)、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、双乙酰、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-n,n-二乙基二硫代氨基甲酸酯、寡聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。它们可单独使用，也可同时使用2种以上。

相对于能量射线固化型共聚物(a)(掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，为能量射线固化型共聚物(a)及能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的合计量100质量份)100质量份，以0.1～10质量份，特别优选以0.5～6质量份的范围的量使用光聚合引发剂(c)。

在能量射线固化性粘着剂中，除了上述成分以外，也可适当掺合其他成分。作为其他成分，例如可列举出不具有能量射线固化性的聚合物成分或寡聚物成分(d)、交联剂(e)等。

作为不具有能量射线固化性的聚合物成分或寡聚物成分(d)，例如可列举出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(mw)为3000～250万的聚合物或寡聚物。

作为交联剂(e)，可使用与能量射线固化型共聚物(a)等所具有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为这样的多官能性化合物的例子，可列举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。

通过在能量射线固化性粘着剂中掺合这些其他成分(d)、(e)，能够改善固化前的粘着性及剥离性、固化后的强度、与其他层的粘合性、保存稳定性等。这些其他成分的掺合量没有特别限定，相对于能量射线固化型共聚物(a)100质量份，在0～40质量份的范围内适当地决定。

接着，以下对能量射线固化性粘着剂以不具有能量射线固化性的聚合物成分与能量射线固化性的多官能单体和/或寡聚物的混合物为主成分的情况进行说明。

作为不具有能量射线固化性的聚合物成分，例如可使用与上述丙烯酸类共聚物(a1)同样的成分。能量射线固化性树脂组成物中的不具有能量射线固化性的聚合物成分的含量优选为20～99.9质量％，特别优选为30～80质量％。

作为能量射线固化性的多官能单体和/或寡聚物，可选择与上述成分(b)相同的物质。关于不具有能量射线固化性的聚合物成分与能量射线固化性的多官能单体和/或寡聚物的掺合比，相对于聚合物成分100质量份，多官能单体和/或寡聚物优选为10～150质量份，特别优选为25～100质量份。

此时，也与上述同样地，可适当地掺合光聚合引发剂(c)、交联剂(e)等。

只要在使用切割片1的各工序中发挥适当的功能，则粘着剂层3的厚度就没有特别限定。具体而言，优选为1～50μm，特别优选为2～30μm，进一步优选为3～20μm。

3.剥离片

本实施方式的剥离片6在至使用切割片1为止的期间内保护粘着剂层3。本实施方式的剥离片6直接层叠于粘着剂层3上，但是不被此限定，也可在粘着剂层3上层叠其他层(管芯键合膜等)，并在该其他层上层叠剥离片6。

剥离片6的构成为任意，可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的片材。作为塑料膜的具体例，可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可得到稳定的性能的硅酮类。剥离片的厚度没有特别限制，但通常为20～250μm左右。

4.切割片的制造方法

制造切割片1时，作为一个例子，将含有构成粘着剂层3的粘着剂及根据需要进一步含有溶剂的粘着剂层用的涂布剂涂布在剥离片6的剥离面上并使其干燥，从而形成粘着剂层3。随后，将基材2压接在粘着剂层3的露出面上，得到由基材2、粘着剂层3及剥离片6形成的切割片1。

本实施方式的粘着剂层3优选能够贴附在环状框等夹具上。此时，粘着剂层3由能量射线固化性粘着剂构成时，优选不使能量射线固化性粘着剂固化。由此，能够将对环状框等夹具的粘合力维持得较大。

基材2及粘着剂层3的层叠体也可根据需要而进行半切割，制成所需的形状，例如制成对应于工件(半导体晶圆)的圆形等形状。此时，将因半切割而产生的多余部分适当地去除即可。

5.切割片的使用方法

本实施方式的切割片1优选用于隐形切割。此外，本实施方式的切割片1优选用于包含从基材2的第二面侧拍摄位于基材2的第一面侧的工件的动作的用途。具体而言，优选在隐形切割中，使用摄影机(例如红外线摄影机)以高倍率拍摄工件的对准标记等，并基于该数据进行读入切割线的对准动作时，作为支撑上述工件的切割片而使用。作为工件，例如可列举出半导体晶圆、玻璃基板等，但不被这些限定。

以下，作为一个例子，对使用本实施方式的切割片1，通过隐形切割由作为工件的半导体晶圆制造芯片的方法进行说明。

首先，将卷取成卷状的切割片1放卷，如图2所示，将半导体晶圆7及环状框8贴附于切割片1的粘着剂层3。由此，得到具备在切割片1的粘着剂3侧的面上层叠有半导体晶圆7及环状框8的结构的层叠结构体(以下有时称为“层叠结构体l”)。

接着，将层叠结构体l交付于隐形切割工序。具体而言，将层叠结构体l设置于分割加工用激光照射装置(激光切割机)，使用摄影机拍摄附加在半导体晶圆7的切割片1侧或切割片1的相反侧的对准标记，并基于该数据，进行读入切割线的对准动作。摄影机的种类没有特别限定，例如通常使用红外线摄影机、ccd摄影机等。此时，对于切割片1，通过将基材2的背面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)设定在规定范围，光线透过切割片1而不被基材2背面的由气泡等引起的凹凸扰乱，因此能够使对准标记的影像正确地传达至摄影机，并以高精度进行高倍率摄像，因而，能够正确地进行对准动作。

激光切割机沿着所读入的切割线，透过切割片1对上述半导体晶圆7照射激光，在半导体晶圆7内形成改性层。如上所述，由于能够正确地进行对准动作，因此能够沿着设置于半导体晶圆7的规定切割线而确实地进行改性层的形成。另外，通过将切割片1的表面粗糙度设定为如上所述，激光透射性也优异。随后，通过实施使切割片1伸长的扩张工序，从而对半导体晶圆7赋予力(主面内方向的拉伸力)。其结果，粘贴于切割片1的半导体晶圆7被分割，得到芯片。随后，使用拾取装置从切割片1上拾取芯片。

在上述的隐形切割工序中，由于能够沿着设置于半导体晶圆7的规定切割线确实地进行改性层的形成，因此半导体晶圆7能够良好地被分割，因而隐形切割的加工性非常良好。

以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素，其主旨也包含属于本发明的技术范围的全部的设计变更及均等物。

例如，切割片1的基材2与粘着剂层3之间也可存在其他层。此外，切割片1的粘着剂层3与剥离片6之间也可存在其他层。作为该其他层，例如可列举出管芯键合膜。此时，切割片1能够用作切割管芯键合片。

实施例

以下，通过实施例等对本发明进一步具体地进行说明，但是本发明的范围不被这些实施例等限定。

[实施例1]

(1)基材的制造

利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将由无规共聚物聚丙烯树脂形成的树脂组合物挤出成型，制造厚度为70μm的由树脂膜形成的基材。通过后述方法测定所得到的基材的背面的表面粗糙度(算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz))，其结果如表1所示。

(2)粘着剂层用涂布剂的制备

将丙烯酸丁酯62质量份、甲基丙烯酸甲酯10质量份及丙烯酸2-羟基乙酯(hea)28质量份共聚而得到共聚物，使相对于共聚物的hea为80mol％的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(moi)与共聚物反应，得到在侧链具有能量射线聚合性基团的能量射线固化性丙烯酸类聚合物(重均分子量50万)。

相对于上述能量射线固化性丙烯酸类聚合物100质量份(固体成分浓度；以下相同)，掺合光聚合引发剂(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3.0质量份及异氰酸酯化合物(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)1.0质量份，并同时使用溶剂进行稀释，由此得到粘着剂层用涂布剂。

(3)切割片的制造

准备厚度为38μm的在聚对苯二甲酸乙二酯膜的单面上形成硅酮类的剥离剂层而成的剥离片(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”)，使用刮刀涂布机将上述粘着剂层用涂布剂涂布在该剥离片的剥离面上，并使其干燥，形成厚度为20μm的粘着剂层。将上述所制造的基材的正面重叠在该粘着剂层上并将两者贴合，由此得到由基材(70μm)/粘着剂层(20μm)/剥离片形成的层叠体。

以从上述基材侧切断基材及粘着剂层的层叠体的方式，对上述所得到的层叠体进行半切割，形成直径为370mm的圆形的切割片。

[实施例2～3及比较例1～4]

将基材的背面的表面粗糙度(算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz))变更为如表1所示从而制造基材。除了使用该基材以外，以与实施例1相同的方式制造实施例2～3及比较例1～4的切割片。

[试验例1]<基材的表面粗糙度的测定>

使用光干涉式表面粗糙度计(veecoinstrumentsinc.制造，产品名称“wykont1100”)，在以下的测定条件下依据ansi/asmeb46.1，测定实施例及比较例中制造的基材的背面的算术平均粗糙度(ra)及最大高度粗糙度(rz)。将结果示于表1。

[测定条件]

·物镜倍率：10倍

·内部透镜倍率：1倍

·模式：vsi

·测定面积：0.27mm²

[试验例2]<雾度值的测定>

针对实施例及比较例中制造的基材，依据jisk7136：2000、使用雾度计(nippondenshokuindustriesco.,ltd制造，产品名称“ndh-5000”)测定雾度值(％)。另外，该雾度值显示起因于测定样品的内部的雾度(内部雾度)与起因于测定样品的表面状态的雾度(外部雾度)的合计值。将结果示于表1。

[试验例3]<对准性评价>

将附加有切割线的硅镜面晶圆(siliconmirrorwafer)(直径：12英寸)及环状框贴附在实施例及比较例中得到的切割片的粘着剂层上，得到层叠结构体(参照图2)。此时，以使硅晶圆的切割线成为切割片侧的方式贴附硅晶圆。

接着，将上述层叠结构体安装在激光切割机(discocorporation制造，产品名称“dfl7361”)上，隔着切割片，使红外线摄影机的焦点对准半导体晶圆的切割线。观看由红外线摄影机获取的影像所显示的对准画面(高倍率设定)，将能够没有问题地辨识切割线的评价为○，将切割线的一部分不鲜明但能够辨识的评价为△，将切割线不鲜明的评价为×。将结果示于表1。

[试验4]<隐形切割性评价>

与试验例3同样地，将上述层叠结构体安装在激光切割机(discocorporation制造，产品名称“dfl7361”)上之后，照射波长为1342nm的激光，在硅晶圆内形成一定间隔的改性层。随后，将上述层叠结构体设置在分离扩片机(dieseparator)(discocorporation制造，产品名称“dds2300”)上，在0℃下以100mm/秒的下落速度、10mm的扩张量进行扩张，得到8mm×8mm的芯片。

对于通过上述隐形切割而得到的芯片的剖面，利用数位显微镜(keyencecorporation制造，产品名称“vhx-1000”)、以倍率500倍确认改性层。其结果，将能够确认到一定间隔的改性层的评价为“○”(隐形切割性良好)，将改性层的间隔不定或确认到改性层缺失的评价为“×”(隐形切割性不良)。将结果示于表1。

[表1]

由表1可知，实施例中得到的切割片的对准性优异、且因此隐形切割性也良好。

工业实用性

本发明的切割片可适宜地用于隐形切割等包含从基材的第二面侧拍摄位于基材的第一面侧的工件的动作的用途。

附图标记说明

1：切割片；2：基材；3：粘着剂层；6：剥离片；7：半导体晶圆；8：环状框。